Arrangement for the examination of ions, atoms and molecules in gases and liquids

(1)

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1

of 2

Arrangement ^for the examination of ions, atoms and molecules in gases and

liquids

Publication

number:

Publicationdate:

Inventor:

Applicant:

Classification:

-international:

-European:

Application

number:

Priority

number(s):

DE3835339 1989-04-27

ZIMMER GUENTER PROF DR (DE); DOBOS KARL DR

(DE)

FRAUNHOFER GES FORSCHUNG (DE)

G01 N27/41 _4; G01N27/403;

(IPC1-7):

G01N27/12;

H01L29/78 G01N27/414

DE1 9883835339 19881017

DE1 9883835339 19881017; DE1 98737351 20 19871016

Fig. 1

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Abstract of DE3835339

An arrangement

is

described

for

examining

ions,

atoms and molecules

in

gases and

liquids

using a

field-effect

semiconductor component

In

known gas-sensitive

field-effect transistors,

the

shifting of

the threshold voltage by the

particlesto

be detected

is

used

for

the

measurement Since the threshold voltage depends

strongly

on the

position of

the working

point,

the measurement

isfalsified

by working-point

instabilities.

The new

arrangement draws,

for

the measurement, on the change

in

the

amplification factor

by the

particles to

be detected. The gate electrode

is

composed of

partial

electrodes

(4)

which have no conducting connection

with

the gate contact

(3).

Under the

influence of

the

particlesto

be measured, an increasing number

ofpartial

electrodes

(4)^is

connected

to

the gate contact

(3),

which increases the

effective

area

of

the gate electrode and the

amplification factor

of the arrangement

Data supplied from the esp@cenet database

^-

Worldwide

http://v3.espacenetxom/textdoc?DB=EPODOC&IDX=DE3835339&F=0 4/4/2008

(2)

® © Of f 811 l&Q U 11 gSSCH ^flf ^t ©

^Int.^CI. ^:

DEUTSCHLAND

@ QE 3835339 A1 _Slu

2^/7

2

8

7/12

DEUTSCHES PATENTAMT

@

Aktenzeichen: P3835 339.3

@

Anmeidetag; _17.10.88

(§) Offenlegungstag: 27. 4.89

8 m to CO CO LU

Q

®

^Innere^Prloritat:

(§)(§) @

16.10.87

DE

3735120.6

@

^Anmelder:

Fraunhofer-Gesellschaft zurForderungder

angewandten

ForschungeV, 8000Munchen,

DE

* Erfinder:

Zimmer,Gunter,Prof.Dr._r4100 Duisburg,DE; Dobos, KarlfDr.,4600Dortmund,

DE

8 m

oo CO HI

Q

Prufungsantraggem.§44PatGistgestellt

® ^Anordnung

^zurUntersuchung vonlonen,

Atomen

und Molekulenin

Gasen

undFliissigkeiten Beschrieben wird elneAnordnungzurUntersuchung von

lonen,Atomenund MolekuleninGasen und Fliissigkeiten durcheinHalbleiterbauelement mitFeldeffekt. Beibekann- ten gassensitivenFeideffekttransistorenwirddieVerschie- bung der Schwellenspannungdurchdienachzuweisenden Teilchen zur Ivlessung herangezogen. Da die Schwellen- spannungstarkvonderLage desArb'eitspunktes abhangt, wird die Ivlessung durch Arbeitspunkt-Instabllitaten ver- falscht.Dieneue Anordnungzieht zur Ivlessung dieAnde- rung desVerstarkungsfaktors durchdienachzuweisenden Teilchen heran. Die Gate-EiektrodeistausTeilelektroden₍₄₎ zusammengesetzt,die kerneleitendeVerbindungmit

dem

Gate-Kontalct₍₃₎aufweisen.DurchEinwirkungderzumes- sendenTeilchenwerdenzunehmendmehrTeilelektroden₍₄₎

' mit

dem

Gate-Kontakt₍₃₎verbunden,wodurchdiewirksame

» FlachederGate-Elektrodeundder Verstarkungsfaktorder Anordnungzunehmen.

Fig. 2

BUNDESDRUCKEREI

03.89 908 817/618

(3)

OS ^{38 35 339}

1

2

Besghreibung

Nach

Anspruch 2 werdendieTeilelektrodenineinem vorgebbarenmittierenAbstandzueinanderangeordnet DieErfindungbetriffteine

Anordnung

zur Untersu-

Wenn

zu messendeTeilchen oberhalbeinerSchweUen-

chungvonIonen,AtomenundMolekuleninGasenuiid

Konzentration aufdenFeldeffeteransistor einwirken,

'

Hussigkeiten durch^einHalbleiterbauelement mitFeld- 5 werdenalleisoliertenTeflelektroden annaherrid^gleich- effekt,der durch eine^isolierteGate-EIektrode hervor- ^zeitig^leitendmiteinander verbunden,wodurchder Ver- genifenistsowieeinVerfahrenzurHersteUunguiidein starkungsfaktor sprunghaft ansteigt Unterhalb der MeBverfabrenunter

Verwendung

einererflndungsge- SchweUen-Konzentrationstelltsich einGleic^ewicht

maBen

Anordnung. zwischen adsorbierendenunddesorbierenden Teilchen Halbleiterbauelemente mit Feldeffekt konnen zurn _to ein,daszukeinerleitendenVerbindungzwischenden Nachweiseiner VielzahlverschiedenartigerAtome,Io- Teilelektroden fiihrt Diese Ausgestaltung der ^Erftn- nen oder MolekuieinGasen undFlussigkeiten dienen. dungweist somit zweiZustandeoberhalbbzw.unter- Siewerden beispielsweise herangezogen, urn die Zu- halbeinerSchwellen-Konzentration aufundwirktwie saramensetzung

von

Gasen undFlussigkeitenzuanaiy- ein Schalt-Translstor. _m sierenoderdieKonzentration

besUmmter Komponen-

is

Wenn

die Teilelektrodennach Anspruch3nachei-

tenzumessen.

Aus

derPatentschrift

DE

2947 050sind

nem

geometrischenMusterausgenchtet^and,,konnen MetaMoxid-Halbleiterstrukturen

(MOS)

zurnNachweis vorteilhafteWirkungender

Anordnung

erzieltwerden.

von

ChemlkaHeninFlussigkeitenodergasformigen

Me-

Beispielsweise kanndieSchwellen-Konzentration bei dienbekannt

OSFET,

Ion-Sensitive Field Effect Transi- deraoben genanntenSchalteffektgenaufestgelegtwer-

stor;

CHEMFET,

ChemicalSensitive Field EffectTran- 20 deh."NachAnspruch 4^eignetsich hierfurbeispiekweise sistor).Bei diesenBauelementenrufendienachzuwei- ^eineAusgestaltung,beiwelcherdieTeilelektrodenals

sendenTeilcheneineVerschiebung der Schwelienspan- Streifen ausgebildetundparallelzueinander angeordnet nungdesFeldeffekttransistorshervor, diezurKonzen- sind. Bei gleichen Abstanden zwischen den Streifen trationsbestimmungherangezogen wirdOblicherweise (nachAnspruch5)werdenalleTeilelektroden beider-

flMt

durch denFeldeffekttransistor ein kleiner kon- 25 selben Konzentration derzuuntersuchenden Teilchen stanterStrom

und

diedurch diesenStromhervorgeru- leitendmiteinanderverbunden undder Verstarkungs- feneSpannungzwischen der Gate-EIektrodeund der ^faktorwird sprunghafterhoht DieStreifenkonnenda- Source-Elektrode wird gemessen.DurchdieVerschie- bei so angeordnetsein,daBzuniindestemigenut

dem bung

derSchweUenspannungtritteineAnderungder Gate-Koritaktverbundensindund uber den gesamten Gate-Source-Spannungauf,die ein

MaB

fur die

Kon-

30 Kanaiverlaufen.DieseStreifenbildenbereitsvor

dem

zentrationderzu messendenTeilchendarstellt

Da

auch Kontaktmit

dem

^zuuntersuchenden

Gas

oder derHus- eineVerschiebung des Arbeitspunktes desFeldeffekt- sigkeiteineGateflache, diezu

emer

Transistorwirkung transistors,die beispielsweisedurch Alterung^des,Bau- fQhrt Durch die leitende Verbindung zwischen den

teils,Temperatur- oder Druckanderunghervorgerufen StreifenwirddieGateflachevergroBert, die Transistor- wird, zu einerAnderung der Gate-Source-Spannung 35 wirkungverstarkt Diese Ausgestaltung^1stvorteilhaft fuhrt,kanndas MeBsignalnichtvoneiner DriftdesAr-

wenn

die

Anordnung

bereitsvorder

Messung

einen beitspunktes unterschieden werden. Deshalbeignet sich bestimmtenVerstarkungsfaktor aufweisen ^soil. ^In^ei- ein solcherSensornurzurnNachweis vonTeilchen, bei

nem

zweiten^Fallkonnendie Streifenurn 90° yerdrent denendas MeBsignal sehrgroB imVergleich zuriibli- verlaufen,wobei vorder

Messung

^hochstens^ein^Strei- chenArbeitspunkt-Instabihtatist 40 fenmit

dem

Gate-Kontakt verbunden^1stunddieAn-

Der

ErfindungliegtdieAufgabezugrunde,eineAn- ordnung nochnichtalsTransistorwirkt DieseAusge-

ordnungzurUntersuchungvonIonen,AtomenundMo-

^staltung^ist^dann vorteilhaft,

wenn

die Differenz zwi- lekiilenin

Gasen

undHussigkeiten zurVerfugung zu schendenVerstarkungsfaktoren vor

und

nachderZu-

stellen,deren MeBsignal unabhangigvoneinerInstabili- fuhr derzu messendenTeilchenmoghchst groB

sem

^soil.

tatdesArbeitspunktesist ⁴⁵

Neben

diesenbeispielhaftherausgegriffenenAnord- Weiter istes Aufgabe der Erfindung, ein Herstel- nungenistdieAusrichtung der paraUeien^Streifenunter lungsverfahrenund einMeBverfahrenunterVerwen- jedem^beiiebigenWinkelmoglich.Die

Anordnung

^der

,

^am,

u -.w^.^,.- ^-

^u--

^{^} ^Streifenkann nach Anspruch6sogewahltwerden,daB Eine erfindungsgemaBe Losungdieser Aufgabe ist dieAbstandezwischendenStreifennach emervorgeb- mitihrenWeiterbildungenindenPatentanspruchen ge- 50 barenRegel zunehmen.^BeidieserWeiterbildung wer-

kennzeichnet ^{^} denmitzunehmenderKonzentration derzu messenden

ErfindungsgemaB bestehtdie Gate-EIektrodeeines Teilchen

mehr

und

mehr

Streifenmiteinanderleitend Halbleiterbauelements mitFeldeffektausTeilelektro- verbunden unddieFlache der Gate-EIektrode vergro- den,

von

denenwenigstensemigekeineleitendeVerbin- Bert

Auf

dieseWeise kanndie

Anderung

derKonzen- dungmit

dem

Gate-Kontaktaufweisen.

Nur

die Teil- 55 trationdurch

Messung

derVeranderungdesVerstar- elektroden, diemit

dem

Gate-Kontaktleitendverbun- kungsfaktorsbestimmtwerden.

densind,tragenzurn FeldeffektdesHalbleiterbauele- Selbstverstandlichistdie

Anordnung

derTeilelektro- mentsbei.Siebilden dieGatelelektrodeeines Feidef- den nachgeometrischenMusternnichtaufdie beschrie- fekttransistorsmiteinemniedrigen Verstarkungsfaktor, benenBeispielebeschrankt

Wie

ineinemAusfuhrungs- der urn so niedrigerist,jewenigerTeilelektroden mit eo beispielnaherbeschrieben,konnenunterschiedlichedis-

dem

Gate-Kontakt in Ieitender Verbindung stehen. kreteAbstSndegewahlt werden, urn^beiverschiedenen

Wenn

durchGas-oderFiiissigkeitszufuhr die isolierten Schwell-Konzentrationenmehreresprunghafte Veran- Teilelektrodenleitendmiteinanderverbundenwerden, derungendes Verstarkungsfaktorszuerreichen.

wirddieFlacheder Gate-EIektrode vergroBertMitver-

Genugen

dieAbstandeder Teilelektrodennach An- groBerter Gate-EIektrodewird auch die Kanalflache 65 spruch 7einer statistischen Verteilung,dann fiihrtim undder VerstarkungsfaktorvergroBertDie

Anderung

Mitteljede Erhohungder Teilchen-Konzentrationzu des VerstarkungsfaktorswirdalsMeBsignal herangezo- einer elektrischenVerbindungweitererTeilelektroden,

gen. sodaBeinzur Konzentrationsanderung proportionales

(4)

3 4

MeBsignal entsteht Fig.2 eine schematische Darstellung einer erfin-

EinevorteilhafteWeiterbiidungder Erfindungistin dungsgemaBenAnordnunginDraufsicht mitstatistisch

Anspruch8gekennzeichnet Die Teilelektrodenliegen verteiltenAbsta^idender Teilelektrodenund

in unterschiedlichen Schichten, die durch isolierende Fig.3einen Querschnittdurcheineerfindungsgema- Zwischenschichtenvoneinander getrenntsind.Schich- 5 BeAnordnungmit Teilelektrodenin unterschiedlichen tenundZwischenschichtensindmitDurchlassenfurdie Schichten.

zu untersuchenden Teilchen versehen. Die Zwischen- ZurbesserenYeranschaulichungsind dieTeilelektro- schichten konnen sehr diinn gewahlt werden (einige den undihreAbstande nichtmaBstabgerechtgezeich- Angstrom), sodaBauBerst geringeAbstandezwischen net.

denTeilelektroden entstehen.Damit konnensehrnied- 10 Die Anordnungin Fig.1 besteht auseinemDrain- 5 rigeKonzentrationenvonTeilchennachgewiesenwer- und einemSourcebereich6,dieineinerHalbieiterober-

den. , flache integriert sindund denentsprechendenKontak-

InAiispruch 9isteine selektivwirkende

Anordnung

ten1, 2.

Der

Gate-Kontakt 3istleitendmitdrei Teilelek- beschrieben.DieTeilelektrodensindalsleitende Berei- troden4verbunden.DierestlichenTeilelektroden4sind cheausgebildet, dieineineminnenporosen Materialein- 15 ineinemgeometrischenMustersoangeordnet,daBsie gelagertsind.Dasinnenporose Material^istfurbestimm- ^fiinfSpaltenineinem Abstandabilden.DieSpaltensind teTeilchendurchlassig, dieindas Material eihdringen in22Reihen miteinemkleinerenAbstandbunterteilt.

und die Teilelektroden elektrischmiteinanderverbin- Zwischen den Teilelektroden besteht keine leitende

den. Verbindung,so daBkeineTransistorwirkunggegeben

Nach

Anspruch10werdendieTeilelektrodenmitHil- 20 ist.

Wenn

dienachzuweisendenTeilchenauf dieAnord-

fevonVerfahrenhergestellt,dieinderHalbleitertech- nungeinwirken,werdenbeieinerbestimmten Konzen- nik iiblichsind.Damit konnen Strukturenim Bereich tration dieTeilelektroden innerhalb der Spaltenmitein- von wenigenzehntelbis zueinigenzehnu.hergestellt ander elektrisch verbunden. Dadurch entsteht eine werden. Wesentlich kleinere Abstande zwischen den wirksame Gate-Elektrode aus fiinfLeiterbahnen. Die Teilelektroden werden mit Verfahren erreicht, die in 25 Anordnungbesitzteinen Verstarkungsfaktor

Da

alle

denAnspruchen11 und 12gekennzeichnetsind.

Nach

Abstande bzwischenReihengleichsind,setztdieVer- Anspruch11entstehendieTeilelektroden dadurch,daB starkung bei einer Schwellen-Konzentration plotzlich einesodiinneSchichtausleitendem Materialaufgetra- ein.B$i weitererErh6hungder Konzentrationbleibt die genwird,daBkeinezusammenhangendeleitendeFlache Verstarkungbis

zum

Erreicheneinerzweiten Schwel- entsteht Durch unvollstandiges Aufdampfen konnen 30 len-Konzentration konstant Bei Oberschreiten der Abstandevon wenigen Angstrom zwischen den Teil- zweiten Schwellen-Konzentration werden auch die elektroden erzielt werden. Ebenso geringe Abstande Spaltenleitendmiteinanderverbunden unddieVerstar- konnen nach Anspruch 12 hergestellt werden, indem kungsteigtsprunghaft auf einen Verstarkungsfaktor eine diinne leitendeSchichtdurch Temperierung,Laser- Mit einer solchen

Anordnung

kann die Existenz von Temperierungoder Implantation behandeltwird.Dieso 35 Teilchennachgewiesenwerden,

wenn

eine ersteKon- behandelteSchicht ziehtsichzusammen, wobeivonein- zentration erreichtistErreicht dieKonzentration einen ander getrennteTeilelektroden entstehen.Derarther- zweiten(z.B.kritischenWert),kanndasOberschreiten gestellte Anordnungen eignen sich besonders

zum

diesesWertesangezeigtwerden.

NachweisgeringerTeilchen-Konzentrationen. DieTeilelektroden4derinFig.2dargestelltenAn- Ein besondersvorteilhaftesVerfahren zur Messung 40 ordnung bestehen auswillkilrlichgeformtenleitenden der Veranderung des Verstarkungsfaktors ist in An- Flachen, die statistischverteilte Abstande zueinander spruch13gekennzeichnet

Dem

Transistor,dessenAr- aufweisen.Einesolche

Anordnung

kannbeispielsweise beitspunkt mit einer Gleichspannung stabilisiert ist, durch Auftragen einer dtinnen geschiossenen Schicht wird zusatzlich eine Wechselspannungzugefiihrt Die undanschlieBender thermischerNachbehandlungher- Veranderungdes WechselspannungssignalsbeiderEin- 45 gestellt werden.Mitzunehmender Konzentration der wirkungvonTeilchen wird gemessen. zu messendenTeilchen werden

mehr

und

mehr

Teil-

Der

Vorteilder Erfindung liegtinsbesonderedarin, elektroden4untereinanderundmit

dem

Gate-Kontakt daBzurMessungder KonzentrationvonTeilchen an- verbunden. Der Verstarkungsfaktor der

Anordnung

steile derVerschiebung der Schwellenspannungeines steigtproportionalzurKonzentrationan.

Feldeffekttransistors dieAnderung des Verstarkungs- 50 Fig.3zeigt eine

Anordnung

zur

Messung

geringer faktorsherangezogenwird.

Da

der Verstarkungsfaktor Teilchen-Konzentrationen.In ein Halbleitersubstrat 11 unempfindlich aufeineVeranderungdesArbeitspunk- sind die beieinem Feldeffekttransistor ttblichen stark tes reagiert,wird dasMefisignal nichtwesentlich von dotiertenBereichefurDrain 5und Source 6eingelagert, einer Instabilitydes ArbeitspunktesbeeinfluBt darttberistdie Isolationsschicht8angeordnet.DieGa- DieAnordnung eignet sichzur Untersuchung aller 55 te-Elektrode bestehtaus Teilelektroden 9und10,wobei Ionen,

Atome

undMolekule,diezueiner leitendenVer- dieTeilelektroden9aus einer erstenSchichtunmittel- bindung zwischen den TeilelektrodenfOhrt, Beispiels- bar auf derIsolatorschicht,und die Teilelektroden 10 weisekonnenbereitsgeringe

Mengen

von

Ammoniak

auseinerdartiberliegendenSchicht herausgebildetsind.

oderKohlenmonoxidnachgewiesen werden.

Der

Nach- DieTeilelektroden 10werdendurchDistanzstlicke12 weisdieserGasespieltsowohlfUr dieReduzierung der ao getragen.DieDistanzstlicke12sindauseinerisolieren-

Umweltbelastungalsauchfurchemische ProzeBablaufe denZwischenschichthergestellt,dieden Abstandzwi- einewesentlicheRolle. schendenleitendenSchichtenbestimmtAlsZwischen- DreiAusfiihrungsbeispieleder Erfindungsindinden schichtkanneinesehrdiinneOxidschichtvon wenigen Zeichnungendargestelltund werden imfolgenden na- Angstromaufgetragen werden,diezu einemsehrgerin- herbeschrieben.Eszeigen: ₆₅ gen AbstandzwischendenTeilelektroden9und10 aus Fig.1 eine schematische Darstellung einer erfin- denverschiedenen SchichtenfiihrtDie engbenachbar- dungsgem£Ben AnordnunginDraufsichtmit regelma- ten Teilelektroden werden bereits bei sehr niedrigen BigangeordnetenTeilelektroden, Konzentrationen leitend miteinander verbunden. Eine

(5)

OS ³⁸ ^{35 339}

5

solche

Anordnung

besitztdeshalbeinehohe Nachweis- zogenwird.

empfmdh'chkeit

Patentanspruche

5 I.

Anordnung

zurUntersuchung

von

lonen,Ato-

men

und ^Molekiilenin

Gasen

undFlussigkeiten durcheinHdbleiterbaueiement^rait^Feldeff^ekt,der durcheineisolierteGate-Elektrode hervorgerufen

ist,dadurchgekennzeichnet,daBdieGate-Eiek- io trodeaxisTeilelektrodenbesteht,von denenwenig- stens einigekeineleitendeVerbindung mit dera Gate-Kontaktaufweisen.

Z Anordnung

nach Anspruch^1,dadurch gekennzeichnet^daBdieTeilelektrodenineinemvorgeb- is

baren ^raittleren Abstand zueinander angeordnet sind.

3.

Anordnung

nach Anspruch ¹ ^oder^2, ^dadurch gekennzeichnet,daBdieTeilelektrodennacheinem.

geometrischenMusterangeordnet^sind. ^ 20 4.

Anordnung

nach einemderAnspruche 1 bis3,

dadurchgekennzeichnet,daBdieTeilelektrodenals Streifen ausgebildetundparallelzueinander angeordnet sind

5.

Anordnung

nach einemderAnspruche1 bis3, 25 dadurch gekennzeichnet daB die Teilelektroden gleichabstandig angeordnet^sind.

ft

Anordnung

^{nach einem}^der^Anspruche ¹ ^bis^4, dadurch gekennzeichnet, daB die Abstande zwi- schendenTeilelektrodennacheinervorgebbaren 3&

GesetzmaBigkeitzunehmen.

7.

Anordnung

^{nach einem}^der^Anspruche ¹ ^bis^4, dadurch gekennzeichnet, daB die Abstande zwi- schendenTeilelektrodeneiner statistisehen Vertei-

lunggenilgen. ³⁵

8.

Anordnung

nach Anspruch1,dadurch gekennzeichnet;daBdieGate-Elektrode ausmehrerenlei-

tenden Schichten aufgebaut^ist,^diedurchisolieren-

deZwischenschichten getrennt^sindund^Durchlas- sefur diezuanalysierenden Teilchenaufweisen, 40 und daB^dieTeilelektrodeninwenigstens zwei un- terschiedlichenSchichten angeordnet^sind.

9.

Anordnung

nach Anspruch 1,dadurch gekenn-

.„ zeichnet,daBdieGate-Elektrode auseineminnen- porosenMaterial (Molekularsieb)besteht, inwel- 45

chem

leitendeBereicheeingelagertsind.

10.Verfahren zur Herstellung ^einer

Anordnung

nach einemderAnspruche1 bis8,dadurchgekennzeichnet;daBdieTeilelektroden mitHilfeder Foto- lithographieund/oderder Ionenimpiantation und/ ⁵⁰ oderderLaser-Ausbrennungstrukturiertwerden.

II. Verfahren zur Herstellung ^einer

Anordnung

nach einemderAnspruche1 bis7,dadurchgekennzeichnet,daBdieTeilelektroden durch Auftragen einerunvollstandigen Schicht^gebildetwerden. 55 12.Verfahren zur Herstellung ^einer Anordnung nach einemderAnspruche1bis7,dadurch gekennzeichnet,daBdieGate-Elektrode durch Auftragen einerSchichtgebildet wird, die sichdurch

Tempe-

rierung, Laser-Temperierung oder Implantation eo zusarnmenzieht,wobeivoneinander getrennte^Teil- elektrodenentstehen.

13.Verfahren zurUntersuchung von^Ionen,Ato-

men

und MolekOlenⁱⁿ

Gasen

und Flussigkeiten unter

Verwendung

einer

Anordnung

nach einem 65 derAnspruche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daBdieAnderungder Verstarkung^einesWechsel- spannungs-ReferenzsignalsalsMeBsignai herange-

(6)

(7)

Nummer:

IntCI.4

:

Anmeidetag:

Offenlegungstag:

3835339

G01N

27/12 17.Oktober1988

27.April1989

X5 3835339

n n

o a

o

O

~ET

a a a

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o a o o

a a

a o

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7f

Fig.

1

908817/618

(8)

(9)

Arrangement for the examination of ions, atoms and molecules in gases and liquids

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Arrangement for the examination of ions, atoms and molecules in gases and

liquids

number:

number:

number(s):

DE3835339 1989-04-27

ZIMMER GUENTER PROF DR (DE); DOBOS KARL DR

(DE)

FRAUNHOFER GES FORSCHUNG (DE)

G01 N27/41 4; G01N27/403;

G01N27/12;

H01L29/78 G01N27/414

DE1 9883835339 19881017

DE1 9883835339 19881017; DE1 98737351 20 19871016

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Abstract of DE3835339

An arrangement

described

examining

atoms and molecules

gases and

using a

semiconductor component

known gas-sensitive

the

the threshold voltage by the

be detected

used

the

measurement Since the threshold voltage depends

on the

the working

the measurement

by working-point

The new

arrangement draws,

the measurement, on the change

the

by the

be detected. The gate electrode

composed of

electrodes

which have no conducting connection

the gate contact

Under the

the

be measured, an increasing number

electrodes

connected

the gate contact

which increases the

area

the gate electrode and the

of the arrangement

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http://v3.espacenetxom/textdoc?DB=EPODOC&IDX=DE3835339&F=0 4/4/2008

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DEUTSCHLAND

@ QE 3835339 A1 Slu

2

7/12

DEUTSCHES PATENTAMT

@

@

8

m to CO CO LU

Q

®

(§)(§) @

DE

@

angewandten

DE

DE

8 m

oo CO HI

Arrangement ^for the examination of ions, atoms and molecules in gases and

G01 N27/41 _4; G01N27/403;

® © Of f 811 l&Q U 11 gSSCH ^flf ^t ©

@ QE 3835339 A1 _Slu

® ^Anordnung

OS ^{38 35 339}