Wie erl¨autert ist eine weitere Steigerung des Wirkungsgrads der Zellen von einer Reduzierung der Gr¨oße der Kontaktpads zu erwarten. Beim bislang verwende-ten Zelldesign erstreckverwende-ten sich diese ¨uber die gesamte L¨ange der Zellen, was ihre Verschaltung etwas erleichtert. W¨urden diese großz¨ugig dimensionierten Kontakt-pads durch kleinere ersetzt, w¨are mit einer Steigerung des Wirkungsgrads um bis zu 0.1 % absolut zu rechnen.
Dar¨uber hinaus w¨are eine weitere Optimierung des Frontkontaktgittes und der Anordnung der externen Kontakte m¨oglich. Limitierend dabei ist jedoch die Ge-nauigkeit bei der Positionierung der Kontakte, die mit dem Siebdruck erreichbar ist. Die I-V-Kennlinien, die von einer speziellen Kontaktgeometrie zu erwarten sind, k¨onnen mit Hilfe des erweiterten Zwei-Dioden-Modells berechnet werden.
Des weiteren ist eine Steigerung des Wirkungsgrad der MWT-Zellen durch die selben Ans¨atze, die auch f¨ur konventionelle Solarzellen mit siebgedruckter Me-talliserung verfolgt werden, zu erwarten - beispielsweise einer Verbesserung der Oberfl¨achenpassivierung oder des Frontkontakts. Die ¨Ubertragbarkeit von Ent-wicklungen, die f¨ur konventionelle Solarzellen erfolgen, auf MWT-Zellen stellt einen der wesentlichen Vorz¨uge dieses Konzepts im Vergleich zu anderen R¨ uck-kontaktkonzepten dar. Eine direkt anwendbare Verbesserung ist von optimierten, kommerziell erh¨altlichen Aluminium-Pasten f¨ur den Basiskontakt zu erwarten.
Kapitel 6
MWT-Zellen mit stromloser Metallisierung
In Kapitel 3 und 5 wurde ausf¨uhrlich auf den Herstellungsprozess und die Resul-tate von MWT-Zellen eingegangen, die mittels Siebdruck metallisiert wurden. In diesem Kapitel soll auf eine alternative Metallisierung eingegangen werden, bei der die Kontakte mittels stromloser Metallabscheidung hergestellt werden. Diese Art die Kontakte von Solarzellen herzustellen, wird industriell von BP-Solar ein-gesetzt.
6.1 Herstellungsprozess
Die hier verwendete Herstellungssequenz f¨ur MWT-Solarzellen baut auf dem von Jooßet al. [102] vorgeschlagenen Prozess f¨ur konventionelle multi-kristalline So-larzellen mit stromloser Metallisierung auf. Im Vergleich zu einem fr¨uher ver-wendeten Prozess f¨ur stromlos metallisierte MWT-Solarzellen [39] wurde insbe-sondere die Passivierung der R¨uckseite verbessert. Bei dem hier verwendeten Prozess wird siebgedruckte Aluminiumpaste gefeuert, um ein Aluminium Back-Surface-Field (Al-BSF) herzustellen, w¨ahrend beim urspr¨ungliche Prozess das BSF w¨ahrend einer Co-Diffusion aus aufgedampften Aluminium gebildet wurde.
Generell sind die Herstellungsprozesse f¨ur R¨uckkontaktsolarzellen mit stromloser Metallisierung denen konventioneller Zellen sehr ¨ahnlich (siehe Abbildung 6.1).
Der Grund daf¨ur ist, dass die Metallkontakte beider Polarit¨aten gleichzeitig in chemischen B¨adern abgeschieden werden. Dabei lagert sich Metall auf katalytisch wirkenden Oberfl¨achen unabh¨angig von deren geometrischer Anordnung ab.
Die Prozesssequenz folgt im wesentlichen der f¨ur die Herstellung von konven-tionellen Zellen mit stromloser Metallisierung (siehe Abschnitt 1.1.3). Zus¨atzlich muss nur eine relativ geringe Anzahl von L¨ochern (eines pro Schnittpunkt zwi-schen Busbar und Finger) in den Wafer eingebracht werden. Prinzipiell k¨onnen
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Abbildung 6.1: Prozessfluss zur Herstellung von MWT-Zellen mit stromloser Metal-lisierung. Der einzige zus¨atzliche Prozessschritt zur Herstellung von MWT-Solarzellen anstatt von konventionellen Zellen, ist das Bohren einer geringen Anzahl von L¨ochern.
6.1. HERSTELLUNGSPROZESS 91 die L¨ocher mit dem selben Laser gebohrt werden, mit dem auch die Gr¨aben f¨ur den Frontkontakt geschnitten werden. In diesem Fall ist die Positionierung der L¨ocher relativ zum Frontkontakt besonders einfach. Bei den hier aufgef¨uhrten Zellen wurde der Frontkontakt jedoch mit einer Chips¨age erzeugt, nachdem die L¨ocher mit einem Nd:YAG-Laser (λ = 1064 nm) gebohrt wurden. Die Ausrich-tung des Kontaktgitters an den Lochpositionen funktioniert im Labormassstab sehr zuverl¨assig.
Die normalerweise von der Photovoltaik-Abteilung der Universit¨at Konstanz ver-wendete Metallisierung besteht aus einer d¨unnen, ca. 100nmdicken Nickelschicht auf die ca. 7-10µmKupfer plattiert wird. Auf der Zellvorderseite werden die Kon-takte in Gr¨aben gebildet, so dass hier die Metallkontakte aufgrund der Geometrie eine ausreichende mechanische Stabilit¨at haben. Auf der Zellr¨uckseite, außerhalb der Busbarregion, befindet sich das zur¨uckge¨atzte Aluminium-BSF auf dem sich das Metall ebenfalls mit ausreichender Adh¨asion ablagert. Bei der Prozessierung von ersten Zellen stellte sich heraus, dass die Adh¨asion des so stromlos abgeschie-denen Metalls in der Busbarregion nicht ausreichend ist. Die Emitterbusbarregion hat eine unstrukturierte, relativ glatte Oberfl¨ache1. Oft kommt es in der Busbar-region zur Bildung von Blasen oder das Metall l¨ost sich als Folie am Ende des Prozesses vom Silizium ab. Es ist bekannt, dass sich die Adh¨asion durch Sintern des Nickels verbessern l¨asst [103]. Auch bei den industriell hergestellten Solarzel-len wird das Nickel gesintert.
Die haupts¨achliche technologische Schwierigkeit bei der Metallisierung besteht darin, eine homogene Nickelschicht stromlos abzuscheiden. F¨ur die Nickelabschei-dung wird ein kommerziell erh¨altliches, alkalisches Bad der Firma Shipley ver-wendet. Insbesondere in der Region des Emitterbusbars wird mit dieser L¨osung stellenweise kein Nickel abgeschieden oder das Nickel l¨ost sich als Folie lokal wieder vom Silizium. Eine deutlich homogenere Abscheidung des Nickels kann mit einer optimierten Abscheidesequenz erreicht werden. Bei dieser wird die Si-liziumoberfl¨ache vor der eigentlichen Abscheidung im Nickelbad aktiviert. Dazu werden die Wafer f¨ur kurze Zeit (ca. 15-30 sec) ins Nickelbad gedippt, ohne dass eine Metallabscheidung stattfindet. Diese w¨are durch Gasbildung im Nickelbad zu erkennen. Unklar ist wodurch dabei die Siliziumoberfl¨ache aktiviert wird. Dass eine Ver¨anderung der Oberfl¨ache statt gefunden haben muss, ist daran zu erken-nen, dass die Wafer nach einer Reinigung in niedrig konzentrierter HF nicht mehr vollst¨andig hydrophob werden. Die Adh¨asion der homogeneren Nickelschicht, die nach der Aktivierung bei der stromlosen Abscheidung entsteht, kann dann mit dem Sinterschritt verbessert werden.
Am Ende des Herstellungsprozesses muss der pn- ¨Ubergang nicht nur an der Zell-kante, sondern auch zwischen Emitterbusbar und Basiskontakt getrennt werden.
Diese Isolation wurde durch Trennschnitte mit einer Chips¨age realisiert.
1Der Laser- bzw. S¨ageschaden wird gew¨ohnlich in einer NaOH-L¨osung bei 80◦C ge¨atzt. Die Oberfl¨achenrauhigkeit wird durch diesen ¨Atzschritt bestimmt.
Zellfl¨ache Jsc Voc FF η [cm2] [mA/cm2] [mV] [%] [%]
143.5 36.1 631 74.4 16.9
Tabelle 6.1: I-V-Parameter der besten MWT-Zelle (1ΩcmCz-Si), die mit stromloser Metallisierung hergestellt wurde.
6.2 Zellergebnisse
Mit dem in Abschnitt 6.1 beschriebenen Prozess wurden MWT-Zellen aus ca.
1 ΩcmCz-Si im semi-square 12.5×12.5cm2 Format hergestellt. Da die Isolation der Busbars von der Basisregion mit einer Chips¨age erfolgen musste, waren nur sehr einfache Anordnungen der externen Kontakte m¨oglich. Es wurde deshalb ein Kontaktdesign gew¨ahlt, bei dem die Busbars sich ¨uber die gesamte L¨ange der Zelle erstreckten (siehe Abbildung 4.8a). Die Breite der Busbarregion konnte mit 3 mm vergleichsweise schmal gew¨ahlt werden, so dass sich zusammen mit dem niedrigen spezifischen Widerstand des Substrats ein relativ kleiner Serienwider-standsbeitrag der Basis in der Busbarregion von weniger als 0.3 Ωcm2 ergibt.
Die Busbars der Zellen waren bei der I-V-Messung mit Verbindern versehen, die auf einer Seite ¨uber die Zellfl¨ache hinausragten. Somit war es einfach m¨oglich, den Emitterkontakt mit Messspitzen abzugreifen. Allerdings entspricht diese Art der Messung nicht den Standardbedingungen, weil hier der Serienwiderstand in den Verbindern mit gemessen wird. Normalerweise wird dies vermieden.
DieI-V-Parameter der besten MWT-Solarzelle, die mit stomloser Metallisierung hergestellt wurde, sind in Tabelle 6.1 aufgelistet. Die Kurzschlussstromdichte von 36.1 mA/cm2 ist etwas niedriger als durch den Aufbau mit selektivem Emitter und den schmalen, versenkten Kontakten zu erwarten w¨are. Die Messung der externen Quantenausbeute parallel prozessierter MWT-Zellen zeigt ein relativ schlechtes Verhalten im kurzwelligen Spektralbereich (λ < 600 nm). Ursache daf¨ur ist wahrscheinlich, dass die Passivierung der Oberfl¨ache nicht optimal funk-tioniert hat. Bei guter Passivierung durch ein mittels LPCVD erzeugtes Silizium-nitrid und einer gut texturierten Zellvorderseite k¨onnte der Kurzschlussstrom um ca. 1mA/cm2 verbessert werden. Eine verbesserte Passivierung w¨urde sich eben-falls auf die schon gute offene Klemmenspannung von 631mV positiv auswirken.
Der F¨ullfaktor von 74.4 % wird, bedingt durch den Messaufbau etwas zu niedrig gemessen. Simuliert man die Kennlinie der Zelle ohne den Serienwiderstand der Busbars, so ergibt sich ein F¨ullfaktor von etwa 76.0 %. Dieser wird weder durch den Serienwiderstand (Rserie ≈ 0.6 Ωcm2) noch durch den Parallelwiderstand (Rparallel >3000 Ωcm2), sondern durch den Verlauf der Kennlinie zwischen 0.2 V und 0.5 V verursacht.
Der gute Serienwiderstand der Zellen liefert einen Hinweis darauf, dass die Metal-lisierung der L¨ocher sehr zuverl¨assig funktioniert. Stichprobenartige Messungen
6.3. ZUSAMMENFASSUNG 93 ergeben Widerst¨ande unter 5mΩ pro Loch.
Der ung¨unstige Verlauf der Kennlinie zwischen 0.2 V und 0.5 V, dem Bereich der zweiten Diode, kann mehrere Ursachen haben: Einerseits bewirkt die Zell-geometrie hier einen ungew¨ohnlichen Verlauf der Kennlinie (siehe Kapitel 4), andererseits erh¨oht der durch die Isolation der Busbars verl¨angerte pn- ¨ Uber-gang die zweite Diode, was sich sowohl auf den Idealit¨atsfaktor n2 als auch den Diodens¨attigungsstrom J02 auswirken kann. Die Hauptursache ist jedoch wahr-scheinlich, die Bildung von Nickelsilizid-Spikes w¨ahrend des Sinterns des Nickels.
Es ist anzunehmen, dass sich durch eine weitere Optimierung der Nickelabschei-dung und der Sinterparameter der F¨ullfaktor nochmals erheblich auf ¨uber 77 % (gemessen ohne den Serienwiderstand der Busbars) verbessern ließe.
Im Vergleich zu den siebgedruckten MWT-Solarzellen zeigen die stromlos metal-lisierten Zellen eine wesentlich h¨ohere offene Klemmenspannung Voc. Diese Ver-besserung ist in diesem Fall, da die Passivierung der Zellvorderseite der stromlos metallisierten Zellen nicht optimal funktioniert hat, fast ausschließlich darauf zur¨uckzuf¨uhren, dass Substrate mit unterschiedlicher Dotierung verwendet wur-den.
6.3 Zusammenfassung
Es wurde gezeigt, dass das MWT-Konzept mit stromloser Metallisierung prin-zipiell umsetzbar ist. Einer der Hauptvorteile des MWT-Konzepts ergibt sich erst bei großen Zellfl¨achen, da dort hohe Str¨ome generiert werden, die in breiten Verbindern verlustarm abgef¨uhrt werden k¨onnen. Konventionelle Solarzellen, die industriell mit stromloser Metallisierung hergestellt werden, haben bisher jedoch relativ kleine Zellfl¨achen (12.5×12.5 cm2, semi-square), so dass hier das MWT-Konzept weniger attraktiv ist.
Technologisch muss der f¨ur konventionelle Zellen verwendete Herstellungsprozess nur sehr wenig angepasst werden. Hier stellt die Abscheidung mechanisch stabiler Kontakte die gr¨oßte Herausforderung dar.
Eine sehr elegante Prozessf¨uhrung w¨are m¨oglich, wenn eine siebdruckbare Dif-fusionsbarrierenpaste zur Trennung der Emitterbusbars verwendet w¨urde. Diese Paste wurde schon erfolgreich zur Herstellung von EWT-Zellen mit siebgedruck-ten Kontaksiebgedruck-ten verwendet. Bei der Herstellung von MWT-Zellen mit stromloser Metallabscheidung m¨usste die Paste vor der zweiten Diffusion auf die Zellr¨ uck-seite gedruckt werden. Sp¨ater im Prozess k¨onnte sie dann die Metallabscheidung maskieren. Bei ersten Experimenten schied sich jedoch teilweise auch Metall auf der Diffusionsbarrierenpaste ab, so dass die Zellen kurzgeschlossen waren. Ur-sache daf¨ur waren wahrscheinlich Risse, die sich in der Paste gebildet hatten.
Diese k¨onnten aber m¨oglicherweise durch eine Anpassung der Prozessparameter vermieden werden.
Eine alternative Methode zur Trennung der p- und n-Region ist auch deshalb notwendig um anspruchsvollere Kontaktgeometrien (siehe Abbildung 4.8) reali-sieren zu k¨onnen. Deren potentieller Wirkungsgrad kann anhand des Modells aus Kapitel 4 berechnet werden und so eine optimale Kontaktgeometrie f¨ur stromlos metallisierte Zellen gefunden werden.
Zusammenfassung
Ziel dieser Arbeit war die Entwicklung einer kristallinen Silizium R¨ uckkontaktso-larzelle. Das Zellkonzept sollte prim¨ar f¨ur monokristalline, großfl¨achige Substrate geeignet sein. Zur Herstellung der Zellen sollte ein industriell umsetzbarer Pro-zess verwendet werden.
In der Vergangenheit wurde eine große Zahl von R¨uckkontaktzellkonzepten
ver-¨offentlicht. In einem ¨Uberblick wurden deren Vor- und Nachteile bez¨uglich der geplanten Anwendung erl¨autert. Das Interdigitated Back Contact (IBC) [33], das Metallisation Wrap Around (MWA) [37] und das Emitter Wrap Through (EWT) [56] Konzept sind bei gegebenen Rahmenbedingungen weniger geeignet als das Metallisation Wrap Through (MWT) [51] Konzept. Im Rahmen dieser Arbeit wurden sowohl MWA als auch EWT-Zellen hergestellt, jedoch wurde mit dem MWA Konzept mit Dickfilm-Metallisierung ein nicht befriedigender Wirkungs-grad von 15.7 % (10×10cm2, Cz-Si) erreicht. EWT-Solarzellen erreichten gute Wirkungsgrade von bis zu 16.8 % (10×10cm2)1. Beide Zellkonzepte sind aber nur schwer auf großfl¨achige Substrate ¨ubertragbar. Daher wurde der Schwerpunkt der Arbeit der Untersuchung des Metallisation Wrap Through Konzepts und dessen Herstellungsprozess gewidmet.
Der Aufbau des Zellkonzepts gleicht dem von konventionellen Solarzellen, bei denen ein einsammelnder Emitter auf der Zellvorderseite durch ein Fingergitter kontaktiert wird. Lediglich die Busbars werden auf die R¨uckseite der Zelle verlegt.
Die Verbindung zwischen Kontaktfingern auf der Zellvorderseite und den Busbars auf der Zellr¨uckseite wird durch eine relativ geringe Zahl (weniger als 1 Loch pro cm2) von L¨ochern in der Zellfl¨ache hergestellt. Neben einem h¨oheren Wirkungs-grad auf Zellebene durch den Gewinn an aktiver Zellfl¨ache durch die Verlegung der Busbars bietet dieses Zellkonzept vor allem Vorteile bei der Verschaltung der Zellen zu Modulen. W¨ahrend der Wirkungsgrad einer konventionellen 15×15cm2 großen Zelle im Modul etwa 0.3 % absolut unter dem bei Standardbedingungen gemessenen liegt, gewinnt eine MWT-Zelle bei angepasster Modulbautechnologie 0.2 % absolut [53]. Der Gewinn bei den MWT-Zellen beruht auf der verbesserten Lichteinkopplung bei verkapselten Zellen. Dieser wird bei konventionellen Zellen
1Die Zelle wurde in Zusammenarbeit mit SCHOTT Solar GmbH hergestellt.
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durch Serienwiderstandsverluste in den Verbindern, mit denen die Zellen in Serie geschaltet werden, ¨uberkompensiert.
Zur Herstellung von MWT-Solarzellen wurde der in der Industrie dominieren-de, sehr robuste Prozess mit Dickfilm-Metallisierung gew¨ahlt. Im Vergleich zum Prozess, der zur Herstellung konventioneller Zellen verwendet wird, muss er f¨ur MWT-Zellen an verschiedenen Stellen angepasst werden. Einen zus¨atzlichen Pro-zessschritt stellt die Erzeugung der Verbindungsl¨ocher dar. Diese werden mit Hilfe von Lasern in die Zellfl¨ache gebohrt. Dabei entsteht ein Kristallschaden in der Umgebung der L¨ocher. Dieser Schaden wurde optisch und mit Hilfe von ortsauf-gel¨osten µPCD-Lebensdauermessungen untersucht. Die optische Analyse ergibt, dass bei den verwendeten Lasern der laserinduzierte Schaden ¨uber 10µmtief ist.
Mit den ortsaufgel¨osten µPCD-Lebensdauermessungen konnte ermittelt werden, wie lange die Wafer ge¨atzt werden m¨ussen, um den Kristallschaden in den L¨ochern vollst¨andig zu entfernen. Weitere Anpassungen der Prozesssequenz sind bei der Metallisierung der Wafer notwendig. Der zur Metallisierung verwendete Sieb-druckprozess muss so angepasst werden, dass die Verbindungsl¨ocher zuverl¨assig metallisiert werden, damit ein guter elektrischer Kontakt zwischen Vorder-und R¨uckseite entsteht. Mit dem angepassten Prozess metallisierte L¨ocher haben einen vernachl¨assigbaren Serienwiderstand von ca. 15 mΩ. Eine weitere Herausforde-rung stellt die Identifikation einer geeigneten Silberpaste zur MetallisieHerausforde-rung der Busbars von MWT-Solarzellen dar. Normale Silberpasten neigen hier zur Bil-dung von Kurzschl¨ussen, so dass Pasten gefunden werden m¨ussen, die tr¨age bei der Kontaktbildung sind. Es konnte gezeigt werden, dass f¨ur die Metallisierung der Busbars Silberpasten mit niedrigem Glaspulveranteil besonders geeignet sind.
Auch mit dem angepassten und optimierten Prozess hergestellte MWT-Solar-zellen weisen ungew¨ohnliche I-V-Kennlinien auf, die nicht mit dem einfachen Dioden-Modell beschreibbar sind. Eine Berechnung der Parameter des Zwei-Dioden-Modells in der Busbarregion zeigt, dass diese dort erheblich von denen in der restlichen, konventionell aufgebauten Zelle abweichen. Insbesondere ein hoher Serienwiderstand in der Busbarregion macht es notwendig, die elektrischen Ei-genschaften von MWT-Zellen als eine Parallelschaltung der Busbarregion und des konventionell aufgebauten Teils der Zelle zu beschreiben. Nachdem dieses Modell experimentell ¨uberpr¨uft wurde, wurden mit ihm die Wirkungsgrade von MWT-Solarzellen mit verschiedenen Kontaktgeometrien berechnet. Ziel dabei war es, eine Anordnung der Kontakte zu finden, die mit herk¨ommlicher Technologie ver-schaltbar ist und eine Verbesserung des Wirkungsgrads im Vergleich zu konven-tionellen Zellen verspricht. Beide Bedingungen erf¨ullt ein Design, das ¨ahnlich dem schon bekannten PUM-Konzept [98] ist.
Der angepasste Herstellungsprozess wurde dazu verwendet eine gr¨oßere Charge von 83 monokristallinen MWT-Zellen mit der optimierten Kontaktgeometrie
her-ZUSAMMENFASSUNG 97 zustellen2. Dabei wurde ein f¨ur die Zellgr¨oße (semi-square 15.6×15.6 cm2) sehr guter mittlerer Wirkungsgrad von 16.2 % erreicht. Durch Trennen des pn- ¨ Uber-gangs an der Zellkante von der Zellvorderseite anstatt von der R¨uckseite konnte der Wirkungsgrad weiter verbessert werden, so dass die beste MWT-Solarzelle einen Wirkungsgrad von 16.7 % erreichte. Ein Vergleich mit konventionellen Re-ferenzzellen zeigte, dass bei der bestehenden Kontaktgeometrie die Fl¨ache der Basiskontaktpads reduziert werden sollte. Dies w¨urde es dar¨uber hinaus erlau-ben, den Prozess weiter zu vereinfachen, indem die Basiskontaktpads mit der Silberpaste, die auch f¨ur die Emitterbusbars verwendet wird, anstatt mit AgAl-Paste zu metallisieren.
Der f¨ur monokristalline Substrate verwendete Herstellungsprozess beinhaltet kei-ne Prozessschritte mit sehr hohen Temperaturen, welche die Lebensdauer der Mi-norit¨atsladungstr¨ager in multikristallinem Silizium degradieren k¨onnten. Prinzi-piell sollte er daher auch zur Herstellung multikristalliner MWT-Solarzellen geeig-net sein. Um dies zu ¨uberpr¨ufen wurden auch multikristalline MWT-Solarzellen hergestellt. Die beste Zelle erreichte dabei einen Wirkungsgrad von 15.4 %, was die grunds¨atzliche Eignung des Prozesses zeigt.
Am Ende der Arbeit wurde auf eine alternative Methode zur Herstellung der Metallkontakte eingegangen: Die stromlosen Metallabscheidung. Bei diesem Pro-zess bestand die Herausforderung darin, mechanisch stabile Kontakte mit guten elektrischen Eigenschaften herzustellen. Die beste MWT-Solarzelle mit stromlos metallisierten Kontakten erreichte einen Wirkungsgrad von 16.9 % (143.5 cm2, Cz-Si) was die prinzipielle Eignung der stromlosen Metallisierung f¨ur das Zell-konzept unterstreicht.
Im Rahmen dieser Arbeit wurden L¨osungen f¨ur die spezifischen, prozesstechni-schen Herausforderungen bei Herstellung von MWT-Solarzellen entwickelt. Da-r¨uber hinaus erm¨oglicht ein angepasstes Zwei-Dioden-Modell die Beschreibung der elektrischen Eigenschaften der MWT-Solarzellen und somit eine Optimierung der Kontaktgeometrie. Dadurch konnten MWT-Solarzellen mit hohen Wirkungs-graden hergestellt werden.
2Diese Zellen wurden im Rahmen des Prokon-Unterauftrags in Kooperation mit der Sunways AG hergestellt.
Anhang
Folgende Parameter wurden zur Berechnung der I-V-Parameter der verschiede-nen Solarzellen in Abschnitt 4.3 verwendet:
Fingerleitf¨ahigkeit: 300 mΩ/cm
Fingerbreite: 120 µm
Kontaktwiderstand zum Emitter: 5mΩcm2
Fingerabstand: 2.5 mm
Schichtwiderstand des Emitters: 50 Ω/sq Widerstand durch ein Verbindungsloch: 20mΩ
Zelldicke: 270 µm
Basiswiderstand: 3 Ωcm
Schichtwiderstand des Basiskontakts: 5mΩ/sq Leitf¨ahigkeit der Verbinder: 0.5 mΩ/cm
Beim PUM-Design wurde vorrausgesetzt, dass mehrere Verbindungsl¨ocher pro Kontaktinsel existieren. F¨ur die Kurzschlussstomdichte im Bereich der Zellfl¨ache ohne Busbars wurdeJsc = 35.1 mA/cm2 angenommen.
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