ARRANGEMENT FOR TESTING SEMICONDUCTOR WAFERS OR THE LIKE

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ARRANGEMENT FOR TESTING SEMICONDUCTOR WAFERS OR THE LIKE

Patentnumber:

Publication date:

Inventor:

Applicant:

Classification:

-international:

-european:

Applicationnumber:

Prioritynumber(s):

DE4 109908 1992-10-01

REITINGER ERICH (DE)

REITINGER ERICH (DE)

G01R31/28; G01R31/28;

(IPC1-7):

G01M

19/00;

G01R31/26; G01R31/28 G01R31/28E11

DE19914109908 _19910326 DE19914109908 _19910326

Also publishedas:

EP0505981

(A2)

US5220277

(A1)

JP61 04321

(A)

EP0505981

(A3)

EP0505981

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DE4 109908

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corresponding document: US5220277

An apparatus

fortesting

semiconductor wafers and

the likeincludes a

prober

tableforreceivinq the

semiconductor wafers

to

be

tested

and

a holder receiverforreceiving holdersfor

probes

ortest

needles The prober

table is

arranged

within a container having

an open upper

portion that

has

a plate

havinq an

"

opening through which pass

the

probes

ortest

needles

intothecontainer.

Discharge elements

are providedwithin the containerthatare

connected

viaa

connection

to a

source

forair,

gas

or thelike.

Data

supplied

from

the

esp@cenet database

^-

Worldwide

http://v3.espacenet.com/textdoc?DB=EPODOC&IDX=DE4109908&F=8

4/27/2006

iiiiiiiiniiiiiiiiflwiiiinwinniii CD bunoesrepublik © Of ^{f e ii}

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eg u n gssch ^{r if} t

® DE 4109908 A1

D

E

UTS CH LAND

DEUTSCHES PATENTAMT

Int.CL5:

G ⁰¹ R 31/26

G

⁰¹ R 31/28

G

01

M

19/00

(£?) Aktenzeichen:

(2) Anmeldetag:

(53) Offenlegungstag:

P4109908.7 26. 3.91

1.10.92

CD

©

^Anmelder:

@

^Erfinder:

Reitinger,Erich,8034Germering,

DE

gleichAnmelder

(74)Vertreter: ₍₅₆₎ Fur die Beurteilung derPatentfahigkeit

Reinhard,H.,Dipl.-Chem.Dr.rer.nat.;Skuhra,U.. ⁱⁿBetrachtzuziehendeDruckschritten:

Dipl.-lng.,Weise,R., Dipl.-lng..Pat.-Anwalte, 8000

DE

2753684 A1

Munch

en

DD

255410A1

US

46 65 360

DE-2:

POTOTSCHNIG,

H.:PositionierenundKontak- tierenvon

Wafem.

In: ElektronikProduktion und Pruftechnik 1982 Jail 1,S.442-444;

Teil2,S.485-487US-Z:

BUOL,

Douglas

A.:High-temperature wafer

prober

predictsyield

problemsearly.In:Electronics

May

3, 1984, S.141-144;

@ ^Anordnung

^{zurPrufungvon}Halbleiter-Wafern oder dergleichen

(fj) Eine Anordnung zur Prufung von Halbleiter-Wafern oder dergleichen enthalt einen Probertisch zurAufnahme derzu prufenden Halbleiter-Wafer oder dergleichenund eine Hal- terungzurAufnahmevonSonderhaltern.DerProbertischist innerhalb eines Behalters, dernach obanoffen ausgebildet

ist, angeordnet und durch eine Platte abgedeckt. die eine Offnung zur Durchfiihrung von Sonden enthalt. Innerhalb desBehalters sindAusstrornelemente vorgesehen,dieuber eine Verbindung an eineQuelle fur Luft. Gas oderderglei- chen angeschlossen sind.

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LU Q

BUNOESDRUCKEREI

08.92 208040/101 7/54

DE ⁴¹ 09

1

Beschreibung

Die Erfindung betrifft eine

Anordnung

zur Prufung von Halbleiter-Wafern oder dergleichen

gemaB dem

Oberbegriff des Patentanspruchs1. 5

Die PrufungvonHalbleiter-Wafern wirdinTempera- turbereichen von

-200°C

bis

+

400°C durchgefUhrt Diese Temperaturwerte werden durch Kuhlung und/

oder Beheizung eines Probertisches durchgeftihrt auf

dem

die Halbleiter-Wafer zu Prufzwecken aufgelegt jo

werden.

Im

Bereich

um

und unter

0°C

werdenaufden Wafernsowie aufden Probertischenselbst Eiskristalle erzeugt, die sich infolge der Feuchtigkeit der

Umge-

bungsluft ergeben. Zur Vermeidung derartiger Eiskri- stallewird beimanuell bedienbaren Probernein Stick- 15 stoffstrahlaufdenProber gerichtetBei dieser

Methode

wirdzwar imKernbereich desStickstoFfstrahles die Er- zeugungvonEiskristallenverhindert,jedoch wird durch das Ansaugen der Umgebungsluft an den Randberei- chen des Stickstoffstrahles aufden Halbleiter-Wafern 20 eine Eiskristallbildung nichtverhindert

DerErfindungliegtdieAufgabezugrunde,eineAn- ordnung der eingangs genannten Art derart auszubil- den,daB im Betrieb bei Temperaturen

um

und unter

0°C

die Erzeugung von Eiskristallen verhindert wird 25

unddaftimBetrieboberhalbvon

0°C

Beeintrachtigun- gendurch Staub unoVoder Oxidationvermeidbarsind.

DieseAufgabewirderfindungsgemaBdadurchgeldst, dafl der nach oben offene Behalterdurch eine Platte abgedeckt ist, dieeine Offnungzur Durchfuhrung von 30

Sonden enthalt, unddafl innerhalb des Behalters Aus- stromelemente vorgesehen sind,die iiber eineVerbin- dungan eineQuellefur Luft,

Gas

oderdergleichen an- geschlossensind.

Die Erfindung schafft eine

Anordnung

zur PrOfung 35

vonHalbleiter-Wafern,mit derbeieinerKuhlungdurch denProbertisch aufTemperaturen

um

oderunter

0°C

dieErzeugung vonEiskristallenverhindertwird,ferner bei Temperaturen oberhalb von

0°C

Reinraumbedin- gungeneinhaltbar sindundbeispeziellenAnwendungs- 40

zwecken Oxidationserscheinungen an den Spitzen der Sondenverhindertwerdenkonnen.

Bei dererfindungsgemaBen

Anordnung

^ist der Pro- bertisch innerhalb eines nach oben offenen Behalters angeordnet,wobeiderProbertischentweder

zusammen

45 mit

dem

Behalter oder relativ

zum

Behalter in einer horizontalenEbeneverfahrbaristDernachobenoffe- ne Behalteristdurcheine Plattemit einerOffnungab- geschlossen, wodurch der Probertisch innerhalb eines durch den Behalter unddie Platte definierten

Raumes

50

angeordnet ist.Durch die Plattendffnung kontaktieren SondendiezuprufendenHalbleiter-Wafer.Zur Vermei-

dung

von Eiskristallbildung und/oder des Eindringens

von

Staubpartikeln wird uber innerhalb des Behalters liegende Ausstromelementeein

Gas

bzw. Luft mitder _$5 erforderlichenTemperaturund/oder

dem

gewunschten Taupunkt inden Behalter geleitet Die Stromungsge- schwindigkeit ist derart gewahlt, dafl eine laminare Stromung gewahrleistet ist und eine vorbestimmte

Menge

an durchdie Plattendffnung austretender Luft «>

erreichtwird.

GemaB

einer bevorzugten Ausfuhrungsform derer-

findungsgemaBen

Anordnung

bestehen die Ausstrom- elementeauspordsen Kdrpern.beispielsweisein

Form

von zylinderischen Rohren,deren Pordsitat derart ge- 65 wahlt ist,daB das

Gas

^oderdie Luft gleichmaBig iiber diegesamteLangederAusstromelementeindenInnen-

raum

des Behaltern austritt und dadurch Turbulenzen

908 Al

2

innerhalb des Behaltersvermieden werden.

Imfolgenden wirdeinebevorzugteAusfuhrungsform dererfindungsgemaBenAnordnung anhand der Zeich- nung zur Eriauterungweiterer Merkmale beschrieben.

Es zeigen:

Fig.1 eine schematische,teilweiseimSchnitt gehalte- neAnsicht derAnordnung,und

Fig.2 eine schematischeTeilaufsichtauf die Anord- nungentlangderLinie2-2' einFig.1

.

Fig.1zeigtinschematischerDarstellung eineAnord- nungzur Prufungvon Halbleiter-Wafern, Hybridschal- tungen oderdergleichen, miteinem Probertisch 1,der zur

Aufnahme

von Halbleiter-Waferndient undin be- kannterWeiseanseinerOberflSche mitschmalen,vor- zugsweisekreisformigenverlaufendenNutenausgebil- detist,die uber ein nicht angezeigtesAnschluBsystem dazudienen, einenUnterdruck gegenuber

dem

aufge- legtenHalbleiter-Wafer auszuuben undden Halbleiter- Waferauf

dem

Probertisch1zuhalten.

Der

Probertisch

I istfernermitElementen zurHeizungund/oder Kuh- lungausgeriistet.Ein derartiger Probertisch1 istsowohl

inhorizontaler Ebene,d. h. in X- und Y- Rich lung ver- fahrbar,wie auchineiner vertikalenRichtungverlager- bar.

GemaB

derdargestelltenAusfuhrungsform derAn- ordnungistan der Lagerung3des Probertisches 1 ein

oben offener Behalter 2 befestigt der

gemaB

dieser Ausfuhrungsform

zusammen

mit

dem

Probertisch1ver- fahrbarist undauseinem Boden2a sowievierSeiten- wanden 2bbesteht Die Seitenwande 2bhabeneineHo-

ne,derart,daBderProbertisch1innerhalb dieses Behal- ters2zuliegen

kommt

unddieOberflache desProberti- sches t unterhalbderoberen Kantender Seitenwande 2b zu liegen

kommt

Zwischen der mit 3 bezeichneten Lagerung desProbertisches1und

dem

Boden2aisteine geeignete Dichtungangeordnetdie inFig, 1 nicht ge- zeigtistundeinAusstromendesim Behalter2befindli- chenGasesoderLuftnach untenausschlieOt

Seitlich des Probertisches ! sind z.B. in zueinander parallelerAnordnung Ausstromelemente 5,6 vorgese- hen. dieubereinenVerbindungsabschnitt 7_{(Fig. 2)}mit- einanderinVerbindungstehenundubereinenAnschluB 8 an eine Quelle 9 angeschlossen sind. Die Quelle 9 erzeugtdas Gas,dasindaslnneredesBehalters2gelei- tetwird,

um

einelaminareStromungzu erzeugen.Der AnschluB 8 ist,wie Fig.2 zeigtdurch einederSeiten- wande 2bdurchgeftihrt,derart,daBderAnschluB8ge- genuber der betreffenden Seitenwand2b zur Vermei- dungeines AustrittsvonLuftoder

Gas

abgedichtetist.

DieAusstromelemente5,6kdnnen gegenuber

dem

Bo- den 2a oder denSeitenwanden2bdes Behalters2 durch Halteklammernoderdergleichenfixiertsein.

Die Oberseite des nachoben offenen Behalters 2ist

durcheinePlatte10abgedeckt,dieeine mittigeOffnung 12 enthalt, die vorzugsweise kreisformige Gestalt hat und mittiggegenuberder

Mine

des ebenfalls kreisfdr-

migen Probertisches 1 ausgerichtet ist Die Platte 10, beispielsweise aus Blech, ist gegenuber der gesamten Anordnungfixiert,sodaflderProbertisch1

gemaB

die- serAusfiihrungsform

zusammen

mit

dem

Behalter2in horizontalerRichtunggegenuberderPlatte 10und ei- nerSondenhalterung14 verstellbarist.

DieSondenhalterung 14wie auch derProbertisch ¹ mit seiner Lagerung3sind gegenuber einemnicht ge- zeigten

Rahmen

gelagert, wobei die Sondenhalterung 14 durch mehrere Saulenftihrungen gegenuber

dem Rahmen

^1, gegebenenfallsverstellbar, gelagert ist Die Saulenftihrungender Sondenhalterung 14sind inFig.1

mit 18 bezeichnet Auf der Sondenhalterung 14 sind

DE ⁴¹ 09

3

mehrereSonderhaltcr 15,16 montiert, dieihrerseitsdie zu benutzenden und in Fig. 1 nicht gezeigten Sonden aufnehmen.

DieOffnung12derPlatte10^istderart konzipiert,daB die von den Sondenhaltern 15, 16 gelagerten Sonden ₅ einen Spitzenkontakt zu denzu priifenden Halbleiter- Wafern ermdglichen. Im Bedarfsfall kann die Offnung 12 durch einen Ring 20, beispielsweise aus Plexiglas, abgeschlossen werden, dereine ebenfalls vorzugsweise kreisfdrmige Offnung22 enthalt, welchekleiner istals 10 die Offnung 12. Der Ring 20 hatdabei einen AuBen- durchmesser, dergeringfGgiggroGerist alsderDurch- messerder Offnung12.

MittelsdesRinges20,derentwederaufderPlatte 10 aufliegt oderin eine ringfdrmige NutderPlatte 10im 15

Bereich deren Offnung 12 eingesetzt wird, die seitlich

derOffnung 12ausgebildetist,wird eineVerringerung des Querschnittes derOffnung 12 im Bedarfsfalle er- reicht

BeiderinFig. I und2gezeigtenAusfuhrungsformist 20 eine Verstellung des Probertisches 1 gegenQber der Sondenhalterung 14und den in den Sondenhaltern 15,

16 eingespanntenSondenmdglich,

um

einschrittweises Abtasten der auf

dem

Probertisch1 aufliegendenHalb- leiter-Wafern zu realisieren.

GemaB

derdargestellten ₂₅ Ausfuhrungsformwird derProbertisch 1

zusammen

mit

dem

Behalter2inX- und Y-Richtungverstellt,

um

die Prufung der einzelnen Halbleiter-Wafer zu ermdgli- chen, die auf einerTragerschichtangeordnetsind.

DurchdieAusstrdmelemente5,6wirdeineStrdmung ₃₀ innerhalbdes Behalters 2erzeugt,diegleichmaBigaus den Ausstromelementen5,6austrittundeine nichttur- bulente Luftstrdmung innerhalb des Behalters 2 er-

zeugt Hierdurch wird ein schwacher Luftstrom oder Gasstrom in Richtung der Offnung 12 erzeugt, wobei 35 diese Luft-oderGasstrdmunggleichmaBigausderOff- nung 12austritt. Dadurch wird derEintrittvon

Umge-

bungsluftodervon Partikelnausder

Umgebung

indas Innere desBehalters2 verhindert.

Als Ausstrdmelemente5,6dienen vorzugsweisezy- ₄₀ linderische Rohre, beispielsweise aus Keramik, Kunst- stoffoderKunstfaser,miteinerPorendichteinGrdBen- ordnung von 1 bis 30u,m. Diese rohrfdrmigen Aus- strdmelemente5,6 sind

gemaB

Fig.2 an derSeite mit ihremfreistehenden Ende abgeschlossen,wodurch das ₄₅ Ausstromen von Luftoder

Gas

imwesentlichen inRa- dialrichtungzudenAusstromelementen5,6gewahrlei- stet ist. Untersuchungen haben gezeigt,daB bei einer

Anordnung

mit

dem

vorstehend beschriebenenAufbau

stets einekonstante Luftvolumenemission aus derOff-

nung 12 gegeben ist, wobei die Luft nur geringfugig abgekOhhwird,nachdem sie an der Oberflacheder zu prufenden Halbleiter-Waferpassiert ist.Unterhalb des Probertisches1istebenfallseindurchdenProbertisch1

hervorgerufener Kiihleffekt festzustellen, wobei die

Temperatur allerdings im Vergleich zu der durch ^die Ausstrdmelemente5,6zugefiihrten,getrockneten Luft bei einer Oberflachentemperatur des Probertisches t

von etwa

-55

^C

C

nur verhaltnismaBig niedrigerist als die durch die Ausstromelemente 5, 6 zugeftihrte Luft- temperaturvonbeispielsweise 20° C. Damitbeschrankt sich bei der beschriebenen Anordnung der Kiihleffekt des Probertisches 1 vorteilhafterweise nur auf die zu prufenden Halblciter-Wafer, wahrend andere Teilein-

nerhalb des

Raumes

des Behalters2 durchdieKtihlung desProbertischs1nichtbeaufschlagtwerden.

Der

vom

Probertisch 1erzeugteUnterdruckzur Hal- terung der Halbleiter-Wafer ist im Vergleich zu

dem

908 Al

4

vondenAusstromelementen5,6zugefiihrten Luftvolu-

men

vernachlassigbar und beeintrachtigt nicht die in- nerhalb des Behalters 2gewunschte laminare Luftstrd- mung.

Somit konzentriert sich die KOhlung aufgrund des Probertisches 1 bei der beschriebenenAnordnung auf die aufgelegten Halbleiter-Wafer, der Qbrige Aufbau verbleibt weitgehend auf derjenigen Temperatur, die derTemperaturder durch die Ausstromelemente 5, 6 zugefiihrten Luftentspricht.

Die erfindungsgemaBeAnordnunglaBt sichauchzur Einhaltung von Reinraumbedingungen einsetzen, d,h.

fur diePrdfungvon Halbleiter-WafernbeiTemperatu- ren oberhalb von 0°C, z.B. bei Raumtemperatur. Bei dieser Anwendungsart wird Luft mit der jeweils ge- wUnschtenPartikelreinheitinden Behalter 2 eineefuhrt undeswirdverhindert,daBvon obenuberdieOffnung 12Schmutzpartikelinden Behalter 2eintreten.BeiAn-

wendung

der beschriebenen Anordnung unter Rein- raumbedingungenbedarfesnichtunbedingt des Einsat- zes reiner Luft,jedoch der Zufuhrung von gefilterter Luft

Eineweitere

Anwendung

der beschriebenen Anord- nungenliegt inderOberprufungvonHalbleiter-Wafern

beihdheren Temperaturen. BeihdherenTemperaturen konnenanden Nadelspitzen Oxidationenauftreten.Un-

terEinsatzder erfindungsgemaBenAnordnunglaBt sich dies dadurch verhindern, daQ durch die Ausstrdmele- mente5,6 ein Edelgas(z.B.Argon oderSauerstoff) in

den Innenraum des Behalters 2 geleitet wird und da- durchdiePrufspitzendervon den Haltern15,16 gehal- tertenSondensich stetsineinemEdelgasstrom befinden und dadurch Oxidationen.diezuFehlmessungenfuhren, verhindertwerden.

Wird die erfindungsgemaBe Anordnung in Verbin- dungmitgetrockneterLuft verwendet. derenTaupunkt beispielsweise bei

—

60°

C

liegt, kann es erforderlich sein, in

dem

Behalter 2eine lonisationseinrichtung vor- zusehen,

um

diezuden Ausstromelementen5.6gefuhr- teLuftvor derenEingriffindenBehalter 2zutonisieren.

DielonisierungderLufthatden Zweck,einenFunken- Oberschlag innerhalbdes Behalters 2 beiderOberpru- fung der Halbleiter-Wafer zu vermeiden.

GemaB

einerweiteren,inden Zeichnungennichtdar- gestellten Ausfuhrungsform der erfindungsgemaBen Anordnungistvorgesehen,daB derProbertisch1 relativ

zum

Behalter2verstellbar, insbesonderein X-Y-Rich- tungverstellbarist.

Um

dieszuerreichen,istderBoden 2 mit einerentsprechendgroBen Offnungversehen,wo-

50 beiinnerhalbderOffnungdes Bodens2a

um

die Lage- rung3 eineflexibleDichtungeingesetztist,

um

dieVer- stellungderLagerung3relativ

zum

Boden2a zureali- sieren.

Um

denBehalter2 gegendie UnterflachederPlatte 55 10zu halten, sind bei der in Fig. 1 gezeigten Ausfuh- rungsform Federeinrichtungen 25, 26 vorgesehen, die eineVorspannungskraft erzeugen unddieoberen Kan- tenderBehalterwande 2bgegendieuntere Flacheder PlattelOdrucken.

60

Um

eine ruckfreieVerschiebung des Behalters2 ge- genilberder Platte 10 zu vermeiden,d. h.

um

den Rei- bungswiderstand zwischendenoberen KantenderSei-

tenwande2bundderPlatte 10weitgehend zu reduzie- ren, sind bei einer bevorzugten Ausfuhrungsform die 65 nachobenweisendenKantenderSeitenwande2babge- rundetAnstellederAbrundungender KantenderSei-

tenwande2bkonnenzusatzlicheGleitelemente,z.B.die Kanten von oben eingesetztenGleitstiften,vorgesehen

BEST ^AVAILABLE COF

DE ⁴¹ 09 908 Al

werden.

ZurbessercnEinsichtindenBehaiter2besteht dieser vorzugsweiseausPlexiglas.

Fig.2 zeigtnur eine mdglicheAusfOhrungsformder Ausstrdmelemente5, 6,dieim wesentlichenparallelzu- einanderliegendangeordnetsindunddurcheinVerbin- dungsrohr 7eine im wesentliche U-fdrmige oderring- fdrmige Struktur ergeben. Anstelle des Verbindungs- rohres 7 kann ein entsprechcndes Ausstrdmelement vorgesehensein,dasmitdenanderenAusstrdmelemen- ten5,6verbundenist

Die erfindungsgemaBe

Anordnung

laBt sich in der nachstehendenWeise verwenden:

Bei Prufvorgangen in Temperaturbereichen von

-200°C

bis +40XTC,die

vom

Probertisch 1 anseiner Oberflachegegeniiberdenaufliegenden Halbleiter-Wa- fern erzeugt werden, wird zurVermeidung von Eiskri- stallbildung von der Quelle 9 eine Luftstrdmung er- zeugt, die beispielsweise eineTemperatur von

20°C

hat undeinenTaupunktbeiungefahr

-

60°

C

besitzt.

Beider erfindungsgemaBenAnordnung,diesich ins- besonderefur manuell bedienbare Prober eignet, laBt sich derwannenfdrmige Behaiter 2 soweitin derhori- zontalenEbeneverschieben.daBerdurch Verlagerung gegeniiber derobenliegendenPlatte 10nachArteiner 25 Schubladenfunktionden

Zugang

aufden Probertisch 1

ermdglicht, urnein Auswechseln der Halbleiter-Wafer zu ermoglichen.

Bei derOberprufung von Wafern kdnnen Sondenin

Form

vonPrufnadeln und/oder Nadelkanten

zum

Kon- 30 taktieren der Wafer, Hybridschaltungen oder derglei- cheneingesetztwerden.

10

15

20

6. Quelle nach einem der Anspruche 1 bis 4,da- durch gekennzeichnet. daB gefilterte Luft zuden Ausstrdmelementen_(5,6) gefiihrtwird.

7.Quelle nach einem der Anspruche 1 bis 4, da- durch gekennzeichnet,daB vonder Quelle(9)Edel- gaszudenAusstrdmelementen₍₅t6) geleitetwird.

8.Anordnungnach wenigstenseinemdervorange- henden Anspruche. dadurch gekennzeichnet, daB imBehaiter(2)eine Einrichtungzurlonisierungder Luftvorgesehenist

Hierzu2Seite(n)Zeichnungen

Patentanspruche

35 1.

Anordnung

zur Prufungvon Halbleiter-Wafern oder dergleichen, mit einem Probertisch (1) zur

Aufnahme

der zupriifendenHalbleiter-Wafer oder dergleichen, mit einerHalterung(14) zurAufnah-

me

von Sondenhaltern _{(15, 16)} dadurch gekenn- 40 zeichnet,

daB der Probertisch (1)innerhalb eines Behalters (2)angeordnetist,dernachobenoffen ausgebildet

ist,

daB der nach oben offene Behaiter₍₂₎ durcheine 45 Platte (10)abgedecktist,die eineOffnung(12)zur DurchfOhrung von

Sonden

enthalt,und

daBinnerhalbdesBehalters(2)Ausstrdmelemente

(5,6)vorgesehensind,dieubereineVerbindung(8)

an eine Quelle (9) fur Luft,

Gas

oder dergleichen 50 angeschlossen sind

2.Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekenn- zeichnet,daBderBehaiter(2) festmit

dem

Prober-

tisch(1)verbundenist.

3.Anordnung nach Anspruch 1,dadurch gekenn- zeichnet. daB der Probertisch ₍₁₎ gegeniiber

dem

Behaiter(2)verstellbarangeordnetist.

4.Anordnungnach wenigstens einem der vorange- henden Anspruche, dadurch gekennzeichnet, daB

die Ausstrdmelemente (5, 6) aus einem pordsen Material bestehen, derart,daB im Behaiter₍₂₎eine laminare LuftstrdmungoderGasstrdmungerzeugt wird.

5.Anordnungnach wenigstens einem der vorange- henden Anspruche, dadurch gekennzeichnet, dafl dieQuelle(9)anwelchedieAusstrdmelemente(5, 6)angeschlossensind,Luftmilca.20°C und einem Taupunktbei

-

196°

C

^erzeugt.

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ZEICHNUNGEM

^{SEITE 1}

Nummer:

Int.CI.5

:

Offenlegungstag:

OE

4109908

A1 G

01

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31/26

1.0ktober1992

208040/101

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2EICHNUNGEN

SEITE 2

Nummer:

Int. CI.5

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Offenlegungstag:

OE

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1.0ktober1992

Fig. 2

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