Grundlagen der Digitaltechnik Groÿe Übung 9

(1)

Grundlagen der Digitaltechnik Groÿe Übung 9

Prof. G. Kemnitz, Dr. C. Giesemann

Institut für Informatik, Technische Universität Clausthal

23. Februar 2021

(2)

Aufgabe 9.1: Entwurf FCMOS 1

Entwerfen Sie ein FCMOS-Gatter mit der nachfolgenden Funktion:

y = a ∨ b ∨ ¯ c

(3)

Aufgabe 9.2: Entwurf FCMOS 2

Vereinfachen Sie die nachfolgenden Ausdrücke so weit wie möglich:

1

x

₁

x

₂

x

₄

∨ x

₁

x

₄

∨ x ¯

₁

x

₂

x

₄

2

(x

1

∨ x

2

∨ x ¯

3

) (¯ x

1

∨ x

3

)

Bilden Sie die vereinfachten logischen Ausdrücke durch

FCMOS-Gatter nach.

(4)

Aufgabe 9.3: Logische Funktion gesucht

y

1

y

2

U

V

b a

a b U

V

c b c c

b a

b c a

b c

¯ b

¯ a

¯

a ¯ b c

b

¯ a

¯

a b

¯ c

¯ b a

a ¯ b c ¯ z

1

z

2

Zerlegung in einzelne Gatter.

Bestimmung der Funktionen der NMOS- und der PMOS-Netzwerke.

Bestimmung der Gatterfunktionen und der Gesamtfunktionen.

(5)

Aufgabe 9.4: Rückgewinnung Transistorschaltung

Wanne PMOS-Tr.

Gate / Poly.-Leiterbahn Metallleiterbahn S- und D-Gebiet NMOS S- und D-Gebiet PMOS Durchkontaktierung Durchkontaktierung Metall nach Halbleiter Metall nach Polysilizium x

1

x

2

x

3

x

4

y U

V

1

Grundlagen der Digitaltechnik Groÿe Übung 9

Grundlagen der Digitaltechnik Groÿe Übung 9

Prof. G. Kemnitz, Dr. C. Giesemann

Institut für Informatik, Technische Universität Clausthal

23. Februar 2021

Aufgabe 9.1: Entwurf FCMOS 1

Entwerfen Sie ein FCMOS-Gatter mit der nachfolgenden Funktion:

y = a ∨ b ∨ ¯ c

Aufgabe 9.2: Entwurf FCMOS 2

Vereinfachen Sie die nachfolgenden Ausdrücke so weit wie möglich:

x

x

x

∨ x

x

∨ x ¯

x

x

(x

∨ x

∨ x ¯

) (¯ x

∨ x

)

Bilden Sie die vereinfachten logischen Ausdrücke durch

FCMOS-Gatter nach.

Aufgabe 9.3: Logische Funktion gesucht

y

y

U

b a

a b U

c b c c

b a

b c a

b c

¯ b

¯ a

¯

a ¯ b c

b

¯ a

¯

a b

¯ c

¯ b a

a ¯ b c ¯ z

z

Zerlegung in einzelne Gatter.

Bestimmung der Funktionen der NMOS- und der PMOS-Netzwerke.

Bestimmung der Gatterfunktionen und der Gesamtfunktionen.

Aufgabe 9.4: Rückgewinnung Transistorschaltung

Wanne PMOS-Tr.

Gate / Poly.-Leiterbahn Metallleiterbahn S- und D-Gebiet NMOS S- und D-Gebiet PMOS Durchkontaktierung Durchkontaktierung Metall nach Halbleiter Metall nach Polysilizium x

x

x

x

y U

Lesen Sie die Transistorschaltung ab.