WS 05/06 Angewandte Festk¨orperchemie Vorlage 2.8
2.4.3. Herstellung von Halbleitern
Anregung mit ElektronenRöntgen
ν
1 2 3 4
K L LIII
K L LIII
K L LIII
K L LIII
− x x
e
x x
e− e− e−
2+
A
+
e + A− + *
A + e−
EPMA RFA
XPS AES
XPS
A + h
AES 2
EPMA RFA
e− hν
1
3 Elektronenspektroskopie Röntgenspektroskopie 4
Elementanalytik bei der MBE
Molekularstrahl PBN
Knudsen mechanischer Verschluß Langmuir Ta-Hitzeschild
Quellen bei der MBE
LPE MBE
Temperatur ≤Mpdes Endprodukts Mp (GaAs:<630oC)
Geschwindigkeit hoch niedrig (1 ˚A/s)
St¨ochiometrie problematisch (Mischkristallbildung) problemlos
Oberfl¨achen- vor oder nach dem in situ
behandlung Experiment z.B. mit Ionensonde
(pr¨a/post) letzte Schicht abtragen
Multi-Layers aufwendig und begrenzt problemlos und unbegrenzt Analytische Kontrolle nur nachher in situ (Auger, RHEED...)
apparativer Aufwand gering sehr groß
Vergleich von LPE und MBE
2.4.4. Anwendung von Halbleitern
Prinzip: p-n- ¨ Ubergang/Gleichrichterdiode
Spannunglos n− und p−Halbleiter d
getrennt Sperrichtung
d d
Durchlaßrichtung p
n
U
0n p
0
