5 Herstellung sperrender, lokal definierter pn-Strukturen
7.3 Liste der Symbole
Symbol Einheit Bezeichnung
Azelle cm² Zellfläche
∆n, ∆p cm-3 Überschußladungsträgerdichte (Elektronen, Löcher) Dit cm-2 Dichte der Grenzflächenstörstellen
Dn, Dp cm²/s Diffusionskonstante der Elektronen, Löcher E V/cm elektrische Feldstärke
EC eV Leitungsbandenergie
Ef eV Fermienergie
EV eV Valenzbandenergie
F(λ) cm-2s-1 Photonenfluß
FF % Füllfaktor
η % Wirkungsgrad
J01, J02 A/cm² Sättigungsstromdichte der 1. Diode bzw. 2. Diode J02,pn-line A/cm² Rekombinationsstrom in der RLZ an der Oberfläche JSC mA/cm² Kurzschlußstromdichte
LD µm Diffusionslänge der Minoritätsladungsträger
Lpn-line cm Länge des freiliegenden pn-Übergangs
NA cm-3 Akzeptordichte
ND cm-3 Donatordichte
Nt cm-3 Trapdichte
ni cm-3 intrinsische Ladungsträgerdichte
ORG cm/s effektive Oberflächenrekombinationsgeschwindigkeit Φe, Φe eV Quasifermieenergie der Elektronen, Löcher
Qf cm-2 Dichte der festen Oberflächenladungen Qox cm-2 Dichte der Oberflächenladungen
R % Reflexion
Rs Ωcm² Serienwiderstand
Rsh Ωcm² Parallelwiderstand (Shunt)
S0 cm/s Oberflächenrekombinationsgeschwindigkeit-Parameter σn, σn cm² Wirkungsquerschnitte der Elektronen, Löcher
τ s Lebensdauer der Minoritätsladungsträger Usurf cm-2s-1 Oberflächenrekombinationsrate
VOC mV offene Klemmspannung
ψ V elektrisches Potential
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PUBLIKATIONEN
142
9 Publikationen
Veröffentlichungen in wissenschaftlichen Zeitschriften:
R.Kühn, A.Boueke, A.Kress, P.Fath, G.Willeke, E.Bucher:
„CHARACTERIZATION OF NOVEL MONO- AND BIFACIALLY ACTIVE SEMI-TRANSPARENT CRYSTALLINE SILICON SOLAR CELLS“, IEEE Transactions of Elec-tron Devices, Vol.46, No.10, Oktober 1999, S. 2013-2017
A.Kress, R.Kühn, P.Fath, G.Willeke, E.Bucher:
„LOW COST BACK CONTACT SILICON SOLAR CELLS“, IEEE Transactions of Electron Devices, Vol.46, No.10, Oktober 1999, S. 2000-2004
A.Boueke, R.Kühn, P.Fath, G.Willeke, E.Bucher:
„LATEST RESULTS OF MONO- AND BIFACIALLY ACTIVE POWER SILICON SOLAR CELLS“, zur Veröffentlichung in Solar Energy Materials and Solar Cells akzeptiert
Konferenzbeiträge:
R. Kühn, P.Fath, M.Spiegel, G.Willeke, E.Bucher, T.M.Bruton, N.B.Mason, R.Russell :
„MULTICRYSTALLINE BURIED CONTACT SOLAR CELLS USING A NEW ELEC-TROLESS PLATING METALLIZATION SEQUENCE AND A HIGH THROUGHPUT MECHANICAL GROOVE FORMATION“, Proceedings of the 14th European PVSEC, Bar-celona (Spanien), 1997, S. 672-677
B.Terheiden, R.Kühn, C.Zechner, P.Fath, G.Willeke, E.Bucher:
„PROGRESS ON THE LOPE (LOCAL POINT CONTACT AND SHALLOW ANGLE EVAPORATION) SILICON SOLAR CELL“, Proceedings of the 26th PVSC, Anaheim (USA), 1997, S. 239-242
R.Kühn, A.Boueke, M.Wibral, M.Spiegel, P.Fath, G.Willeke, E.Bucher:
“11% SEMITRANSPARENT BIFACIALLY ACTIVE POWER CRYSTALLINE SILICON SO-LAR CELLS“, Proceedings of the 2nd world conference and exhibition on photovoltaic solar energy conversion , Wien (Österreich), 1998, S. 1415-1417
R. Kühn, A. Boueke, P. Fath, G. Willeke, E. Bucher:
“INVESTIGATION OF THE EFFECT OF PN-JUNCTIONS BORDERING ON THE SUR-FACE OF SILICON SOLAR CELLS“, Proceedings of the 2nd world conference and exhibition on photovoltaic solar energy conversion , Wien (Österreich), 1998, S. 1390-1393
A.Boueke, R.Kühn, M. Wibral, P. Fath, G. Willeke, E. Bucher:
“PROGRESS IN SEMITRANSPARENT CRYSTALLINE SILICON SOLAR CELLS“, Procee-dings of the 2nd world conference and exhibition on photovoltaic solar energy conversion , Wien (Österreich), 1998, S. 1709-1712
PUBLIKATIONEN 143
A.Boueke, R.Kühn, P.Fath, G.Willeke, E.Bucher:
„LATEST RESULTS OF MONO- AND BIFACIALLY ACTIVE POWER SILICON SOLAR CELLS“, Technical Digest of the 11th International Photovoltaic Science and Engineering Conference, Sapporo, Japan, September 1999, S. 135 - 136
P.Fath, R.Kühn, A.Boueke, H.Nussbaumer, R.Burkhardt, E.Bucher:
„SEMITRANSPARENT POWER SOLAR CELLS: OVERVIEW AND LATEST RESULTS“, Proc. of the 16th European PVSEC, Glasgow, United Kingdom, Mai 2000, im Druck
K.Faika, R.Kühn, P.Fath, E.Bucher:
„NOVEL TECHNIQUES TO PREVENT EDGE ISOLATION OF SILICON SOLAR CELLS BY AVOIDING LEAKAGE CURRENTS BETWEEN THE EMITTER AND THE ALUMI-NIUM REAR-CONTACT“, in Proc. of the 16th European PVSEC, Glasgow, United
„NOVEL TECHNIQUES TO PREVENT EDGE ISOLATION OF SILICON SOLAR CELLS BY AVOIDING LEAKAGE CURRENTS BETWEEN THE EMITTER AND THE ALUMI-NIUM REAR-CONTACT“, in Proc. of the 16th European PVSEC, Glasgow, United