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International application number: PCT/DE05/000268

International filing date: 16 February 2005 (16.02.2005)

Document type: Certified copy ofpriority document Document details: Country/Office:

DE

Number: 10 2004 008 803.9

Filing date: 20 February 2004 (20.02.2004)

Date of^{receipt at} the International Bureau: 29 April 2005 (29.04.2005)

Remark: ^Priority document submitted or transmitted to the International Bureau in compliance with Rule 17.1(a) or (b)

PCT/DE2O05 !WQl

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND

Prioritatsbescheinigung

uber

Patentanmeldung

Aktenzeichen:

Anmeldetag:

Anmelder/lnhaber:

102004 008 803.9

20. Februar2004

Zentrum Mikroelektronik Dresden AG, 01109 Dres- den/DE

Bezeichnung: SchutzdiodezumSchutz von Halbleiterschaltkreisen

gegenelektrostatischeEntladungen

IPC: H 01 L 23/62

Die angehefteten Stucke sind eine richtige und genaueWiedergabe derur-

sprunglichen Unterlagen dieser Patentanmeldung.

Munchen, den 16. April2005

Deutsq^es Patent- und Markenamt

/der President ImAuftrag

U

20. Feb. 2004 14:04 ^LIPPERT, 8TACH0W, SCHMID'T&PARTNER . Nr. 0669 8.21

0

LIPPERT,STACHOW, SCHMIDT&PARTNER Ad-ak/ak

P8t«ntinwalte^•Eufopfesn PaioniAttornefys^•European Trademark Attorneys

20, FeibmaX* 2004

KrenkelstraBe3^-D-01309Dresden Telefon +49(0)3^51.318 18-0 Telefax +49(0)3^{51.3 18 1833}

Zentnim Mikroelektronxk Dresden AG 01109 Dresden

10 Schutzdiode zum ^Scliutz von Halbleitersciialtkreisen gegen elektrostatisclxe Entladungen

ZTisaanaenfassimgr

•15

I von Halbleiterschaltkreisen ^gegen elektrbstatische Entladtingen betrifft, liegt die Aufgabe ^zugrixnde, eine Aaordnung ^zu

scliaffen,. mit der ein verbesserter ESD-Schutz mit einer optimalen CttipflSchennutzung und einem verbessertem Latch-up- 20 Verhalten erreicht ^{wird. GemSfi} der ^Erfindting wird die Aufgabe dadurcli gel5st, dass die Planardiode aus einer ersten

|

inselformigen Elektrode ^{bestehfc, .die} von einer zweiten

|

Elektrode umschlossen wird und dass die Kontakte der ersten

|

Elektrode mit einer ersten Metallebene imd die Kontakte der

j

25 . zweiten Elektrode mit einer daruber liegenden zweiten

j

Metallebene kontaktiert ^{sind. (Fig- 2) .;}

—

'

..1. I ,

- ,

—

FAXG3^Nr: 342733von NVS:FAXG3:I0.0202/03513181832 an NVS:PR1NTER.0101/LEXMARK2450(Seite22von22) Datum 20.02.04 13:51 ^-Status: ServerMRSDPAM02(MRS4.00)ubernahm Sendeauftrag

Betreff:22Seit6(n)empfangen

20. Feb. 2004 13:54 ^. LIPPERT, 8TACH0W, 8CHMIDT&PARTNER ^Nr. 0669 .8. 5

LIPPERT^STACHOW, SCHMIDT&PARTNER

KrenkelstraBe 3^•D-01309Dresden Telefon +49(0)351.3 18^18-0 Telefax +49(0)351318 1833

zentrom Mikroelelctroiiik Dresden AG

Q!L109 Dresden

10

20

25

30

35

Sdmtzdiode ^{zum Schutz von} Halbleiterschaltkreisen gegen elefctrostatische Entladimgen ^-

Die Erfindmig betrifft eine ^Anordnimlg einer Schutzdiode ^ziom Scdiutz von Halbleiterschaltkreisen gegen elektrostatische EntladTmgen, bestehend aus mindestens einer Planardiode, bei der die Elektroden jeweils durch ^eine Vielzahl von ^Kontakten kontaktiert ^sind und ^die Kontakte ^iiber MetallscMcbten ^{mit der-} Betriebspannung, einem Ein-/Ausgangspad oder der .Masse

verbunden ^sind.

Sowohl im Fertigungsprozess ^als auch bei einem nachf^olgenden Einbau ^{in eine} tibergeordnete Schaltungsanordnmig, sowie dem Betrieb der integrierten ^{Schaltmig, ist} diese unvermeidbaren Un«.elteinfliissen^. ausgesetzt, ^zn denen beispielsweise elektrostatische Entladungen ^{(ESD =} electrostatic discharge) geh5ren.

^

Elektrostatische Ladungen entstehen ^{duo^ch} Reibung ^zwischen verschiedenen Materialien und kSnnen Potentiale von ^loehrereti kV auf einem LadungstrSger aufbauen. Bei einem Kontakt ^des Ladungstragers, beispielsweise mit einem Pin des integxierten Bauelementes, flieSt die ^•gespei cherte I.adung xm Nanosekundenbereich ab und erzeugt ^dabei kurzzeitig StrOme ^bis in den Amperebereich. Dieser Strom muss durch die ESD Schutzschaltung ^und.die entsprechenden Leiterbahnen abgeleitet werden. Die Auslegung dieser Strombahn begrenzt den ESD-Schutz in der ^{Weise. dass} durch das {iberschreiten einer zulSssigen

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StromdicGite zum Entladungszeitpunkt eine 2efst5riHig von Teilen der integrierten Schaltimg infolge themischer (Jberlasttmg entsteht. Da sich die Stromdichteti der ESD-Entladung ^rait kleineren Strukturabmessungen vergr5fiern, gewinnt die ESD-

5 Problematik rait zvmehmeader Integrationsdichte der integrierten Scixalt\mgen an Bedeuttmg,

Eine aus dem Stand der Technik bekannte MaBnahme zum Schutz gegen elektrostatische Entladungen ist das Zuschaiten von 10 Schutzdioden zwiscben das Ein-/Ausgangspad imd dem Potential VDD sowie der Masse VSS. Die Zuscbaltung erfolgt derart, dass die erste Schutzdiode mit der Kathode am Potential VDD undder Anode am Ein-/Ausgangspad und die zweite Scbntzdlode mit der Katbode am Ein- /Ausgangspad iznd der Anode am Potential VSS angeschlossen ist.

2ur Einbaltung der Qualitatsanfordertangen an modeme IC's existieren verscbiedene Teststandards. Das zur 2eit ublicbe Humanr-,Body-Model-Testverfabren (HHM) wird mehr und mehr. vom 20 Charge-Device-Model -Testverfabren (CDM) ^. abgel5st. Das* CDM- Testverfahren stellt erb5hte Anfordemngen an die Stromfestigkeit der ESD-Schutzelemente. Die Strombelastung ist etwa \m den Faktor 10 groSer als beim HBM-Test. Da die Zeitspanne des Stromixnpulses beim CDM-a?est kleiner als Ins ist, 25 findet praktisch eine adiabatische ErwSrmung durch den

S.tromflnss statt, Somit wird fur die Stromableitung bei einem ^. CDM-Tes tverfahren mit IkV Hochspannungsentladung wesentlicb mehr ChipflSche benStigt als bei einem HBM-Testverfahren mit 4kV. Infolge dieses Mehrbedarfs an Chipfiache verliert man 30 einen Teil der durch eine Stniktuxverkleinenrng gewonnenen ChipflSLche. Bei einem CDH-Tes tverfahren nimmt die Entladestromstarke durch eine Schutzdiode stark zu. Was eine VergroSerung der Diodenfl^che zur Folge hat*

35 Mit der Zunahme der Sti^omstarke und der Strukturverkleinerung, welche eine h5here Integrationsdichte zur Folge hat, wird das

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Latch-up-Verhalten der Anordnmg ^immer kritischer. Bedingt durch die ^grofie, beispielsweise von einem Anodenring ^umgebene, Kathodenflache wird ein Siibstratstrom erzeugt, der tief in das Substrat eindringt und somit nicht vollstandig durch die Anode

5 aufgenommen werden kann. Dieser Strom kann dann eine Fehlfunktion in benaclabarten integrierten Strukturen ^aiasiasen.

Aus der US 6,518,604 ist eine Schutzdiode ^'mit langen Anoden- und Kathodenstreifen ^bekannt. Diese Anordnung gewShrleistet, 10 dass der im Substrat entstehende Strom an der Oberflache

abgesaugt wird ^{land nicht} tief in das ^Sixbstrat eindringen ^kann.

Bel dieser Art der Diode ist der Stromfluss durch den Diodenrand grSSer als ^der Strom durch die Grundflache.

Der Nachteil dieser Anordnung besteht in einem erhfihten Fiachenbedarf^, da die Aufteilung in ^Dioiienfinger infolge des notwendigen- Abstands zwischoa Anoden- und Kathodenkontakt- gebieten zusStzliche diipfiache ^erfordert. AuSerdem werden die Randstticke der Diodenfiriger nicht ftir die Stromableitung 20 genutzt. ^Fiir lange Finger muss die Dimensioni.erung der Metallleitungen ^ftir did ^einzelnen Anoden- und Kathodenleitungen der Stromdichte angepasst ^werden. Diese Anpas sung erfordert, unter der Einhaltung von Designregeln, einen weiteren Platzbedarf

.

25 ^{• ' '}

Der Erfindung liegt ^somit die Aufgabe ^{zugrunde,. eine} Anordnung einer Scdiutzdiode zum Schutz von Halbleiterschaltkreisen ^gegen.

elektrostatische Entladtingen zu schaffen, mit der ein verbesserter ESD-Schutz mit einer optimalen Chipf lachennutzung

30 ^" und einem verbesserten Latch-^up-Verhalten erreicht wird.

Gemafi der Erfindung wird ^die Aufgabe bei einer Anordnung einer Schutzdiode zum Schutz von Halbleiterschaltkreisen gegen elektrostatische Entladungen der eingangs genannten Art dadurch 35 geiast, dass die Planardiode aus einer ersten inselfSrmigen Elektrode besteht, die von einer zweiten Elektrode umschlossen wird vn& dass die Kontakte der ersten Elektrode mit einer

20. Feb. 2004 13:56 LlPPERT, STACHOW. 8CHMIDT&PARTNER Nr. 0669 ^8; 8

ersten Metallebene und ^{die Kontaltte} der zweiten Elektrode ^iilit einer darOber liegenden zweiten Metallebene kontaktiert ^sind.

Die Realisierung von pioden ^auf

Wafem

5 Form einer Planardiode mit einem ^grofien Fiachenguersclmitt des pn-ttoergangs ausgef^{iShrt. Geiaafe} der ^erfinderischen L©smig ^xst,

eine erste Elektrode in der Fiache der zweiten Elektrode eingebettet, wobei ^{, die} inselfSrmige ^erste Elektrode beispielsweise eine kreisfSrmige Oder rechteckige , Form

10 aufweist. Beide Elektroden sind jeweils mit verscHiedenen

dartiber liegenden Metallebenen durch eine Vielzabl von Kontakten elektriscb leitend verbunden. Durch die Verwendung

. einer ^Vielzalxl von parallel geschalteten, elektrisch leitenden Kontakten werden 'widerstandsscbwankurigen ^der. Einzelkontakte ausgeglichen und die Stromdichte in der Zuleitung reduziert.

in einer Ausgestaltung der Erfindung ^ist vorgesehen, dass' mehrere Planardioden nebeneinander angeordnet ^sind.

20 in einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung ist vorgesehen, dass mehrere Planardioden in einem Array angeordnet ^sind.

Diese Anordnung beispielsweise mehrerer Kathodeninseln in einer gemeinsamen Anodenf^{lache ka3in in} einer Reibe, , in einer ^Spalte, 25 einer Kombination ^{aus der} Reihen- und der Spaltenanordnung

, sowie in der Form ^eines Arrays erfolgaa.

)

in einer besonderen Ausfiihrung der Erfindung ^ist vorgesehen, dass die Planardioden zu einer Punktionseinheit zusammen- 30 geschaltet sind.

vorzugsweise sind die Planardioden in einer Parallels chaltung zu einer Schutzdiode, welche ^fttr eine zu einem zuveriassigen ESD-Schutz erforderlichen Strombelastung dimensioniert ^ist, 35 zusammengefiihrt. Die so erzeuget Schutzdiode kann auch ^aus

mehreren zusammengeschalteten Planardiodenreihen und/oder Planardiodenspalten oder mehreren Arrays bestehen.

FAXG3Nr: 342733 von NVS:FAXG3.10.0202/03513181832 an NVS:PRINTER.0101/LEXMARK2450^(Seite8 von 22) Datum 20.02.04 13:51 ^- Status:ServerMRSDPAM02(MRS4.00)ubernahm Sendeauftrag

BetrefF:22Seite(n)empfangen ^•

20. Peb. 2004 13:57 LIPPERT, 8TACH0W, SCHMIDT&PARTNER Nr. 0669 8. 9

10

In einer Ausgestalttmg ^{der Erf}indung ^ist vorgesehen, ^dass die Vielzahl von Kontakteii durch einen ^Kontakt' ersetzt ist.

Technologiebedingt wird zur Kontaktierung der Elektroden eine Vielzahl von ^{Kontakten verwendet. Unter Beachtung des} Leitungswi.derstandes und der stroinbelastbarkeit des Kontakts kann bei entsprechender Dimensionierung nur ein Kontakt, ^zur Verbindimg einer Elektrode mit einer Metallebene,^. genutzt werden.

In einer Ausfulirung der Erfindung ist^. vorgesehen, dass die inselfSrmige Elektrode eine kreisfGrinige oder eine n-eckige Form aufweist.

Die Form der inself ormigen Elektrode kann beispielsweise an eine veorwendete Herstellungstechnologie angepasst werden. Die Elektrode kann sowolil eine kreisformige ^{als aucii} eine eckige Form, mit einer beli'ebigen Bckenanzah.1/ aufweisen.

20 Die Erfindung soil nachfolgend anhand eines AusftUarungs- beispiels naher eriautert ^ werden. In ^• den zugeh5rigen

Zeiclmungen zeigt

Fig. 1, eine ESD-Scliutzschaltung mit zwei Schutzdioden aus 25 ^ dem Stand der ^Teclmik,

Fig. 2 eine .Darstellimg der untersten Layoutebene der erf indurigsgemaSen Schutzdiode,

30 Fig, 3 .eine Darstelliing der Verbindung der Anoden- und Kathpdenflaclien mit der ^dartiber liegenden ersten Metallebene,

Fig. 4 eine Darstellung der ersten Metallebene mit Via-

35 Kontakten und

Fig. 5 eine Darstellung der zweiten Metallebene mit ^Via-- Kontakten

.

20. Feb. -2004 13:57 LIPPERT, 8TACH0W, SCHMIDT&PARTNER ^Nr. 0669 ^{S. 10}

in der Figur ^{1 ist eine} ESD-Schutzschaltung mit zwei Schutzdioden ^{1 aus} dem Stand der Technik dargestellt. Mit dieser Anordnung wird die interne Sch^ltung 2

^

vor

5 elektrostatischen Eatladungen an einem der Tnput-PAD's ³ geschtttzt. Die erfinderische L5sung kann in beiden Schutzdioden 1 Anwendung finden.

Einen fur eine Fiachenoptimierung verbesserten Diodenentwurf

,

.10 einer als Planardiode ausgefOhrten Diode, erzielt man, weim die Diode nicht ⁱⁿ Anoden- und Kathodenstreifen unterteilt, sondem eine ^' Anodenflaclae 4 mit einer darin eingebetteten Kathodeninseln ⁵ verwendet ^wird. Eine Anordnung der Planariode mit einer Anodeninsel in ^einer Kathodenf ISche ist ebenfalls mSglich. Mit dieser hQsxmg ^{kann die Flfiche} der KathodeninSel ^5,

die Anodenflaclie. 4, der Rand ^der Kathodeninsel 5, die Anzahl _; der Kontakte ⁶ sowohl ^{in der} Kathodeninsel ⁵ als auch in der Anodenfiache ⁴ und die Metallbahnbreiten ^so optimal aufeinander abgestimmt werden, dass bei einer Zusammenschaltimg mehrerer 20 Planardioden zu einer Scliutzdiode 1 jedes Planardiodenelement der gleichen Strombelastung standbS.lt. Durch die Wablmdglichkeiten in Bezug ^auf Form und Gr5£e der ^{Insel 5} kann ein fiachenoptimierter Entwurf gefunden werden. Durch die Unterteilung der Schutzdiode ^{1 in} kleine TeilflSchendioden wird 25 ein signif ikanter Substratstrom ^zu benachbarten Chipelementen verhindert. Je nach vofhandenem Platz im Layout kann die Struktur, der aus mehreren' Planardioden bestehenden^-Schutzdiode 1, quadratisch, rechteckig oder in mehrere Teilstrukturen aufgeteilt axisgeftihrt werden.

30 ^'

.

GemaS der erfinderischen L5s\ang ist die Kathodeninsel 5 in einer achteckigen Form mit Winkeln von jeweils 45 Grad ausgef^iihrt. Eine andere .geometrische Form, beispielsweise eine kreisfOrmige ^oder giiadratische Form, ist ebenfalls ^{mSglich. Zux} 35 Gewahrleistung eines gleichmaSig verteilten Stromflusses durch alle inseln 5 ist deren .GrdBe, geometrische Form, die Einbettung und die Kontaktierung ⁶ der Inseln ⁵ jeweils gleich auszufiihren. Pro Insel ⁵ werden beispielsweise ¹⁰ Kontakte ⁶

FAXG3Nr: 342733von NVS:FAXG3.10.0202/03513181832 an NVS:PRINTER.0101/LEXMARK2450(Seite 10von22) Datum 20.02.04 13:51 ^-Status: ServerMRSDPAM02 (MRS4.00)ubernahm Sendeauftrag

Betreff:22Seite(n)empfangen

20. Feb. 2004 13:58 LIPPERT, 8TACH0W, 8CHMI0T&PARTNER ^{- Nr.} 0669 8. 11 -I

^

10

20

25

7 ^.

verwendet, ^ami Widerstandsschwankungen der Kontakte ⁶ auszugleichen. Die Stromzuleitung ^zu den Inseln 5 erfolgt ub^r Kontakte 6 zu einer ^dartiber liegenden ebenfalls inselfSnaxgen Metallplatte in der ^ersten Metallebene ⁷ und nachfolgend wexter

xiber Via's zu einer ^{darCtoer liegeaden} zweiten .Metallebene 8, xn der die TeilstrSme der Inseln ⁵ zusanttnengefasst werden. Somxt ist gewahrle£stet, dass der Gesamtdurchlassstrcxia gleichmaExg auf alle parallel geschalteten Inseln ⁵ aufgeteilt ^wird. Da

sicli die zweite Metallebene ⁸ groSfiachig ^tiber die gesamte Diodenflache' erstreckt, stellt die Stromdichte ⁱⁿ dieser Metallebene ⁸ keine Begrenzung ^fiir den mSglichen Strom ^durcli die Dioden ^dar. Die Elektrodenf lacHe ^4/ in der die Inseln ^5, eingebettet werden, ^fiillt die Gebiete zwischen den Inseln ^5, unter EinHaltung ^minimaler Designregeln ^aus. Dabei muss beispielsweise die AnodenflSche 4 itiindestens gleicb groE der

Suitme der Kathod^inselfiache ^{sein, daitiit keine SubstratstrSme} zu anderen Cbipelement^n auftreten k5nnen. Weiterbin muss dxe verteilung der Kathodeninseln ⁵ zvm Rand der Anodenfiache ⁴ abnebmen, ^urn die Stromdichte ⁱⁿ der ersten Metallebene ^7, w^lcbe die Anodenzuleitung ^darstellt, annabemd ^{konstant zu}

halten. Die Anbindung der AnodenflScbe 4 erfolgt ^.ebenfalls durch ^{Kontakte- 6 zu} der erste Metallebene 7. wobei eine

fJberlappuiig der Metallebene ⁷ an den Aufienseiten notwendig ^ist, und dadurch ein vierseitiger Anschluss der AnodenflSche 4 tSber

die erste Metallebene ⁷ an eine zugehOrige Leitung maglich

wird. ^{,• >}

in den Figuren ^2' bis ^{5 ist eine} Umsetzung ^{der erf}indungsgemaSen ftnordnung in verschiedenen, vJbereinander liegenden Layoutefoenen 30 dargestellt. Die unterste Ebene ist in der Figur 2 dargestellt.

in dieser Ebene sind ^die Kathodeninseln ⁵ und die Anodenflache

4 im siliziuxnsubstrat dargestellt. Sowohl die Kathodeninseln ⁵ als auch die Anodenf^{lache 4} sind mit KontaktstSpseln ^{6 ftir}

d^

Anschluss an die erste Metalleben ^{7 bestiickt}

.

3'5

in der Figur ³ ist die Verbindung der Kathodeninseln 5 und ^der Anodenfiache 4 mit der ^dariiber liegenden ersten Metallebene ⁷ dargestellt. Alle AnodenanschlGsse werden ^auf eine gemeinsame

20. Feb. 2004 13:59 LIPPERT, STACHOW, SCHMIDT&PARTNER _{Nr. 0669 S. 12}

8 ^{" , .}

Metallplatte in der ersten Metallebene 7 gef<ihrt, di^ dann an alien Seitenrandern -beispielsweise mit dem GND-Bus verbunden wird. Die Metallf lachen -ober den Inseln 5 sind in der ersten Metallebene 7 sowolil zueinander als auch gegenuber der

5 restlichen Metallflache der gleichen Ebene isoliert und warden durch Kontakte 6 von der ersten Metallebene 7 nacb oben zu der darizber liegenden zweiten Metallebene ⁸ verbunden. Derartige Kontakte 6 werden auch als Via's bezeichnet.

10 In der Figur 4 ist die erste Metallebene ^'7 mit den Via- Kontakten dargestellt, Diese Via-Kontakte werden dann mit der zweiten Metallebene 8 verbi^nden. .

•

In der Figur 5 ist die zweite Metallebene 8 mit den verbundenen Via-Kontakten dargestellt, Diese Metallebene 8 wird Mnreichend groS dimensioniert, so dass sie keine Schadigxmg 'nach einer Strombelastung durch eine elektrostatische Entladung aufweist.

Die Anbindimg^ beispielsweise an ein Input-PAD, erfolgt tiber

diese Metallebene 8. ^'

'

20

of^ZOol^^^^ NVS:FAXG3.^

^Seite12von22)

sSreS^^

Nr. 0669 8. 13

UPPERT^STACHOW, SCHMIDT&PARTNER Ad-ak/ak

Paitntanwaite•Eutopt anPatent Attorneys^•EwopeanTrademarkAttorneys ^f o n -c» W'k*-i-» *5Hn/

KrenkelstraBe3. D-01309 Dresden 20. Fetoruar ^UU4

Telefbn +49(0)351.31818-0 Telefax +49(0)351.318 1833

Zentnxm ulkroelektronlk Dresden AG 01109 Dresden

10 Schutzdiode ^zust Schutz von Halbleiterschaltkre£se!a gegen elektrostatische Kntladungen

BezuaszeiGlienliste

1 Schutzdiode

. 2 Interne Schaltiing 3 Input PAD

4 Anodenfiaciie ^' 5 Kathodeninsel 20 6 Kontakt

7 erste Metallebene

8 zweite Metallebene

25

20. Feb. 2004 13:59 LIPPERT, 8TACH0W, 8CHMIDT&PARTNER ^Nr. 0669 ^{S. ' 14}

10

LIPPERT,STACHOW,SCHMIDT &PARTNER Ad-ak/ak

(went>™;>lte-6urepMnP»tB*Altom«ys-EuropBmTni<l>iiiiiiltAHointif» 20. FsbrUar 2004

KrenkelstraBe3^•D-01309Dresden Telefon +49(0)3 51.318^1B-0 Telefax +49(0)3^{51.3 1818 33}

Zentrum Mikroelektronik Dresden AG 01109 Dresden

10 schutadiode aum Schutz yon Halbleiterschaltkreisen gegen elektrostatische Entladungen

, l. Anordmmg ^einer Scliutzdiode ^zuin Schutz von Halbleiter- schaltkreisen ,

gegen elektrostatische Bntladungen, bestehend aus

'

kindestens einer Planardiode mit zwei Elektroden, bei der die Elektroden. jeweils durch eine Vielzahl von Kontakten kontaktiert sind und die Kdntakte 20 tiber Metal lebenen mit ^der Betriebspannmig, ^einera PAD .Oder

' der Masse verbimden ^sind, dadurch gekennzeichiiet, dass die Planardiode aus einer ersten inselfSrmigen Blektrode (5)

besteht, die von einer zweiten Elektrode ⁽⁴⁾ umschlossen

. wird, dass die Kontakte ⁽⁶⁾ der ersten Elektrode ⁽⁵⁾ mit 25 einer ersten Metallebene ⁽⁷⁾ und die Kontakte (6) der zweiten Elektrode ⁽⁴⁾ mit ^{einer dariiber} liegenden ^zweiten Metallebene (8) kontaktiert ^sind. ,

i / . . .

2. Anordnung nacb ^{Anspruch' 1, dadurcb} gekennzeidmet, dass 30 mehrere Planardioden nebeneinander angeordnet ^sind.

• 3.Anordnung nacb ^{Anspruch 1,} dadurch gekennzeiclmet, dass mehrere Planardioden ⁱⁿ einem Array ^{angeordnet sind.}

35 ^4. Anordnung nach ^{Anspruch 2 und 3,} dadurch gekennzeichnet

,

dass die Planardioden ^zu einer Funktionseinheit zusammengeschaltet ^sind.

\1H

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Betreff:22Seite(n) empfangen

20. Feb. 2004 14:00 . LIPPERT, STACHOW, 8CHMIDT&PARTNER Nr. 0669 8. 15

5

11

S.Anordnung ^{nacli Anspruch 1,} aadurcH gekennzeiclmet^, dass die Vielzahl von Kontakten ⁽⁶⁾ durch eineii Kontakt ersetzt ist

.

6,. Anordnung nach Aaspmch 1, dadurch gekennaeiohnet, dass die inselfSrmige ^{Elektrode (5)} eine kreisf5rndge ^{Oder eine} n-eckige Form aufweist.

(

20. Feb. 2004-U:00 ^• ^ LIPPERT, STACHOW, SCHMIDT&PARTNER Nr. 0669 ^8. 16

u.-

FAXG3Nr:342733 von NVS:FAXG3.I0.0202/03513181832 anNVS:PRINTER.0101/LEXMARK2450(Seite16 von 22) Datum20.02.04 13:51 -Status:ServerMRSDPAM02(MRS4.00)ubernahmSendeauftrag

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20. Feb. 2004 14:01 LIPPERT. STACHOW, 8CHMIDT&PARTNER Nr. 0669 ^8. 18

CO

if.

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Betreff:22Seite(n)empfangen

20. Feb. 2004 14:02

1

LIPPERT/STACHOW, SCHMIDT&RARTNER ^Nr. 0669 ^{S. 19}

FAXG3^Nr:342733von NVS:FAXG3.I0.0202/03513181832 anNVS:PRINTER.0101/LEXMARK2450 ^{(Seite20 von22)} Datum20.02.04 13:51 ^- Status:ServerMRSDPAM02(MRS4.00)ubernahmSendeauftrag

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