Einflussfaktoren auf die elektrische Leitfähigkeit von Si/GaAs Wafer‐Bonds

Die elektrische Leitfähigkeit atomstrahlaktivierter Si/GaAs Wafer‐Bonds kann erhöht werden, indem die Defektdichte und folglich die Potentialbarriere an der Grenzfläche, reduziert wird. Im Folgenden wird der Einfluss verschiedener Wafer‐Bonding Parameter und Ausheizprozeduren auf den Grenzflächenwiderstand bzw. die Defektdichte untersucht und schließlich die Leitfähigkeit über die Si/GaAs Bondgrenzfläche optimiert. Die experimentelle Vorgehensweise ist in Abschnitt 3.7 beschrieben. In den folgenden Abbildungen wird zum Vergleich auch eine Referenz‐Kennlinie gezeigt, die sich aus den bekannten ohmschen Substrat‐ und Metallkontaktwiderständen der Si und GaAs‐Substrate von insgesamt _{, ,} = 20.8 mΩ ergibt. Hätten die Si/GaAs Grenzflächen einen vernachlässigbaren Widerstand, könnten die Strom‐Spannungs‐

Kennlinien der Proben den linearen Verlauf dieser Referenz‐Kennlinie erreichen.

Die Abbildungen 4‐24 a und b zeigen Strom‐Spannungs‐Kennlinien der n‐Si/n‐GaAs Bonds

#118 und #064, die nach dem Einlegieren der Metallkontakte bei 290 °C und nach einem zusätzlichen Ausheizen der Proben bei höheren Temperaturen gemessen wurden. Der Vergleich der Kennlinien in Abbildung 4‐24a ergibt, dass die Leitfähigkeit über die Si/GaAs Bondgrenzfläche bereits durch eine kurze Wärmebehandlung von einer Minute bei Temperaturen von 330 °C erhöht werden kann und mit steigender Ausheiztemperatur weiter zunimmt. Wie in Abschnitt 4.6.4 durch die Auswertung von temperaturabhängigen Kennlinien gezeigt wird, reduziert bereits ein einminütiges Ausheizen die Höhe der Potentialbarriere an der Si/GaAs Grenzfläche, da Defekte an der Grenzfläche ausheilen.

Werden die Proben des Si/GaAs Wafer‐Bonds #064 länger, für 25 Minuten bei 375 °C bzw.

450 °C, ausgeheizt, ist ihre Kennlinie vergleichbar zu der nach einem kurzen einminütigen Ausheizen bei 400 °C. Offenbar muss für das Ausheilen der Defekte eine bestimmte Aktivierungsenergie überschritten werden und die Dauer des Ausheizens hat eine untergeordnete Rolle.

In der Literatur wurde beschrieben, dass die elektrische Leitfähigkeit über Bondgrenzflächen abnimmt, umso länger die Wafer zwischen der FAB Behandlung und ihrem Kontakt in der Vakuumkammer verweilen [52]. Als Ursache dafür werden an den Oberflächen adsorbierte Fremdatome aus dem Restgas genannt, die Defektzustände an der Grenzfläche bilden. Um den Effekt von adsorbiertem Restgas zu untersuchen, wurden in dieser Arbeit n‐Si/n‐GaAs Bonds hergestellt, die nach vergleichbarer FAB Behandlung, aber unterschiedlichen Vakuumverweilzeiten (0 bis 720 sec) miteinander in Kontakt gebracht wurden. Ihre Strom‐Spannungs‐Kennlinien, die nach dem Einlegieren der Metallkontakte (1 Minute bei 290°C) gemessen wurden, unterscheiden sich deutlich (siehe Abbildung 4‐24c). Je länger die Wafer dem Vakuum ausgesetzt waren, desto höher ist der elektrische Grenzflächenwiderstand. Nach einem Ausheizen für 1 Minute bei 400 °C ist der Unterschied zwischen den Kennlinien jedoch wesentlich geringer. Die thermisch angeregte Umordnung erlaubt die Ausbildung neuer atomarer Bindungen und reduziert die Auswirkung der adsorbierten Fremdatome an der Grenzfläche. Diese Ergebnisse weisen darauf hin, dass die elektrischen Eigenschaften der Grenzfläche nach dem Ausheizen im Wesentlichen von Defekten dominiert werden, die während der FAB Behandlung entstehen.

Elektrische Leitfähigkeit 81

(a)

(b)

(c)

Abbildung 4‐24: Strom‐Spannungs‐Kennlinien unterschiedlicher n‐Si/n‐GaAs Wafer‐Bonds aus 300 µm dicken Si‐ (nSi,surf= 4.0×10²⁰ cm^‐3)und 450 µm dicken GaAs‐Wafern mit nGaAs=1.0–1.6×10¹⁸ cm^‐3. Die 3×3 mm² großen Proben besitzen flächige Metallkontakte. In (a) wird zusätzlich eine Referenz‐Kennlinie gezeigt, die aus den bekannten Si‐ und GaAs‐Substrat‐ und Metallkontaktwiderständen aber ohne Si/GaAs Grenzflächenwiderstand berechnet wurde. Für die Bonds #119 (a) und #064 (b) wurden unterschiedliche Ausheizprozeduren getestet. In (c) werden Kennlinien von Si/GaAs Bonds verglichen, deren Oberflächen zwischen der FAB Behandlung (5 Min (+45 sec Annäherung), Vacc 0.63 kV) und dem Verbinden der Wafer unterschiedlich lange in der Vakuumkammer verblieben. Die Kennlinien in (c) wurden direkt nach dem Einlegieren der Metallkontakte bei 290 °C und einem zusätzlichen Ausheizen für 1 Minute bei 400°C gemessen. Die Si‐Seite aller Proben war mit dem Pluspol verbunden. (Weitere Details zum Wafer‐Bonding der Proben sind in Abschnitt 7.1 zu finden. Messungen wurden von E. Fehrenbacher durchgeführt.)

-4

Entwicklung des Si/GaAs Wafer‐Bonds 82

An weiteren Proben wurde deshalb der Einfluss der verwendeten Argonenergie und Aktivierungszeit auf die elektrische Leitfähigkeit untersucht. Abbildung 4‐26a zeigt die Strom‐Spannungs‐Kennlinien von n‐Si/n‐GaAs Bonds, deren Oberflächen 5 Minuten mit den FAB aktiviert wurden. Die Argonbeschleunigungsspannung Vacc wurde zwischen 0.56 kV und 1.02 kV variiert und die abgebildeten Kennlinien wurden nach einem zusätzlichen Ausheizen für 1 Minute bei 400 °C gemessen. Die höchste Leitfähigkeit wurde mit den Si/GaAs Bonds

#080 und #064 erreicht, für deren Herstellung niedrige Beschleunigungsspannungen Vacc von 0.56 kV bzw. 0.63 kV verwendet wurden. Wird die Beschleunigungsspannung auf Werte von 0.81 kV bzw. 1.02 kV erhöht, nimmt die elektrische Leitfähigkeit signifikant ab (Bonds #065 und #119 in Abbildung 4‐26a). Dieser Effekt wurde auch von Howlader et al. für FAB aktivierte p‐Si/n‐GaAs Bonds beobachtet [52]. Bei Verwendung einer höheren Beschleunigungsspannung besitzen die Argonatome eine größere kinetische Energie (diese entspricht etwa dem 0.4 bis 0.6‐fachen des Produkts aus Vacc und der Elementarladung) und übertragen entsprechend auch mehr Energie an die Kristallatome [52].

Abbildung 4‐25 zeigt die mit Hilfe der Software SRIM‐2011¹⁶ berechnete Verteilungen von Frenkel‐Defekten (siehe Abschnitt 4.4) in Silicium pro Å Länge und Projektil für Argonprojektile mit kinetischen Energien von 300 eV bzw. 600 eV. Würde man diese Verteilungen mit der verwendeten Atomstrahldosis (Projektile/Fläche) multiplizieren, so könnte man die erzeugten Frenkeldefekte pro cm³ bestimmen. Die Argonatome mit größerer kinetischer Energie von 600 eV besitzen eine Eindringtiefe von 2.0 nm (1.4 nm für 300 eV, berechnet mit SRIM‐2011¹⁶) und verursachen vergleichsweise mehr Kristalldefekte, welche auch tiefer in dem Kristall verteilt sind (siehe Abbildung 4‐25). Die Beobachtung, dass der Grenzflächenwiderstand mit zunehmender Anzahl von FAB induzierten Frenkel‐Defekten ansteigt, beweist, dass tatsächlich die FAB Behandlung für die geringe Leitfähigkeit der n‐Si/n‐GaAs Wafer‐Bonds verantwortlich ist.

Abbildung 4‐25: Mit Hilfe der Software SRIM‐2011¹⁶ simulierte Verteilung von Frenkel‐Defekten in Si für 5000 Argonprojektile mit kinetischer Energie von 300 eV bzw. 600 eV und einem Einfallswinkel von 45°.

16 SRIM – „The Stopping and Range of Ions in Solids“, Version 2011.06: Eine Software zur Berechnung der Wechselwirkung hochenergetischer Ionen mit Festkörpern. Entwickelt von Ziegler et al. [68]

(siehe auch Abschnitt 7.4).

Frenkelpaare pro Å Länge und Argonatom

600 eV Argon 300 eV Argon

Elektrische Leitfähigkeit 83

(a)

(b)

Abbildung 4‐26: Strom‐Spannungs‐Kennlinien von n‐Si/n‐GaAs Wafer‐Bonds aus 300 µm dicken Si‐

(nSi,surf= 4.0×10²⁰ cm^‐3) und 450 µm dicken GaAs‐Wafern (nGaAs=1.0–1.6×10¹⁸ cm^‐3). Die 3×3 mm² großen Proben haben flächige Metallkontakte, die 1 Minute bei 290 °C einlegiert wurden. Alle Proben wurden außerdem für 1 Minute bei 400 °C ausgeheizt. (a) Die Wafer‐Bonds wurden gleich lange (5 Minuten +45 sec Annäherung) mit den FAB aktiviert, jedoch wurden unterschiedliche Argon‐Beschleunigungs‐

spannungen Vaccverwendet. (b) Die Si‐ und GaAs‐Wafer wurden unterschiedlich lange, zwischen 3 und 9 Minuten (+45 sec Annäherung), mit den FAB bei gleicher Beschleunigungsspannung Vaccbehandelt.

In (b) wird zum Vergleich außerdem eine Referenz‐Kennlinie gezeigt, die aus den bekannten Si‐ und GaAs‐Substrat‐ und Metallkontaktwiderständen aber unter Vernachlässigung des Si/GaAs Grenzflächenwiderstandes berechnet wurde. Die Si‐Seite der Si/GaAs Bondproben war in allen Messungen mit dem Pluspol verbunden. (Weitere Details zum Wafer‐Bonding der Proben sind in Abschnitt 7.1 zu finden. Messungen wurden von Elvira Fehrenbacher am Fraunhofer ISE durchgeführt.)

-0.6 -0.4 -0.2 0.0 0.2

Entwicklung des Si/GaAs Wafer‐Bonds 84

Abbildung 4‐26b zeigt einen Vergleich von Si/GaAs Bonds, die mit unterschiedlichen FAB Behandlungszeiten aber gleicher Beschleunigungsspannung aktiviert wurden. Wird die FAB Behandlungszeit von 5 auf 3 Minuten reduziert (Bond #072), nimmt die elektrische Leitfähigkeit ab. Wie in Abschnitt 3.6.2 diskutiert, reichen 3 Minuten FAB Behandlung nicht aus, um die nativen Oxide auf den Si‐ und GaAs‐Oberflächen vollständig zu entfernen.

Deshalb wird die Leitfähigkeit durch das verbleibende Oxid beeinträchtigt. Die Existenz eines Grenzflächenoxids wird auch durch die Beobachtung eines Risswachstums bei der Durchführung des Maszara Klingentests (siehe Abschnitt 3.6.2) und der Blasenbildung während der Lagerung dieses Wafer‐Bonds (siehe Abschnitt 4.3) bestätigt. Wird die FAB Behandlungszeit der Si‐ und GaAs‐Wafer dagegen von 5 auf 9 Minuten erhöht, so hat dies einen vernachlässigbaren Einfluss auf den Verlauf der Strom‐Spannungs‐Kennlinien und den Grenzflächenwiderstand (siehe Abbildung 4‐26b). Durch einen längeren Beschuss mit den hochenergetischen Argonatomen werden mehr Defekte erzeugt, jedoch wird auch ein Teil der geschädigten Halbleiterschicht zerstäubt. Es ist deshalb vorstellbar, dass sich die Defektverteilung durch die Verlängerung der FAB Behandlungszeit nur unwesentlich verändert. Dieses Ergebnis ist in Übereinstimmung mit der Auswertung der Hall‐Messungen in Abschnitt 4.6.3. Dort wird gezeigt, dass für lange FAB Behandlungszeiten die experimentelle Ladungsträgerverlustrate in n‐GaAs derjenigen entspricht, die aufgrund des reinen Materialabtrags zu erwarten ist.

Im Gegensatz zu den Beobachtungen der vorliegenden Arbeit, nahm der Grenzflächenwiderstand von FAB aktivierten p‐Si/n‐GaAs Bonds in Howladers Experimenten mit steigender FAB Behandlungszeit zu [52]. Howlader et al. erklären diese Beobachtung mit einem Anstieg der Defektanzahl für längere FAB Behandlungszeiten. Da in Howladers Veröffentlichung auch gezeigt wird, dass die Oberflächenrauheit von GaAs mit der FAB Behandlungszeit zunimmt, könnte in Ref. [52] auch eine verringerte Kontaktfläche der Si‐ und GaAs‐Oberflächen den Ladungsträgertransport über die Grenzfläche beeinträchtigen.

Zusammenfassend ergeben die in Abbildung 4‐24 und Abbildung 4‐26 gezeigten Parametervariationen, dass die höchste elektrische Leitfähigkeit für Si/GaAs Proben erreicht wurde, deren Wafer für mindestens 5 Minuten unter Verwendung einer geringen Argonbeschleunigungsspannung von 0.56 kV bzw. 0.63 kV mit den FAB behandelt wurden.

Für die Anwendung in der GaInP/GaAs/Si‐Mehrfachsolarzelle ist der Grenzflächen‐

widerstand jedoch zu hoch. Bei hohen Stromdichten von 6 A/cm², die von der Mehrfachsolarzelle unter 500‐facher Sonnenkonzentration erzielt werden, würde die Si/GaAs Grenzfläche von Bond #064 nach dem Ausheizen bei 400 °C einen Spannungsverlust von ca. 0.25 V verursachen. Der Si/GaAs Grenzflächenwiderstand könnte sehr wahrscheinlich durch die Verwendung einer geringeren Argon Beschleunigungsspannung Vacc oder einer höheren Ausheiztemperatur weiter reduziert werden. Allerdings kann Vacc in der verwendeten Prozesskammer nicht auf Werte unterhalb 0.50 kV reduziert werden.

Ausheiztemperaturen über 450 °C konnten in dem verwendeten Ofen nicht realisiert werden und wurden wegen einer möglichen Rissbildung durch den mehr als zweimal so hohen thermischen Ausdehnungskoeffizienten von GaAs gegenüber Si (αGaAs= 5.7×10^‐6 /K, αSi = 2.6 ×10^‐6 /K [8]) vermieden.

Elektrische Leitfähigkeit 85 Alternativ zur Variation der FAB Behandlung kann die Dotierung der Waferoberflächen verändert werden, um eine höhere elektrische Leitfähigkeit über die Bondgrenzfläche zu erreichen. In Abschnitt 2.6 wird erläutert, dass die Potentialbarriere an der Grenzfläche durch die Erhöhung der Wafer‐Dotierungen verringert wird. Da die Ladungsträger‐

konzentration im Si schon sehr hoch war (nSi,surf= 4.0×10²⁰ cm^‐3), wurde in weiteren Experimenten nur die Dotierung der n‐GaAs‐Schicht variiert. Abbildung 4‐27a zeigt Strom‐

Spannungs‐Kennlinien von Si/GaAs Bonds, die bei 20 °C gebondet wurden aber nahe der Grenzfläche eine unterschiedliche n‐GaAs Dotierung im Bereich von 0.5‐8.0×10¹⁸ cm^‐3 besitzen. Die Ladungsträgerkonzentrationen wurden jeweils an Teststrukturen ohne FAB Behandlung mittels ECV bestimmt und die Si/GaAs Bondproben wurden vor der Messung für 1 Minute bei 400 °C ausgeheizt. Bond #154, dessen GaAs‐Wafer an der Oberfläche eine 300 nm dicke n‐GaAs‐Schicht mit einer Ladungsträgerkonzentration von nur (5.3±0.2)×10¹⁷cm^‐3 besitzt, hat die geringste elektrische Leitfähigkeit. Wird dagegen eine n‐GaAs‐Bondschicht mit höherer Dotierung von n=(8.0±1.0)×10¹⁸cm^‐3 statt n=(1.3±0.3)×10¹⁸cm^‐3 verwendet (Bond #116), wird die Barrierenhöhe reduziert und die Leitfähigkeit wird signifikant erhöht. Dennoch wird kein linearer Kennlinienverlauf erzielt.

Eine weitere Möglichkeit, die Defektdichte an der Grenzfläche zu reduzieren, ist es, den Wafer‐Bonding‐Prozess statt bei Raumtemperatur bei einer höheren Temperatur durchzuführen. Dieses Verfahren wurde nach dem Wissen der Autorin erstmals im Rahmen der vorliegenden Dissertation demonstriert. Laut Sadana et al. [154] kann die Bildung einer amorphen Schicht in GaAs verhindert werden, wenn das Substrat beim Ionenbeschuss auf eine Temperatur von über 100 °C geheizt wird. Die eingebrachten Punktdefekte besitzen bei diesen Temperaturen eine hohe Mobilität. Dadurch können Defekte dynamisch ausheilen und die Bildung von Defektkaskaden kann vermieden werden [154]. Die Zerstäubungsraten der Oberflächen werden laut der klassischen Zerstäubungstheorie durch die leicht erhöhte Temperatur nicht beeinflusst [155].

Abbildung 4‐27b zeigt Strom‐Spannungs‐Kennlinien von Si/GaAs Bonds, deren Wafer bei der Argon‐FAB Behandlung und dem Verbinden eine Temperatur zwischen 20 °C und 170 °C besaßen. Die Si/GaAs Proben wurden nach dem Einlegieren der Metallkontakte (1 Min 290 °C) zusätzlich für 1 Minute bei 400 °C ausgeheizt. Verwendet man beim Wafer‐Bonding eine Substrattemperatur von 75 °C statt 20 °C, so ist noch kein signifikanter Unterschied in den Strom‐Spannungs‐Kennlinien zu erkennen. Wird die Temperatur jedoch auf 120 °C erhöht, so nimmt die Leitfähigkeit deutlich zu. Der Spannungsabfall bei ‐10 A/cm² reduziert sich um einen Faktor 0.6. Dies zeigt, dass bereits eine Substrattemperatur von 120 °C ausreicht, um das in‐situ Ausheilen der Defekte zu steigern und die resultierende Grenzflächenladung zu reduzieren. Erhöht man die Temperatur auf 170 °C, nimmt der Grenzflächenwiderstand nicht weiter ab.

Entwicklung des Si/GaAs Wafer‐Bonds 86

(a)

(b)

Abbildung 4‐27: Strom‐Spannungs‐Kennlinien von n‐Si/n‐GaAs Bonds, die: (a) bei 20 °C gebondet wurden aber eine unterschiedlich hohe GaAs Dotierung besitzen; (b) bei unterschiedlichen Temperaturen gebondet wurden und eine GaAs Dotierung im Bereich von 1.0‐1.6×10¹⁸ cm^‐3 besitzen. Die Waferoberflächen aller Proben wurden 5 Minuten (+45 sec Annäherung) mit den Argon‐FAB

(Vacc = 0.64 kV± 0.01 kV) behandelt. Die Proben #154, #064, #151, #192 bestehen aus 300 µm dicken Si‐

(n =4.0 ×10²⁰ cm^‐3) und 450 µm dicken GaAs‐Substraten und wurde in 3×3 mm² große Chips gesägt.

Bond #116 besteht aus einem 300 µm dicken Si‐Wafer und einer kreisförmigen ca. 700 nm dicken GaAs‐

Schicht mit einer Fläche von 1.02 mm². Die Proben besitzen flächige Metallkontakte, die für 1 Minute bei 290 °C einlegiert wurden. Alle Proben wurden für 1 Minute bei 400 °C ausgeheizt und bei Raumtemperatur charakterisiert. Zum Vergleich wird außerdem eine Referenz‐Kennlinie gezeigt, die aus den bekannten Si‐ und GaAs‐Substrat‐ und Kontaktwiderständen aber unter Vernachlässigung des Si/GaAs Grenzflächenwiderstandes berechnet wurde. Bei allen Kennlinien war die Si‐Seite der Proben mit dem Pluspol verbunden. (Weitere Details zum Wafer‐Bonding der Proben sind in Abschnitt 7.1 zu finden, Messungen wurden von Elvira Fehrenbacher am Fraunhofer ISE durchgeführt.)

-0.4 -0.2 0.0 0.2

Elektrische Leitfähigkeit 87 Durch die Kombination der zuvor vorgestellten Methoden, also der Verwendung einer höher dotierten n‐GaAs‐Bondschicht mit nGaAs =(9.4±0.7)×10¹⁸ cm^‐3 und einer Temperatur von 120 °C während der FAB Behandlung, können Si/GaAs Bondproben (#188) hergestellt werden, die nach dem Ausheizen bei 400 °C Strom‐Spannungs‐Kennlinien mit linearem Verlauf bei Raumtemperatur (Bond #188, Abbildung 4‐28) besitzen.

Abbildung 4‐28: Strom‐Spannungs‐Kennlinien des n‐Si/n‐GaAs Bonds #188. Die 300 µm dicken Si‐ und 450 µm dicken GaAs‐Wafer wurden bei 120 °C für 5 Minuten (+ 45 Sekunden Annäherung) mit den Argon‐FAB (Vacc = 0.63 kV± 0.01 kV, IAnode = 100 mA) behandelt und verbunden. Auf dem GaAs‐Substrat befindet sich eine höher dotierte n‐GaAs‐Bondschicht mit einer Ladungsträgerkonzentration von ca. nGaAs=(9.4±0.7)×10¹⁸ cm^‐3. Die 3×3 mm² große Probe besitzt flächige Metallkontakte, die 1 Minute bei 290 °C einlegiert wurden. Die Probe wurde außerdem für 1 Minute bei 400 °C ausgeheizt. Die Kennlinien wurden bei Temperaturen von +25 °C, ‐50 °C und ‐100 °C gemessen. Zum Vergleich wird außerdem eine Referenz‐Kennlinie gezeigt, die aus den bekannten Si‐ und GaAs‐Substrat‐ und Metallkontakt‐

widerständen aber unter Vernachlässigung des Si/GaAs Grenzflächenwiderstandes berechnet wurde. Bei allen Messungen war die Si‐Seite mit dem Pluspol verbunden. (Weitere Details zum Wafer‐Bonding‐

Prozess sind in Abschnitt 7.1 zu finden. Messungen wurden von Elvira Fehrenbacher am Fraunhofer ISE durchgeführt.)

Berücksichtigt man die Metallkontakt‐ und Substratwiderstände aus den Referenzproben, so ergibt sich aus der bei 25 °C gemessenen Kennlinie (siehe Abbildung 4‐28) ein Si/GaAs Grenzflächenwiderstand von ca. 3.6×10^‐3 Ωcm². Bei hohen Stromdichten von 6 A/cm², also etwa 500‐facher Sonnenkonzentration, würde diese optimierte Si/GaAs Bondgrenzfläche in der Mehrfachsolarzelle nur einen vernachlässigbaren Spannungsverlust von unter 0.03 V verursachen. Werden die Strom‐Spannungs‐Kennlinien bei niedrigen Temperaturen gemessen, so besitzen sie wieder einen unsymmetrischen Verlauf. Dies beweist, dass an der Si/GaAs Grenzfläche noch immer eine Potentialbarriere existiert, die jedoch klein genug ist, um bei Raumtemperatur von den Elektronen mit Hilfe ihrer thermischen Energie überwunden zu werden. In der Literatur wurden nach dem Wissen der Autorin nie zuvor

-0.4 -0.2 0.0 0.2 0.4

-10 -5 0 5 10

Si/GaAs Bond #188 Kennlinie gemessen bei:

+25 °C -50 °C -100 °C Referenz-Kennlinie:

Si + GaAs Wafer mit Metallkontakten

Stromdichte [A/cm²]

Spannung [V]

Entwicklung des Si/GaAs Wafer‐Bonds 88

Si/GaAs Wafer‐Bonds demonstriert, die bei Raumtemperatur einen so geringen Grenzflächenwiderstand besitzen. Hydrophobe Si/GaAs Bonds, die beispielsweise von Zhou et al. [156] nach nasschemischer Oxidentfernung initiiert wurden und folglich keine FAB induzierten Defekte besaßen, weisen im Vergleich einen über Faktor 10 höheren Widerstand auf. Aus diesem Grund ist der hier erzielte Si/GaAs Grenzflächenwiderstand von ca. 3.6×10^‐3 Ωcm² ein Highlight dieser Dissertation.

4.7 Zusammenfassung und Ausblick der Si/GaAs