Dioda nadawcza LD271 Dane techniczne:

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Dioda nadawcza LD271

Dane techniczne:

Nazwa: LD271

Rodzaj fotoelementu: nadajnik IR Montaż: przewlekany(THT) Średnica: 5mm

Moc : 220mW Prąd diody: 130mA Napięcie diody: 5V Długość fali: 950nm Kąt świecenia: 25

°

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Robert Stępień Hurtownia Części Elektronicznych; Adres: ul. Wolumen 2, pawilon 71; 01-912 Warszawa; tel.: 601 296 402 / sklep@podzespoly-elektroniczne.pl

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Wesentliche Merkmale

● GaAs-IR-LED, hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren

● Hohe Zuverlässigkeit

● Hohe Impulsbelastbarkeit

● Lange Anschlüsse

● Gruppiert lieferbar

Features

● GaAs infrared emitting diode, fabricated in a liquid phase epitaxy process

● High reliability

● High pulse handling capability

● long leads

● Available in groups

Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

fex06628

7.8 7.5 9.0 8.2 29

27 1.8 1.2

4.8 4.2

ø5.1ø4.8

0.80.4

0.60.4

2.54mmspacing

5.9 5.5

0.6 Area not flat 0.4

Chip position Cathode

Approx. weight 0.2 g

GEO06645

5.9 5.5

0.6 0.4

ø5.1 ø4.8

2.54 mm spacing

7.8 7.5 9.0 8.2

4.8 4.2 11.4 11.0 14.0

13.0 1.8 1.2

1.3 1.0

Area not flat 0.6

0.4

Cathode Chip position ^GEX06239 Approx. weight 0.5 g

1.0 0.7

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LD 271, LD 271 H LD 271 L, LD 271 HL

Grenzwerte

Maximum Ratings Typ

Type

Bestellnummer Ordering Code

Gehäuse Package

LD 271 Q62703-Q148 5-mm-LED-Gehäuse (T 1³/₄), graugetöntes Epoxy- Gießharz, Lötspieße im 2.54-mm-Raster (¹/₁₀’’) 5 mm LED package (T 1³/₄), grey colored epoxy resin lens, solder tabs lead spacing 2.54 mm (¹/₁₀’’)

LD 271 L Q62703-Q833

LD271 H Q62703-Q256

LD271 HL Q62703-Q838

Bezeichnung Description

Symbol Symbol

Wert Value

Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur

Operating and storage temperature range

T

op;

T

stg – 55 ... + 100 °C

Sperrschichttemperatur Junction temperature

T

j 100 °C

Sperrspannung Reverse voltage

V

R 5 V

Durchlaßstrom Forward current

I

F 130 mA

Stoßstrom,

t

p = 10µs,

D

= 0 Surge current

I

FSM 3.5 A

Verlustleistung Power dissipation

P

tot 220 mW

Wärmewiderstand Thermal resistance

R

thJA 330 K/W

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Kennwerte (

T

A = 25°C) Characteristics

Wert Value

Einheit Unit Wellenlänge der Strahlung

Wavelength at peak emission

I

F = 100 mA,

t

p = 20 ms

λpeak 950 nm

Spektrale Bandbreite bei 50 % von

I

max

Spectral bandwidth at 50 % of

I

max

I

F = 100 mA

∆λ 55 nm

Abstrahlwinkel Half angle

ϕ ± 25 Grad

deg.

Aktive Chipfläche Active chip area

A

^0.25 ^mm²

Abmessungen der aktive Chipfläche Dimensions of the active chip area

L

×

B L

×

W

0.5×0.5 mm

Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel Distance chip front to lens top

H

4.0 ... 4.6 mm

Schaltzeiten,Ie von 10 % auf 90 % und von 90 % auf 10 %, bei

I

F = 100 mA,

R

L = 50Ω Switching times,Ie from 10 % to 90 % and from 90 % to 10 %,

I

F = 100 mA,

R

L = 50Ω

t

r,

t

f 1 µs

Kapazität,

V

R = 0 V,

f

= 1 MHz Capacitance

C

o 40 pF

Durchlaßspannung Forward voltage

I

F = 100 mA,

t

p = 20 ms

I

F = 1 A,

t

p = 100µs

V

F

V

F

1.30(≤1.5)

1.90(≤2.5) V V Sperrstrom,

V

R = 5 V

Reverse current

I

R 0.01 (≤1) µA

Gesamtstrahlungsfluß Total radiant flux

I

F = 100 mA,

t

p = 20 ms

Φe 18 mW

Temperaturkoeffizient vonI bzw.Φ ,

TC

– 0.55 %/K

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LD 271, LD 271 H LD 271 L, LD 271 HL

Gruppierung der StrahlstärkeI_e in Achsrichtung gemessen bei einem RaumwinkelΩ = 0.01 sr Grouping of radiant intensityI_e in axial direction at a solid angle ofΩ = 0.01 sr

Wert Value

Einheit Unit LD 271

LD 271 L

LD 271 H LD 271 HL Strahlstärke

Radiant intensity

I

F = 100 mA,

t

p = 20 ms

I

F = 1 A,

t

p = 100µs Ie

Ie typ.

15 (≥10) 120

> 16 mW/sr mW/sr

Relative spectral emission I_rel=f(λ)

OHRD1938

λ Ιrel

0880 920 960 1000 nm 1060 20

40 60 80

% 100

Radiant intensity Single pulse,t_p = 20µs

I_e

I_e100 mA =f(I_F)

Ι

OHR01038

F

10-1

10⁰ 101

102

10^-2 10^-1 10⁰ A 10¹

Ιe

Ιe(100 mA)

Max. permissible forward current I_F=f(T_A)

T

OHO00364

A

0 ΙF

0 20 40 60 80 C100

mA

20 40 60 80 100 120 140 160 200

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Forward current

I_F=f (V_F), single pulse,t_p = 20µs

V

OHR01041

F

ΙF

1 101

100

10-1

10^-2 A

1.5 2 2.5 3 3.5 4 V 4.5 max.

typ.

Permissible pulse handling capability I_F=f(τ),T_C = 25°C,

duty cycleD = parameter

t

OHR00257

P

10^-5 s

T t_p D=tp

T ΙF

10⁴

ΙF

DC 0.5 0.2 0.1

0.005 0.01 0.02 0.05

mA

10³

10²

10-4 10^-3 10^-2 10^-1 10⁰ 10²

= D 5

5

Radiation characteristicsI_rel=f(ϕ)

OHR01879

0 20 40 60 80 100 120

0.4 0.6 0.8 100 1.0

90 80 70 60 50

0 10 20 30 40

0 0.2 0.4 0.6 0.8 ϕ 1.0

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Dioda nadawcza LD271 Dane techniczne: