Beschleunigern (Tevatron und LHC)
V5: Teilchendetektoren an Tevatron und LHC (II)
13. November 2007
Richard Nisius (MPP M ¨ unchen) nisius@mppmu.mpg.de
TU M ¨unchen, WS 07/08, S. Bethke und R. Nisius
Vorlesungsthemen
1. Einf ¨uhrung: Stand der Teilchenphysik 16.10.07 2. Teilchenphysik: offene Fragen und Projekte 23.10.07 3. Hadronenbeschleuniger: Tevatron und LHC 30.10.07 4. Teilchendetektoren an Tevatron und LHC (I) 06.11.07 5. Teilchendetektoren an Tevatron und LHC (II) 13.11.07 6. Trigger, Datennahme und Computing 20.11.07 7. Monte Carlo Generatoren und Detektor Simulation 27.11.07 8. QCD, Jets, Strukturfunktionen 04.12.07
9. Standard Modell Tests 11.12.07
10. CP-Verletzung 18.12.07
. . .
11. Top-Quark Physik 08.01.08
12. Suche nach dem Higgs-Boson 15.01.08
13. Supersymmetrie 22.01.08
14. Andere Erweiterungen des Standard Modells 29.01.08 15. Ausblick & Zukunftsprojekte 05.02.08
Der Plan der beiden Detektorvorlesungen
Teil 1
−Einf ¨uhrung
−Gesamtkonzepte von Detektoren der Hochenergiephysik
−Spurdetektoren (allgemein)
Teil 2
−Halbleiterdetektoren
−Elektromagnetische Kalorimeter
−Hadronische Kalorimeter
−Myondetektoren
Das Prinzip des pn- ¨ Ubergangs
p+ n
−Zwei Si-Halbleiter: 1) p+dotiert, Bor,NA=1019/cm3 2) n dotiert, Phosphor,NA=1012/cm3.
p+ n
x
-xp0 xn
−Werden die Halbleiter in Kontakt gebracht entsteht ein pn- ¨Ubergang, mit n = Donator = e ¨Uberschuss, und p = Akzeptor = L ¨ocher ¨Uberschuss.
p+ n
-xp0 xn x
ρ(x)
-q NA
q ND
−Durch Diffusion gleichen sich die ¨Ubersch ¨usse aus.
Das n-Si ist positiv und das p-Si negativ geladen. Es entsteht die Raumladungszone bis sich ein Gleich- gewicht einstellt: NAxp = NDxn.
p+ n
-xp0 xn x
ρ(x)
-q NA
q ND
E(x)
−Die Ladungen erzeugen ein elektrisches Feld:
E(x) =
( −eNA
SI (x+xp) f ¨ur−xp<x<0
eND
SI(x−xn) f ¨ur 0<x<xn
p+ n
-xp0 xn x
ρ(x)
-q NA
q ND
E(x)
V(x)
−Dem entspricht ein Potentialverlauf:
V= e
SI
`NAxp2+ NDxn2´
p+ n +HV
-xp0 xn x
ρ(x)
-q NA
q ND
E(x)
V(x) −Mit einer Sperrspannung wird die Raumladungszone
von freien Ladungstr ¨agern verarmt. Der pn- ¨Ubergang kann nun zum Teilchennachweis genutzt werden.
Alle modernen Experimente nutzen Si-Detektoren.
Ein Siliziumstreifendetektor
Die Prinzipskizze
n+-Silizium p+-Aus-
lesestreifen
Metallisierung (Al)
Ausleseelektronik
Metallisierung (Al) Sperr-
spannung
ionisierendes Teilchen
- + -- -- -
++ ++ +
n-Silizium
−+
80 eh-Paare
µm
Ein ATLAS SCT Sensor
Mit Halbleiterdetektoren werden Spuren und Zerfallspunkte gemessen.
Der D0 Siliziumdetektor
Schemazeichnung des Spurdetektors
Solenoid Preshower
Fiber Tracker Silicon Tracker
η = 0 η = 1
η = 2 [m]
η = 3
–0.5 0.0
–1.5 –1.0 0.5 1.0 1.5
–0.5 0.0 0.5
1.2 m
Der Silizium Tracker
−Vier Barrellagen aus ein- und doppel- seitigen Sensoren. Unterbrochen durch Scheiben mit doppelseitigen Sensoren.
−840 k Auslesekan ¨ale.
Ein Teil des fertigen Detektors
Der D0 Siliziumdetektor l ¨auft seit 2002.
Der CDF Siliziumdetektor
Die rϕ-Ansicht
Die z-Ansicht
CDF Layer 00 SVX II ISL Totals
Layers 1 5 2 8
Length 0.9 m 0.9 m 1.9 m
Channels 13824 405504 303104 722432
Modules 48 SS 360 DS 296 DS 704
Readout Length 14.8 cm 14.5 cm 21.5 cm Inner Radius 1.35 cm 2.5 cm 20 cm 1.35 cm Outer Radius 1.65 cm 10.6 cm 28 cm 28 cm
Power ~100 W 1.4 kW 1.0 kW 1.5 kW
−Eine Besonderheit von CDF ist die Layer 00, die direkt auf der Strahlr ¨ohre angebracht ist.
Der ISL Silizium Spurdetektor Einbau in den CDF Detektor
Der CDF Siliziumdetektor l ¨auft seit 2002.
Der CMS- Siliziumstreifendetektor
Ein paar Daten
−10 Barrellagen und 2×9 Scheiben mit Streifen.
−Das sind 211 m2Silizium, mit 25000 Sensoren und 9.6 M Auslesekan ¨alen.
−3 Pixellagen.
Die Barrellage 4 Ein Teil der Endkappe Ein Teil des Barrels
Dies ist der gr ¨oßte je gebaute Siliziumdetektor.
Der ATLAS Siliziumstreifendetektor SCT
Schemazeichnung des Spurdetektors Ein paar Daten zum SCT
−Barrel: 4 Lagen.
−Endkappen: 2x9 Scheiben.
−Module: 4088, Barrel 2112, Endkappen 1976 (vier Sorten).
−Ortsaufl ¨osung: 16µm(senkrecht) und 580µm(parallel) zu den Streifen.
Ein SCT Endkappenmodul
16 cm-
6
8 cm
?
Moduldetails
−768 einseitige p+-in-n Streifen mit 50-90µm Streifenabstand (pitch).
−Doppelseitiger Hybrid mit 6 Chips pro Seite, bin ¨are Auslese.
−Befestigungspunkte mit 20µm Genauigkeit.
Am MPP M ¨unchen wurden 420 SCT Endkappenmodule gebaut.
Der Modulbau im Schnelldurchlauf
Mittleres Modul
Tr ¨agerstruktur (Spine) Thermal Pyrolytic Graphite 500µmdick, 1700 W/m/K
@
@
@ @ I
Befestigungspunkte Genauigkeit 20µm
1
@
@
@
@
@
@
@ @ R
Detektoren ca. 6x6x0.285 cm3 768 einseitige p+-in-n Streifen mit 50-90µm Streifenabstand
: XX XX
XX X X z
Hybrid
6-lagige Kupfer-Polyimid Flex auf Carbon-Substrat
H H j
Auslesechips
6 ABCD3T Chips pro Seite, bin ¨are Auslese
Fan-ins
4/Modul, Glas mit Al-Streifen 300µmdick
Außeres Modul¨ Inneres Modul
Bilder von der Modulproduktion am MPP
Der Roboter zur Ausrichtung Ausrichtung der Wafer
Parallelproduktion der Module Die Bondmaschine
Bilder von der Qualit ¨atskontrolle am MPP
Pr ¨ufung der mechanischen Pr ¨azision Messung der Dunkelstr ¨ome
Pr ¨ufung elektrischer Eigenschaften Stresstests in der Klimakammer
Von Modulen zu Scheiben
Die Vorderseite einer Scheibe Die R ¨uckseite einer Scheibe
Die Integration von SCT und TRT Barrel
Die Integration erfolgte ohne Probleme am 12.+13. Februar 2006.
Letzte Tests vor dem Einbau in ATLAS
<2000 ENC <10−4
SCT-TRT Myon
1
2
3
Einbau in ATLAS - von der Oberfl ¨achenhalle zum Zugangsschacht
Endkappe A - vom Zugangsschacht zur endg ¨ ultigen Position in ATLAS
Endkappe A - die letzten Meter
Das SCT-TRT Barrel nach dem Einbau in ATLAS
Der Einbau in ATLAS erfolgte am 23.+24. August 2006.
Mit bestrahlten Modulen auf Spurensuche am Pion-Teststrahl
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000 000 000 000 000 000 000 000 000
111 111 111 111 111 111 111 111 111
Light tight, thermally insulating box Scintillator Trigger
180 GeV pions Telescopes Telescopes
0044*K5 3030047*K5 310*0007*00970034* 0026KB 105 K5 308*
KB 104 K5 312*
- 6
z
⊥
- 6
z k
single module X residual (cm)
-0.010 -0.005 0 0.005 0.01
50 100 150 200 250
/ ndf
χ2 282.6 / 88
Constant 228.1 ± 3.927 Mean -6.422e-05 ± 2.374e-05 Sigma 0.001598 ± 1.404e-05
/ ndf
χ2 282.6 / 88
Constant 228.1 ± 3.927 Mean -6.422e-05 ± 2.374e-05 Sigma 0.001598 ± 1.404e-05
σPunkt,⊥≈16µm -0.020 -0.015 -0.01 -0.005 0 0.0054-plane fit X residual (cm)0.01 0.015 0.02 100
200 300 400 500 600
/ ndf
χ2 36.13 / 28
Constant 594.5 ± 11.18 Mean 2.781e-05 ± 1.774e-05 Sigma 0.001157 ± 1.276e-05
/ ndf
χ2 36.13 / 28
Constant 594.5 ± 11.18 Mean 2.781e-05 ± 1.774e-05 Sigma 0.001157 ± 1.276e-05
σSpur,⊥≈12µm
−Spur aus drei Modulen
⇒ >97%, zuf ¨allig<10−3
−Spur aus vier Modulen
⇒ >97%, zuf ¨allig<10−4
−Spur≈Q Punkt
Auch nach voller Dosis ist Spurmessung mit hoher Effizienz und kleiner Zufallsrate m ¨oglich.
Grenzen der Anwendung von Streifendetektoren
Trefferambiguit ¨aten
−Bei hohen Trefferdichten wird die Anzahl der L ¨osungen (p=n!) zu groß. Dadurch wird das Auffinden von Spuren sehr ineffizient.
Sekund ¨are Zerfallspunkte
−Die Aufl ¨osung der Streifendetektoren von z.B. 16µm(⊥) und 580µm(k) f ¨ur ATLAS reicht nicht aus, um sekund ¨are Zerfallspunkte effizient zu finden und pr ¨azise zu messen.
Eine pr ¨azise 2-dimensionale Information in der Sensorebene muss her.
Prinzip eines Hybrid Pixeldetektors
Die Prinzipskizze
Die Hybridisierung
−Die vertikale Verbindung der Pixel mit den Auslese- kan ¨alen der Elektronik erfolgt durch bump bonding.
−Dies erlaubt eine sehr feine Segmentierung, CMS: 150×150µm2, ATLAS: 50×400µm2und ALICE: 50×450µm2.
−Damit entsteht eine riesige Datenflut, CMS: 33 M Pixel ATLAS: 82 M Pixel und ALICE: 10 M Pixel.
Alle LHC Detektoren arbeiten mit Pixeldetektoren nahe der Strahlachse.
Der ATLAS Pixeldetektor - vom Plan zur Realit ¨at
Ein Pixelmodul Der Detektor und eine Barrelhalbschale
Einbau des Pixeldetektor in ATLAS am 28.6.2007
Strahlensch ¨aden von Siliziumdetektoren
Teilchenfluss
0 10 20 30 40 50 60 r [cm]
1013 5 1014 5 1015 5 1016
Φeq [cm-2] total fluence Φeqtotal fluence Φeq
neutrons Φeq pions Φeq other charged SUPER - LHC (5 years, 2500 fb-1)
hadrons Φeq ATLAS SCT - barrel ATLAS Pixel
Pixel (?) Ministrip (?) Macropixel (?)
(microstrip detectors)
[M.Moll, simplified, scaled from ATLAS TDR]
Verarmungsspannung
1014 10
3
µm
Effective Doping Concentration Effective Doping Concentration 10
m-3] zed to 100 µ
1013
Neff (t0) [cm 102
V] normaliz
n-EPI-ST, 72 µm n-EPI-ST, 72 µm n-EPI-DO, 72 µm n-EPI-DO, 72 µm
1012
N
101 Vfd (t0)[V FZ, 50 µm FZ, 50 µm FZ, 100 µm FZ, 100 µm MCz-IP, 100 µm MCz-IP, 100 µm MCz-DI, 100 µm MCz-DI, 100 µm p-EPI-ST, 50 µm p-EPI-ST, 50 µm
1013 1014 1015 1016
Φeq [cm-2]
Kristallsch ¨aden durch nicht ionisierenden Energieverlust (NIEL)
−Anderung der effektiven Dotierung¨ ⇒Erh ¨ohte Verarmungssp. oder partielle Verarmung.
−Ansteigen der Leckstr ¨ome⇒Erh ¨ohtes Rauschen und Gefahr des thermischen Kollaps.
Ladungssammlung
n-in-p (sSCT?)
100%
75%
40%
−Erh ¨ohtes Einfangen der Ladung⇒Verlust von Teilen der Signalladungen.
Oberfl ¨achensch ¨adigung durch ionisierenden Energieverlust (IEL)
−Ansammlung positiver Ladungen im SiO2und in der SiO2Grenzfl ¨ache⇒Erh ¨ohte Zwischenstreifen-Kapazit ¨at (erh ¨ohtes Rauschen) und ge ¨andertes Durchbruchsverhalten.
Das Signal zu Rauschverh ¨altnis ist die wichtigste Qualit ¨atsgr ¨oße.
Elektronen in Materie
Relativer Energieverlust pro Strahlungsl ¨ange
Bremsstrahlung Lead (Z = 82) Positrons
Electrons
Ionization Møller (e−)
Bhabha (e+) Positron annihilation 1.0
0.5
0.20
0.15
0.10
0.05 (cm2g−1)
E (MeV) 01
10 100 1000
1 E−dE dx(X0−1)
−Zus ¨atzlich zu Ionisation und Bremsstrahlung gibt es noch Streuung an den e−des Materials, Møller und Bhabha Streuung f ¨ur e−und e+.
−Die Abschw ¨achung: E =E0e
−x
X0 wird durch die Strahlungsl ¨ange X0parametrisiert, empirisch: X0= 716.4 A
Z(1+Z)ln(287/√ Z)
g cm2 ∝ A
Z2
8
<
: Pb :
Z =82,A=207.2molg , ρ=11.3 g
cm3
⇒X0=b0.56cmf ¨ur Blei Die Kritische Energie
h
Ec≡“
dE dx
”
ion=
“dE dx
”
brems
Ec (MeV)
Z
1 2 5 10 20 50 100
5 10 20 50 100 200 400
610 MeV________
Z + 1.24
710 MeV________
Z + 0.92
Solids Gases
H He Li Be B C NO Ne Fe Sn
Ec ≈5−300MeV
Die Wechselwirkungen der Elektronen resultieren in elektromagnetischen Schauern.
Photonen in Materie
Photon Energy 1 Mb
1 kb
1 b
10 mb
10 eV 1 keV 1 MeV 1 GeV 100 GeV
(b) Lead (Z = 82) - experimental σ
tot σp.e.
κe
Cross section (barns/atom)Cross section (barns/atom)
10 mb 1 b 1 kb 1 Mb
(a) Carbon (Z = 6)
σRayleigh
σg.d.r.
σCompton
σCompton σRayleigh
κnuc
κnuc κe σp.e.
- experimental σtot
A=12.01molg X0=43 g
cm2
A=207.2molg X0=6.4 g
cm2
Die Haupteffekte
−Der Photoelektrische Effekt,σp.e..
−Die koh ¨arente Streuung,σRayleigh.
−Die Compton Streuung,γe−→γe−,σCompton.
−Die Paarerzeugung (PE),γ→e+e−, im Feld der Nukleonen / Elektronen,κnuc/e.
−X0= 79der mittleren freien Wegl ¨ange f ¨ur PE.
Die Paar-Produktion
0 0.25 0.5 0.75 1
0 0.25 0.50 0.75 1.00
x = E/k Pair production
(X0NA/A) dσLPM/dx
1 TeV 10 TeV 100 TeV
1 PeV 10 PeV
1 EeV
100 PeV
dσ dx = XA
0NA
h
1− 43x(1−x)) i
⇒ σ= 79XA
0NA
0.36b f ¨ur C 41.8b f ¨ur Pb
Elektromagnetische Kalorimeter - die Grundlagen
−EGS4 Simulation, Ecut=1.5MeV.
0.000 0.025 0.050 0.075 0.100 0.125
0 20 40 60 80 100
(1/E0)dE/dt
t = depth in radiation lengths
Number crossing plane
30 GeV electron incident on iron
Energy
Photons
× 1/6.8 Electrons
0 5 10 15 20
Die Schauerentwicklung
−Ansteigen der Teilchendichte solange Energie gr ¨oßer Ec, danach Abfallen durch Absorption.
−Schauertiefe:
tmax= xmaxX
0 =lnEE
c ±0.5
+ f ¨urγ
− f ¨ur e
−98% der Energie ist in x<2.5 xmax.
−Die Schauerbreite entsteht durch Vielfachstreuung.
−Moli `ere Radius: RM= 21EMeV
c X0
h g cm2
i
−95% der Energie wird in R<2RM
deponiert.
Beispiel: SiW Kalorimeter, E=100GeV X0(g/cm2) X0/ρ(cm) Ec(MeV)
W 6.8 0.35 8.0
Si 22 9.4 39
1:1 14.4 4.9
−E/Ec =4·103
−xmax=7.9 X0 ⇒ L≈110cm
− RM ≈ 3cm ⇒ BxH≈10x10cm2 Ein sehr kompaktes Kalorimeter.
Verschiedene Konzepte f ¨ ur elektromagnetische Kalorimeter
Total absorbierende Kalorimeter Sampling Kalorimeter
−Material zum Aufschauern und Detektieren:
−Gemessenes Signal:
−Verluste in inaktiven Material:
−Information ¨uber longitudinales Schauerprofil:
−Aufl ¨osung f ¨ur d=25 X0mit E inGeV:
Statistik⊗Rauschen⊗Inhomogenit ¨aten der Kalibration
gleich verschieden Licht Licht oder Ionisation
nein ja
nein ja
PbWO4(CMS): ddEσ = 3.2%√
E ⊗ 20%E ⊗0.5%
LAr/Pb (ATLAS):ddEσ = 10%√
E ⊗30%
E ⊗0.4%
Total absorbierende Kalorimeter haben die bessere Aufl ¨osung.