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Einführung in die Elektronik Groÿe Übung 6

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Academic year: 2021

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Einführung in die Elektronik Groÿe Übung 6

G. Kemnitz, C. Giesemann

Institut für Informatik, Technische Universität Clausthal

30. Januar 2020

(2)

Aufgabe 6.1: Komplexer Spannungsteiler 1

Wie lautet die Übertragungsfunktion des nachfolgenden Spannungsteilers im Frequenzbereich?

U

e

C

1

C

2

U

a

R

1

R

2

(3)

Aufgabe 6.2: Komplexer Spannungsteiler 2

Gegeben ist der nachfolgende komplexe Spannungsteiler:

R C

R C

U

a

U

e

1

Berechnen Sie das Spannungsteilerverhältnis in Abhängigkeit von der Kreisfrequenz des Eingabesignals.

2

Für welche Frequenz ist die Phasenverschiebung des Spannungsteilerverhältnisses null?

3

Welchen Wert hat das Spannungsteilerverhältnis für diese

Frequenz?

(4)

Aufgabe 6.3: Schwingkreis

Die nachfolgende Schaltung ist ein Parallelschwingkreis:

= 10 µH L

R = 1 Ω C = 100 nF R

L C

1

Berechnen Sie den komplexen Gesamtwiderstand in Abhängigkeit von der Kreisfrequenz ω.

2

Welchen komplexen Widerstand hat die Schaltung für ω = 0 und ω → ∞?

3

Wie groÿ ist der Widerstand für ω

0

= 1/ √ L · C?

4

Wie ist der Wert des Widerstands R zu verändern, damit sich bei der Kreisfrequenz ω = 1/ √

L · C der Realteil

1

des Gesamtwiderstands aus Aufgabenteil c verdoppelt?

1

Der Imaginärteil ist vernachlässigbar.

(5)

Ω Ω Ω Ω

f

|X|

(6)

Aufgabe 6.4: Operationsverstärkerschaltung 1

Stellen Sie für die nachfolgende Schaltung eine Gleichung zur Berechnung der Übertragungsfunktionen

U

a

= f (U

e

) auf.

R

2

U

a

C

R

2

= 22 kΩ R

1

= 16 kΩ C = 10 nF R

1

U

e

Skizzieren Sie den Amplituden- und den Phasenfrequenzgang im

Bereich von 10 Hz bis 100 kHz (logarithmische Unterteilung der

Frequenz- und der Betragsachse).

(7)

0,01 V 0,1 V 1 V

√0,1 V

0,1 10 V

f Ua

(8)

Aufgabe 6.5: Operationsverstärkerschaltung 2

Stellen Sie für die nachfolgende Schaltung ein Gleichungssystem zur Berechnung der komplexen Ausgangsspannung U

a

auf.

I = 0 C

3

I

3

C

2

R

2

I

2

U

a

I

4

I

2

I

1

M2 C

3

= 100 nF

C

2

= 100 nF R

4

= 2, 2 kΩ R

2

= 220 kΩ R

1

= 100 kΩ R

1

K

R

4

M1

M3

U

e

(9)

Aufgabe 6.6: Transistorverstärker

R

E

R

C

U

V

u

e

u

a

R

E

= 220 Ω β

0

= 100 R

C

= 1 kΩ

U

V

= 5 V U

BEF

≈ 0,7 V f

T

= 100 MHz

Ersatzschaltung für den stationären Zustand zur Festlegung des Arbeitspunktes

Gleichanteil der Eingangsspannung, damit die

Ausgangsspannung im stationären Zustand 3 V beträgt Ersatzschaltung für f 6 = 0

Verstärkung für niedrige Frequenzen

Übergangsfrequenz f

0V

des Verstärkers, bei der die Verstärkung auf das 1/ √

2-fache der Verstärkung bei niedrigen Frequenzen

abgefallen ist.

(10)

Aufgabe 6.7: Dotierung

Ein Si-Halbleitergebiet sei mit 10

17

Boratomen je Kubikzentimeter dotiert.

Wie groÿe ist die Dichte der beweglichen Löcher und wie groÿe ist die Dichte der beweglichen Elektronen bei einer Temperatur von T = 300 K?

Hinweis: Die instrinsische Ladungsträgerdichte bei 300 K ist in

Silizium n

i

≈ 2 · 10

9

cm

−3

.

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