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N

Netz-Thyristor Phase Control Thyristor

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T580N

enndaten

Elektrische Eigenschaften

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung repetitive peak forward off-state and reverse voltages

Tvj = -40°C... Tvj max VDRM,VRRM 200 400 600

V V V Vorwärts-Stossspitzensperrspannung

non-repetitive peak forward off-state voltage

Tvj = -40°C... Tvj max VDSM 200 400 600

V V V Rückwärts-Stossspitzensperrspannung

non-repetitive peak reverse voltage

Tvj = +25°C... Tvj max VRSM 250 450 650

V V V Durchlassstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

ITRMSM 800 A

Dauergrenzstrom average on-state current

TC = 85 °C ITAVM 568 A

Dauergrenzstrom average on-state current

TC = 55 °C, θ = 180°sin, tP = 10 ms ITAVM 780 A Durchlaßstrom-Effektivwert

RMS on-state current

ITRMS 1220 A

Stossstrom-Grenzwert surge current

Tvj = 25 °C, tP = 10 ms

Tvj = Tvj max, tP = 10 ms ITSM 6300

5500 A A Grenzlastintegral

I²t-value

Tvj = 25 °C, tP = 10 ms Tvj = Tvj max, tP = 10 ms

I²t 198

151 10³ A²s 10³ A²s Kritische Stromsteilheit

critical rate of rise of on-state current

DIN IEC 60747-6 f = 50 Hz, iGM = 0,6 A, diG/dt = 0,6 A/µs

(diT/dt)cr 200 A/µs

Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage

Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM

5.Kennbuchstabe / 5^th letter F

(dvD/dt)cr 1000 V/µs

Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlassspannung

on-state voltage

Tvj = Tvj max, iT = 1500 A Tvj = Tvj max, iT = 500A

vT max.

max.

1,63 1,12

V V Schleusenspannung

threshold voltage

Tvj = Tvj max V(TO) 1,0 V

Ersatzwiderstand slope resistance

Tvj = Tvj max rT 0,4 mΩ

Durchlasskennlinie 100 A ≤ iT ≤ 2800 A on-state characteristic

vT = A +B⋅iT +C ⋅ln(iT +1) +D⋅ iT

Tvj = Tvj max A=

B=

C=

D=

8,819E-01 6,172E-05 -8,686E-02 3,321E-02 Zündstrom

gate trigger current

Tvj = 25 °C, vD = 12V IGT max. 150 mA Zündspannung

gate trigger voltage

Tvj = 25 °C, vD = 12V VGT max. 1,4 V Nicht zündender Steuerstrom

gate non-trigger current

Tvj = Tvj max, vD = 12V Tvj = Tvj max, vD = 0,5 VDRM

IGD max.

max.

5 2,5

mA mA Nicht zündende Steuerspannung

gate non-trigger voltage

Tvj = Tvj max, vD = 0,5 VDRM VGD max. 0,2 V

Haltestrom holding current

Tvj = 25°C, vD = 12V IH max. 200 mA Einraststrom

latching current

Tvj = 25°C, vD = 12V, RGK ≥ 10 Ω iGM = 0,6 A, diG/dt = 0,6 A/µs, tg = 20 µs

IL max. 620 mA

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse current

Tvj = Tvj max

vD = VDRM, vR = VRRM

iD, iR max. 30 mA Zündverzug

gate controlled delay time

DIN IEC 60747-6 Tvj = 25 °C, iGM = 0,6 A, diG/dt = 0,6 A/µs

tgd max. 3 µs

prepared by: H.Sandmann date of publication: 2009-11-30

approved by: M.Leifeld revision: 3.1

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Thermische Eigenschaften Mechanische Eigenschaften

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Charakteristische Werte / Characteristic values Freiwerdezeit

circuit commutated turn-off time

Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM

vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM

dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs 4.Kennbuchstabe / 4^thletter O

tq typ. 200 µs

Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wärmewiderstand

thermal resistance, junction to case

Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided, θ = 180°sin beidseitig / two-sided, DC Anode / anode, θ = 180°sin Anode / anode, DC

Kathode / cathode, θ = 180°sin Kathode / cathode, DC

RthJC

max.

max.

max.

max.

max.

max.

0,062 0,055 0,092 0,085 0,162 0,155

°C/W

°C/W

°C/W

°C/W

°C/W

°C/W Übergangs-Wärmewiderstand

thermal resistance, case to heatsink

Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sides einseitig / single-sides

RthCH

max.

max.

0,015 0,030 °C/W

°C/W Höchstzulässige Sperrschichttemperatur

maximum junction temperature

Tvj max 140 °C

Betriebstemperatur operating temperature

Tc op -40...+140 °C

Lagertemperatur storage temperature

Tstg -40...+150 °C

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage

case, see annex

Seite 3

page 3 Si-Element mit Druckkontakt

Si-pellet with pressure contact Anpresskraft

clamping force

F 3...6 kN

Steueranschlüsse control terminals

Gate (flat)

Gate (round, based on AMP 60598) Kathode / cathode

A 2,8x0,5 Ø 1,5 A 4,8x0,5

mm mm mm Gewicht

weight

G typ. 70 g

Kriechstrecke creepage distance

6 mm

Schwingfestigkeit vibration resistance

f = 50 Hz 50 m/s²

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Massbild

1 2

4 5 1: Anode / Anode

2: Kathode / Cathode 4: Gate

5: Hilfskathode/

Auxiliary Cathode

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R,t – Werte Diagramme Diagramme

Trans. Wärmewid. beidseitig

Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z

für DC Analytical elements of transient thermal impedance Z

for DC Kühlung /

Cooling Pos. n 1 2 3 4 5 6 7

R

[°C/W] 0,00138 0,00480 0,01087 0,02436 0,01359 - - beidseitig

two-sided

τ

[s] 0,00040 0,00135 0,00685 0,14400 0,82500 - - R

[°C/W] 0,00138 0,00480 0,01073 0,02573 0,04236 - - anodenseitig

anode-sided

τ

[s] 0,00040 0,00135 0,00685 0,18400 1,57000 - - R

[°C/W] 0,00138 0,00480 0,01073 0,02573 0,11236 - - kathodenseitig

cathode-sided

τ

[s] 0,00040 0,00135 0,00685 0,21400 2,57000 - -

Analytische Funktion / Analytical function: ^Z

⁼

Σ

^R

^{1 − e}

b a c

0,00 0,02 0,04 0,06 0,08 0,10 0,12 0,14 0,16 0,18

0,001 0,01 0,1

1 10 100

Z thJC [°C/W]

Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance for DC Z thJC = f(t)

a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling c - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling

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Durchlasskennlinie

Erhöhung des Z

bei Sinus und Rechteckströmen mit unterschiedlichen Stromflusswinkeln Θ Rise of Z

for sinewave and rectangular current with different current conduction angles Θ

∆Z

/ ∆Z

Kühlung / Cooling Θ = 180° Θ = 120° Θ = 90° Θ = 60° Θ = 30°

∆Z

[°C/W] 0,01387 0,02408 0,03241 0,04576 0,07162 beidseitig

two-sided ∆Z

[°C/W] 0,00683 0,01098 0,01691 0,02785 0,05295

∆Z

[°C/W] 0,01369 0,02382 0,03210 0,04539 0,07120 anodenseitig

anode-sided

∆Z

[°C/W] 0,00666 0,01075 0,01665 0,02751 0,05255

∆Z

[°C/W] 0,01368 0,02380 0,03208 0,04536 0,07118 kathodenseitig

cathode-sided ∆Z

[°C/W] 0,00665 0,01072 0,01662 0,02747 0,05253

Z

= Z

+ ∆Z

Z

= Z

+ ∆Z

T

= T

0 500 1.000 1.500 2.000 2.500 3.000

0,5 0,7 0,9 1,1 1,3 1,5 1,7 1,9 2,1 2,3 2,5

V_T [V]

iT [A]

Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic iT = f(vT) Tvj = Tvjmax

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Durchlassverluste

120°

90°

60°

θ = 30°

0 100 200 300 400 500 600 700

0 50 100 150 200 250 300 350 400 450

I_TAV [A]

PTAV [W]

0°

0

Durchlassverlustleistung / On-state power loss PTAV = f(ITAV)

Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current

Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ

180°

120°

90°

60°

θ = 30°

20 40 60 80 100 120 140

0 50 100 150 200 250 300 350 400 450

I _TAV [A]

T C [°C]

0°

0

Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAV) Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current

Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling

Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ

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Tc

180°

120°

90°

60°

θ = 30°

0 100 200 300 400 500 600 700 800 900

0 100 200 300 400 500 600 700

I_TAV [A]

PTAV [W]

0°

0

Durchlassverlustleistung / On-state power loss PTAV = f(ITAV)

Rechteckförmiger Strom / Rectangular current Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ

DC 180°

120°

90°

60°

θ = 30°

20 40 60 80 100 120 140

0 100 200 300 400 500 600 700

I _TAV [A]

T C [°C]

0°

0

Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAV)

Rechteckförmiger Strom / Rectangular current Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling

Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ

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T580N Steuerkennlinie

Zündverzug

0,1 1 10 100

1 10 100

1000 10000 100000

vG [V] Tvj max = +140°C Tvj = -40°C

a

b c d

Tvj = +25°C

Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zündbereichen für VD = 12 V Gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 12 V

Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation PGM = f (tg) : a - 40W / 10ms b - 80W / 1ms c - 100W / 0,5ms d – 150W / 0,1ms

100 1000 10000

1 10

100

Qr [µAs]

iTM = 1000A

10A 20A 50A 100A 200A 500A

Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(di/dt) Tvj= Tvjmax, vR ≤ 0,5 VRRM, VRM = 0,8 VRRM

Parameter: Durchlassstrom / On-state current iTM

N

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T580N

0-50V 0,33 VRRM 0,67 VRRM

0 1 2 3 4 5 6

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17

Anzahl Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen Number of pulses for 50Hz sinusoidal half waves IT(OV)M [kA]

Typische Abhängigkeit des Grenzstromes IT(OV)M von der Anzahl für eine Folge von Sinus Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung VRM

Typical dependency of maximum overload on-state current IT(OV)M as a number of a sequence of sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage VRM

IT(OV)M = f (pulses, VRM) ; Tvj = Tvjmax

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Nutzungsbedingungen

Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der

Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen.

In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen.

Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung (siehe www.infineon.com). Für Interessenten halten wir Application Notes bereit.

Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung.

Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder

lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle - die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;

- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;

- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen.

Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben.

Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten.

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This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the product and its characteristics.

Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see www.infineon.com). For those that are specifically interested we may provide application notes.

Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact the sales office, which is responsible for you.

Should you intend to use the Product in aviation applications, in health or live endangering or life support applications, please notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend

- to perform joint Risk and Quality Assessments;

- the conclusion of Quality Agreements;

- to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on the realization of any such measures.

If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers.

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Infineon :

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