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Aufbau, Eigenschaften & Verwendung Diode

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Academic year: 2022

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Diode

Aufbau, Eigenschaften & Verwendung

(2)

Inhaltsverzeichnis

• Aufbau

• Eigenschaften & Verwendung

• Einsatz im Projektlabor

Tschernitschek

2

(3)

Schaltzeichen & Ersatzschaltbild

Tschernitschek

3

(4)

Tschernitschek

http://www.projektlabor.tu-berlin.de/fileadmin/fg52/onlinekurs/

fehlersuche/diode.jpg

4

(5)

Anwendungsgebiete

• Gleichrichter

• Verpolungsschutz

• Spannungsstabilisierung (Zener-Diode)

• Abstimmung von Schwingkreisen (Kapazitätsdiode)

• Erzeugung sichtbares Licht (LED)

Tschernitschek

5

(6)

Aufbau

• zwei unterschiedliche Dotierungszonen (p- & n-Gebiet), deren Enden mit metallischen Kontakten versehen sind

Tschernitschek

6

(7)

Aufbau

Tschernitschek

7

(8)

Aufbau

Tschernitschek

8

(9)

v

Tschernitschek

9

(10)

Hydraulisches Äquivalent

Tschernitschek

10

(11)

Diodenkennlinie

• Herleitung idealisierte Kennlinie:

Tschernitschek

11

(12)

Tschernitschek

12

(13)

Tschernitschek

13

(14)

Tschernitschek

14

(15)

Tschernitschek

15

(16)

Tschernitschek

16

(≈ 5-500nA)

(17)

Tschernitschek

Arbeitsbereich

17

(18)

Tschernitschek

Temperaturabhängigkeit der Kennlinie

18

(19)

Schaltungen mit Dioden

• Einweggleichrichter:

Tschernitschek

19

(20)

Tschernitschek

20

(21)

Schaltungen mit Dioden

• Brückengleichrichter (Graetz-Schaltung):

Tschernitschek

21

(22)

Tschernitschek

D1 und D4 leiten,

D3 und D2 sperren

D3 und D2 leiten,

D1 und D4 sperren

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(23)

Schaltungen mit Dioden

• Begrenzerschaltungen :

Tschernitschek

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(24)

Schaltungen mit Dioden

• LED :

Tschernitschek

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(25)

Quellenverzeichnis

• Albach: Grundlagen der Elektrotechnik 1, Pearson, 2011.

• Frielingsdorf, Lintermann: Elektrotechnik, Stam, 2001.

• Prof. Boit: Vorlesungsskript Halbleiterbauelemente, TU Berlin, WS 2012/2013.

• Prof. Boit: Laborskript Praktikum Grundlagen und Bauelemente, TU Berlin, 2012.

• Schmitz: Elektronik, Ventus Publishing ApS, 2011.

• Tille, Schmitt-Landsiedel: Mikroelektronik, Springer-Lehrbuch, Berlin Heidelberg, 2005.

• Tkotz et al.: Fachkunde Elektrotechnik, Europa Lehrmittel, 2006.

Tschernitschek 25

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Shockley Bedingungen

kein Spannungsabfall über den Bahngebieten

 gesamter Spannungsabfall über RLZ

 Bahngebiete widerstandslos, ideal leitend

keine Generation/Rekombination von Ladungsträgern in RLZ

 kein Verlust (in=out)

schwache Injektion

 Niveau Minoritäten trotz Injektion deutlich unter Majoritäten

abrupter pn-Übergang

 konstante Konzentration Akzeptoren /Donatoren in Bahngebieten bis zum

Übergang

keine frei beweglichen Ladungsträger in RLZ

 im TG befinden sich in RLZ nur ortsfeste, positiv geladene

Donator- ( ) und negativ Akzeptoratome ( )

Tschernitschek 26

(27)

Tschernitschek 27

(28)

Tschernitschek

 Rekombination in RLZ

 ideal

 Spannungsabfall über den Bahngebieten

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Referenzen

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