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92 5 Modellbasierte optische Untersuchung von CPV Sonnensimulatoren
Tabelle 8: Inhomogenitätswerte in der Modulebene des Sonnensimulators innerhalb der Testfläche T0 und der kleineren Testfläche hoher Homogenität T1. T1 wurde unter Verwendung des Computerprogramms, für das 768 cm² Standard‐Modul ermittelt.
Nun werden die I‐V Kennlinien für die 768 cm²‐Module der drei Zellverschaltungsarten unter Variation ihres Ortes innerhalb T1 simuliert und die charakteristischen I‐V Parameter extrahiert. Zusätzlich werden die Kennlinien bei homogener Bestrahlung simuliert, deren Bestrahlungsstärke den Mittelwert von T1 aufweist. Durch Normierung (z.B. ,
, / , ) erhält man erneut die relativen charakteristischen Parameter, welche in Abbildung 5.15 in Form von Kastendiagrammen dargestellt sind. Die Simulationsergebnisse innerhalb der gesamten Testfläche T0 sind hierbei schraffiert in grün dargestellt, die innerhalb der Testfläche hoher Homogenität T1 in orange.
Gesamte
Testfläche T0 Testfläche hoher Homogenität T1
Gesamtinhomogenität 5.3% 3.2%
Externe Inhomogenität 2.5% 0.2%
Interne Inhomogenität 3.8 0.8 % 2.8 0.4 %
Abbildung 5.15: Charakteristische I‐V Parameter des 768 cm²‐Standard‐Moduls bei Simulation innerhalb der Testfläche T0 (grün schraffiert) und bei Simulation innerhalb der Testfläche hoher Homogenität T1 (orange). Durch die Festlegung der Testfläche auf den Bereich T1 werden die durch eine inhomogene Beleuchtung des Moduls hervorgerufenen Abweichungen der charakteristischen Parameter um ein Vielfaches minimiert.
0.94 0.96 0.98 1.00 1.02 1.04 1.06 1.08
Abweichung der I-V Parameter
768 cm² Modul, Messung innerhalb:
Testfläche T0
Testfläche hoher Homogenität T1 Homogen
FF ISC P
Gemischt Parallel
Seriell
P ISC FF P ISC FF
5.2 U uktion der in
r ±0.2% in aches klein ziert sich hi 1.7%.
Zusamm 5
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diese Param Streuung der
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wurde anhan g des CP ule untersuc
meter ISC, PM
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nd validiert PV Sonne cht. Hierbei
MPP und FF v der Art de
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ter Simulat nsimulators stellte sich von Modulei er Zellversch
igten sich hi parametern enen Effekte rdurch kon ng dieser I
Am Beispi drastische R
chaltung ko Bei dem Mo ng des PMPP
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nnlinie der neuen
, von et die Abweich schten Mod Modul ergib n von ±2.5%
Modul zeigt maximale A auf ‐0.5% u
tionsmodell s auf die
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eichungen vo n einfaches
und zum T Computerpr täten die o
cm² Modul der Abwei urch die Abw
ler Zellvers
94 tquelle auf d rahlungsstä ngungen hi rschiedliche en. Daher w nlinie es auf nensimulato
lokale Str fachsolarzel enbedingung trischen Sim er unterschi bei wird si ulation wird hrieben) in
Sonnenstr hungsindize e Untersuchu ule mit mehre bweichung de ückt ist, die ingegen die en Verteilun wird in diese
fgrund der s rs für Konz Abschnitt 5.
bedingungen hängigen Be ntsteht. Zur vorgestellte
rkeverteilun n. Unter Anw romgenerati
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iedlichen St ich zeigen, es des Glase ungen werde eren Solarzel
mit abbilde che der Sola ng, welche e Form der ngen könne em Unterkap
sich von der entratormo 3.1 ein Stra n vorgest estrahlungss
Simulation Simulation ng auf der wendung be ion innerh
einen für es hier unter er Strahlung s und Siliko
en an einem len übertragb eines CPV M geringe Que
te optische
everteilun
nden Optik arzellen. Unt die Form r Lichtquel en wiederum
pitel unters r Sonne unt odule (SoKoM
hlverfolgun tellt. Diese
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er Außenbe
n wird erne rsuchten FL g des Sonne hierbei mi profils CSRM
n Abschnit teilt: Beginn Berücksic ns der Fresn Mono‐Modu bar.
Moduls, welch erleitfähigkeit le aufweist m zu Unter drei Teilze nensimulato
ittel (siehe Ab tt 5.1.4 und nend mit ein
chtigung nellinse, die l durchgefüh hes mit gitter rschieden in elchen Abwe
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edingungen erangezogen mit beleuch
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anderen ckelten Mod 5.3.3 die Aus
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5.8 veransch s verwende
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