TEM-Proben

Die PräparationvonQuershnittsproben für TEM verliefzunähst analogzur

Präpara-tion der Proben für Ätzgrübhenuntersuhungen und folgte damit einem beispielsweise

vonSeibt [50℄ oder Riedel [90℄ benutzten Standardverfahren. Anstelle des Defektätzens

fand nah der Politur der Vorderseite eine mehanishe Dünnung durh Shleifen und

Polieren der Probe von der Rükseite her statt, bis die Probe lediglih noh etwa 20

µ

^{mdik war.Nah}BefestigungaufeinemTEM-Netzhen aus GolderfuhrendieProben einenBeshuss mitAr-Ionen ineiner Ionenätzanlageder Fa.Bal-Te (ModellRES010).

DerBeshuss erfolgteuntereinemWinkelvon17°beieinerSpannung von4.5kV, wobei

die Probe in einem Sektor mit 20° Önungswinkel gedreht wurde, bis sih ein in der

Mitte der Quershnittsprobe in der Nähe der Korngrenze ein Loh bildete, an dessen

Rand dieProbe elektronentransparent ist.

DieobengeshildertekonventionellePräparationermöglihtdie

elektronenmikorosko-pisheUntersuhungeinesrelativgroÿenBereihes derDiusionsprobe.Jedohistesbei

sehrgeringenDefektdihtenwieimFalleinzelner isolierterAussheidungenunter

nikel-reihen Bedingungen indieser Arbeit, vgl. Abshnitt 4.2.2,notwendig, einzelne Defekte

gezielt für TEM zu präparieren. Dafür wurde in dieser Arbeit ein kürzlih von Stolze

[77℄ vorgestelltes Verfahren benutzt, das Defektätzen und die Präparation mit einem

fokussiertenIonenstrahl(FIB)kombiniert.MiteinemRasterelektonenmikroskop(SEM)

wurde ander Oberähe einer defektgeätzten Quershnittsprobe eine Stelle, ander

Ni-reihe Aussheidungen vorliegen, anhanddes Ätzgrübhens lokalisiert. An dieser Stelle

lieÿsih dann mittels FIB eine zur Oberähe der Quershnittsprobe senkreht

stehen-de Lamelle ausshneiden und auf einen für den Einbau ins TEM geeignetes Träger aus

Molybdän anbringen. Shlieÿlih erfolgte noh eine Dünnung durh Ga-Ionenbeshuss,

bisdieLamelle eletronentransparent wurde.

Anhang C

Volumenfehlpassung bei Vorliegen zweier

metallisher Verunreinigungen

Eswird derFallbetrahtet, dasszweimetallisheVerunreinigungen

M1

^und

M 2

gleih-zeitiginSiliziumvorliegenundAussheidungen zweiervershiedener Phasenbilden.Die

Phasen lassen sihnominell als Silizideder Zusammensetzung

M 1 x r M 2 y r Si z r

beshrei-ben, wobei

r = 1, 2

^{. Die Parameter}

x ₁

^bis

z ₂

^{geben die Anzahl der}

M 1−

^,

M 2−

^und

Si-AtomeproFormeleinheitder jeweiligenPhase an.FürdieindieserArbeit

untersuh-ten Metalle Cu und Ni sind inTabelleC.1 Werte angegeben.

Wenn Si-Atome in den Phasen jeweils ein anderes spezishes Volumen als in der

Si-Matrix haben, ist das Wahstum der Aussheidungen mit einer Volumenänderung

∆V = V _P ^tot − V _Si ^tot

^verbunden.

V _P ^tot

^{istdas Volumenaller} Aussheidungen beider Phasen und

V _Si ^tot

^{das Volumen,das alleinden}Aussheidungenenthaltenen Si-Atomezusammen inderSi-Matrixeinnehmen.DieseVolumenkanndurheine Summeüberdiebeteiligten

Phasen ausgerükt werden:

V _Si ^tot = X

r

N r z r Ω,

^(C.1)

wobei

N r

^{dieAnzahl der} ausgeshiedenen Formeleinheitender Phase

r

^{angibt und}

Ω

das Volumen pro Si-Atom in der Matrixbezeihnet.

FürdenFall,dassdieAussheidungendieVolumenänderung

∆ V

^{durhdieErzeugung}

intrinsisherPunktdefektedesSikompensieren,lässtsih

∆ V

^{analogzurbinären}

Metall-silizidaussheidung darstellen, vgl. Abshnitt 2.1.2.1.

∆V = X

r

N r (x r α r1 + y r α r2 ) Ω

^(C.2)

Die Parameter

α r1

^und

α r2

^{geben dabei die Dierenz der} interstiellen Si-Atome und Leerstellen an, die pro Aussheidung eines

M 1

^{- bzw. eines}

M 2

^{-Atoms in der Phase}

r

emittiertwerden.DieBeiträgebeidermetallisherVerunreinigungenzu

∆V

^werdenüber

diebeteiligtenPhasen aufsummiert.

DerBeitrageiner einzelnenternären Phase zur Volumenänderung

∆ V

^{insgesamtistmit}

der jeweils ausgeshiedenen Menge gewihtet. Diese Gewihtung lässt sih durh eine

mittlereVolumenfehlpassung ausdrüken, diehier deniert wirdals:

δ _V ^av = V _P ^tot − V _Si ^tot

und die als Funktion des Konzentrationsverhältnisses

Q 1,2

^{der beiden} metallishen Verunreinigungen

dargestellt werden kann.Für diemittlereVolumenfehlpassungergibtsihsoder

Aus-druk:

Für das indieser ArbeituntersuhteSystem Cu-Ni-Si wirddiemittlere

Volumenfehl-ternär binär

Tabelle C.1. DieParameter

x 1

^bis

z 2

^{bezeihnendie AnzahlderCu-, Ni- undSi-Atome pro}

For-meleinheitderPhasenCu

3

^Si:NiundNiSi

2

^{:Cu,ausgedrüktdurhdenpartiellen}

Mo-lenbruh

X _Cu ^(P)

^{vonCu.ImternärenSystemhängendieWertefürdieNiSi}

2

^:Cu-Phase

vomGitterplatz desCuab.DieWerteinSpalteCu

Si

ergebensihfürCuauf einem

Si-Platz,dieWerteinSpalteCu

Ni

fürCu aufeinemNi-Platz.

Parameter Komponente Phase Wert

ternär binär

Tabelle C.2. Die Werteder Parameter

α 11

^bis

α 22

^{geben die Dierenzder} interstiellenSi-Atome undLeerstellenan,dieproAussheidungeinesCu-oderNi-AtomsineinerderPhasen

Cu

3

^{Si:Niund NiSi}

2

^{:Cu emittiert werden. Imternären System hängendie Werte im}

Fall der NiSi

2

^{:Cu-Phase vom} Gitterplatz des Cu ab, Cu Si

: Cu auf einem Si-Platz,

Cu

Ni

:Cu auf einemNi-Platz.Die Zahlenin derSpaltebinär gebendieWerte, die

sihbeiRaumtemperaturfürNiSi

2

^undCu

3

^{SiausderLiteraturergeben[48℄.}

passung

δ _V ^av

^bei Anwesenheit von Cu

3

^{Si:Ni- und NiSi}

2

:Cu-Aussheidungen mit den in Tab. C.1 und Tab. C.2 angegebenen Parametern berehnet. Die genaue

Zusammenset-zung der PhasenhängtvompartiellenMolenbruh

X _Cu ^{(P )}

^{undauÿerdem vom}Gitterplatz der gelösten Verunreinigung ab. Abb.5.1 in Abshnitt 5.2.2.2 der Diskussion zeigt den

Verlauf, der sihfür drei vershiedene Fälle

ˆ Cu

3

^{Si:Ni-und NiSi}

2

:Cu-Aussheidungen mitCu aufSi-Plätzen

ˆ Cu

3

^{Si:Ni-und NiSi}

2

:Cu-Aussheidungen mitCu aufNi-Plätzen

ˆ binäre Cu

3

^{Si- und NiSi}

2

-Aussheidungen ohne ternäre Löslihkeit

[1℄ R.M.Swanson, A visionforrystallinesilionphotovoltais, Prog.Photovolt:Res.

Appl. 14, 443 (2006).

[2℄ J. G. Wilkes, K. E. Benson und W. Lin, Handbook of Semiondutor Tehnology,

Volume 2,Kapitel SilionPoessing, Seiten166, Wiley-VCH,2000.

[3℄ W.Bergholz und D. Gilles, Impat of Researh on Defets in Silon on the

Miro-eletroni Industry, phys. stat. sol.(b) 222, 5 (2000).

[4℄ D.Gilles,E. R.Weberund S.Hahn, Mehanismof internalgetteringof interstitial

impurities in Czohralski-grown silion, Phys. Rev.Lett. 64,196 (1990).

[5℄ T. Buonassisi, A. A. Istratov, M. D. Pikett, M. Heuer, J. Kalejs, G. Hahn, M. A.

Marus, B. Lai, Z. Cai, S. M. Heald, R. F. Clark, D. W. Cunningham, A. M.

Gabor, R. Jonzl, S. Narayanan, E. Sauar und E. R. Weber, Chemial Natures

and Distribution of Metal Impurities in Multirystalline Silion Materials, Prog.

Photovolt:Res. Appl. 14, 513 (2006).

[6℄ H. J. Möller, L. Long, M. Werner und D. Yang, Oxygen and Carbon Preipitation

in Multirystalline Solar Silion, phys. stat. sol.(a) 171, 175 (1999).

[7℄ A. A. Istratov, T. Buonassisi, R. J. MDonald, A. R. Smith, R. Shindler, J. A.

Rand, J. P. Kalejs und E. R. Weber, Metal ontent of multirystalline silion for

sola ells and its impat on minority arrier diusion length, J. Appl. Phys. 94,

6552(2003).

[8℄ J.W. Chenund A. G.Milnes, Energy Levels in Silion, Ann. Rev.Mater. Si. 10,

157 (1980).

[9℄ R.N.Hall,Eletron-HoleReombinationin Germanium,Phys.Rev.87,387(1952).

[10℄ W. Shokley und W. T. Read, Statistis of the Reombinations of Holes and

Ele-trons, Phys. Rev. 87, 835 (1952).

[11℄ M.Kittler,J.Lärz,W.Seifert,M.Seibtund W.Shröter, Reombinationproperties

of struturally welldened NiSi2 preipitates in silion, Appl. Phys. Lett. 58, 911

(1991).

[12℄ W.Shröter,V.Kveder, M.Seibt,H.Ewe,H. Hedemann,F. Riedelund A.Sattler,

Atomi struture andeletroni states of nikeland opper siliidesin silion, Mat.

Si. Eng. B 72, 80(2000).

[13℄ C. P. Ewels, S. Leoni, M. I. Heggie, P.Jemmer, E. Hernández, R. Jones und P. R.

Briddon, Hydrogen Interation with Disloations in Si, Phys. Rev. Lett. 84, 690

(2000).

[14℄ M. Seibt, V. Kveder, W. Shröter und O.Voÿ, Strutural and eletrial properties

of metalimpurities at disloations in silion, phys. stat. sol. (a)202, 911 (2005).

[15℄ M. Kittler,W. Seifert und V. Higgs, ReombinationAtivity of Mist Disloations

in Silion, phys. stat. sol. (a)137, 327 (1993).

[16℄ P. R. Wilshaw und T. S. Fell, Eletron Beam Indued Current Investigations of

Transition Metal Impurities at Extended Defets in Silion, J. Eletrohem. So.

142, 4298 (1995).

[17℄ V. Kveder, M. Kittler und W. Shröter, Reombination ativity of ontaminated

disloations in silion: A model desribing eletron-beam-indued urrent ontrast

behavior, Phys. Rev.B 63, 115208(2001).

[18℄ J.Chen, T.Sekiguhi,D. Yang, F.Yin,K.Kido undS. Tsurekawa,

Eletron-beam-induedurrentstudy ofgrain boundaries in multirystalline silion, J.Appl.Phys.

96, 5490 (2004).

[19℄ J. Chen, T. Sekiguhi, R. Xie, P. Ahmet, T. Chikyo, D. Yang, S. Ito und F. Yin,

Eletron-beam-indued urrent study of small-angle grain boundaries in

multiry-stalline silion, Sripta Materialia52, 1211 (2005).

[20℄ T. Buonassisi, A. A. Istratov, M. D. Pikett, M. A. Marus, T. F. Ciszek und

E. R. Weber, Metal preipitation at grain boundaries in silion: Dependene on

grain boundary harater and disloation deoration, Appl. Phys. Lett. 89, 042102

(2006).

[21℄ S. M. Myers, M. Seibt und W. Shröter, Mehanisms of transition-metal gettering

in silion, J. Appl. Phys. 88, 3795(2000).

[22℄ T. Buonassisi,A.A. Istratov,M. A.Marus, B.Lai,Z.Cai, S.M. Healdund E.R.

Weber, Engineering metal-impurity nanodefets for low-ost solar ells, Nature

Materials4, 676 (2005).

[23℄ N. Yuge, M. Abe, K. Hanazawa, H. Baba, N. Nakamura, Y. Kato, Y. Sakaguhi,

S. Hiwasa und F. Aratani, Puriation of metallurgial-grade silion up to solar

grade, Prog. Photovolt9, 203 (2001).

[24℄ A. A. Istratov, T. Buonassisi, M. D. Pikett, M. Heuer und E. Weber, Control of

metal impurities in "dirty"multirystalline silion for solar ells, Mat.Si. Eng. B

134, 282 (2006).

[25℄ M. Seibt und K.Gra, Charaterization of haze-forming preipitates in silion, J.

Appl. Phys. 63, 4444 (1988).

[26℄ K.Gra, Metal Impuritiesin Silon-Devie Fabriation, Springer, 1995.

[27℄ W.Shröter,M.SeibtundD.Gilles, Handbook ofSemiondutorTehnology,

Volu-me1,KapitelHigh-TemperaturePropertiesofTransionElenmentsinSilion,Seiten

598660, Wiley-VCH, 2000.

[28℄ M. Heuer, T. Buonassisi, M. A. Marus, A. A. Istratov, M. D. Pikett, T. Shibata

undE.R.Weber, Complexintermetalliphase inmultirystallinesiliondopedwith

transitionmetals, Phys. Rev. B 73, 235204 (2006).

[29℄ T. Buonassisi, M. Heuer, A. A. Istratov, M. D. Pikett, M. A. Marus, B. Lai,

Z. Lai, S. Heald und E. Weber, Transition metal o-preipitation mehanisms in

silion, Ata Materialia 55, 6119 (2007).

[30℄ A.G.CullisundL.E.Katz,Eletronmirosopestudyofeletriallyativeimpurity

preipitate defets in silion, Phil. Mag.30, 1419 (1974).

[31℄ K.Ryoo,R. DrosdundW.Wood, Analysisof plate and olony preipitates

deora-ting staking faults in a single-rystal silion, J. Appl. Phys. 63, 4440 (1988).

[32℄ C. Colliex,J. L.Maurie und D. Ugarte, Frontiers of nalytial eletron mirosopy

with speial referene to luster and interfae problems, Ultrami.29, 31(1989).

[33℄ M.Reihe,K.Sheershmidt, D.Conrad, E.Sholz,A.Plöÿl,U.Göseleund K.Tu,

Disloation strutrue in interfaes of bondedhydrophobisilionwafers: experiment

and moleular dynamis, Inst. Phys. Conf. Ser. 157, 447 (1997).

[34℄ E.M.Sokolovskaya,O.I.Chehernikova,E.I.Gladyshevskiyund O.I.Bodak, The

Ni-Cu-Si System, Russian Metallurgy 6, 114 (1973).

[35℄ J. Utzig, An elasti energy approah to the interstitial diusion of 3d elements in

silion, J. Appl. Phys. 65, 3868 (1989).

[36℄ R. N. Hall und J. H. Raette, Diusion and Solubility of Copper in Extrinsi and

IntrinsiGermanium,Silion,andGalliumArsenide,J.Appl.Phys.35,379(1964).

[37℄ M. K. Bakhadyrkhanov, S. Zainabidov und A. Khamidov, Some harateristis

of diusion and eletrotransport of nikel in silion, Sov. Phys. Semion. 14, 243

(1980).

[38℄ K.Gra,H.A.HenerundH.Pieper,Palladium-Test:ATooltoEvaluateGettering

Eieny, Mater. Res. So. Pro.36, 19 (1985).

[39℄ E. R.Weber, Transition Metals in Silion, Appl. Phys. A 30, 1(1983).

[40℄ W.Frank, Theinterplay of solute- and self-diusion - a key for revealing diusion

mehanisms in silion and germanium, Defet Diusion Forum75, 121 (1991).

[41℄ B. Tuk, Intodution to diusion in semiondutors, Kapitel Semiondutor

solu-tions, Seiten6570, Institutionof Eletrial Engineers, 1974.

[42℄ E. Nes und J. Washburn, Preipitation in High-Purity Silion Single Crystals, J.

Appl. Phys. 42, 3562 (1971).

[43℄ J. K. Solberg und E. Nes, On the miromehanisms of repeated preipitation on

edge disloations, J. Mater. Si. 13, 2233 (1978).

[44℄ M. Seibt, M. Griess, A. Istratov, H. Hedemann, A. Sattler und W. Shröter, F

or-mation and Properties of Copper Siliide Preipitates in Silion, phys. stat.sol.(a)

166, 171 (1998).

[45℄ P.D.Augustus, J.KnightsundL.W.Kennedy, A orrelationbetweentheeletrial

breakdownof silion bipolar transistors and impurity preipitates, J. Miros.118,

315 (1980).

[46℄ B. P. R. Marioton und U. Gösele, Transport of thermodynami information of

self-interstitials between preipitates in silion, J. Appl. Phys. 63, 4661 (1988).

[47℄ H. Vogel, Gerthsen Physik,Seite 211, Springer, 1995.

[48℄ S. P. Murarka, Siliides for VLSI Appliations, Kapitel Properties, Seiten 2970,

Aademi Press In., 1983.

[49℄ H. Ewe, Semiondutor 1994, Seite 796, The EletrohemialSoiety, 1994.

[50℄ M.Seibt,ElektronenmikroskopisheUntersuhungdesAussheidungsverhaltensvon

Nikel in Silizium, Dissertation, Göttingen, 1986.

[51℄ M.Seibtund W. Shröter, Preipiatation behaviour of nikel in silion, Phil.Mag.

A59, 337 (1989).

[52℄ R.T.Tung,J.M.GibsonundJ.M.Poate,FormationofUltrathinSingle-Crystal

Si-liideFilms onSi: Surfae andInterfaial Stabilization of Si-NiSi

2

^Epitaxial

Stru-tures, Phys. Rev. Lett. 50, 429 (1983).

[53℄ J.K.Solberg, TheCrystal Struture of

η

^-Cu

3

^Si Preipitates inSilion, Ata Cryst.

A34, 684 (1978).

[54℄ K. Anderko und K. Shubert, Kristallstruktur von Pd

2

^{Si, Pd}

2

^{Ge und Pt}

2

^{Ge, Z.}

Metallk.44, 307 (1953).

[55℄ J.M. Silok und W. J. Tunstall, Partial Disloations Assoiated with NbC

Prei-piatation in Austeniti Stainless Steels, Phil. Mag.10, 361 (1964).

[56℄ E.Nes, Mehanismof RepeatedPreipiatationonDisloations, Ata Metall.22,81

(1974).

[57℄ D. West, Ternary Equilibrium Diagrams, Kapitel General Considerations, Seiten

110, Chapman and Hall, 1982.

[58℄ M. Setton, Properties of Metal Siliides EMIS Datareview Series No.14, Kapitel

3.7 Ternary TM-TM-Si reations, Seiten 129149, INSPEC, 1995.

[59℄ P. Villars, A Semiempirialapproah to the predition of ompound formation for

96446 ternary alloys systems: II, J. Less-CommonMet. 119, 175 (1986).

[60℄ M. Settonund J. van der Spiegel, Strutural and eletrial properties of ZrSi

2

^and

Zr

2

^CuSi

4

^{formed by rapid thermal proessing, J. Appl. Phys 70, 193 (1991).}

[61℄ C. Fetzer, I. Dezsi, A. Vantomme, M. Wu, S. Jin und H. Bender, Ternary

Co

x

^Fe

(1 − x)

^Si

2

^{and Ni}

x

^Fe

(1 − x)

^Si

2

^{formed by ion} implantation in silion, J.

Appl. Phys. 92, 3688 (2002).

[62℄ T. G. Finstad, D. K. Anteatro, V. R. Delne, F. M. d' Heurle, P. Gas, V. L.

Moruzzi, K. Shwarz und J. Terso, The Formation of Disiliides From Bilayers

OfNi/Co And Co/NiOn Silion:Phase SeparationAndSolidSolution, ThinSolid

Films135, 229 (1986).

[63℄ M. Okamoto, The Investigation of the Equilibrium State of the Ternary Whole

System Cu-Ni-Si. III. On the Heterogenous Equilibrium Relating to Liquid of the

Ternary Whole System Cu-Ni-Si, J. Jpn. Inst. Met. 3, 365 (1939).

[64℄ E. Jäneke, Kurzgefasstes Handbuh Aller Legierungen, Kapitel Ternäre

Legierun-gen, Seiten 513517, Carl Winter, Heidelberg, 1949.

[65℄ K.C. H. Kumar,A.Kussmaul, H.L. Lukasund G.Eenberg, Numerialdata and

funtional relationships in siene and tehnology: New series / Landolt-Börnstein

IV/11C2, Seiten374381, Springer-Verlag,2007.

[66℄ W.Wopersnowund K.Shubert, Über dieMishungNikel-Palladium-Silizium, Z.

Metallk.67, 807 (1976).

[67℄ T. G. Finstad und M.-A. Niolet, Siliide formation with bilayer of Pd-Pt, Pd-Ni,

and Pt-Ni, J. Appl. Phys. 50(1), 303 (1979).

[68℄ M. E. Loomans, D. Z. Chi und S. J. Chua, Monosiliide-Disiliide-Silion

Pha-se Equilibria in the Nikel-Platinum-Silionand Nikel-Palladium-Silion Systems,

Metall. Mater. Trans. A 35, 3053 (2004).

[69℄ E. L. Semenova, Numerial data and funtional relationships in siene and

teh-nology: New series / Landolt-Börnstein IV/11C3, Seiten486493, Springer, 2007.

[70℄ M.Heuer, T. Buonassisi,A. A.Istratov, M.D. Piket, M.A. Marus,A. M.Minor

und E. Weber, Transition metal interation and Ni-Fe-Cu-Si phases in silion, J.

Appl. Phys. 101, 123510 (2007).

[71℄ T. F. Ciszek und T. H. Wang, Silion defet and impurity studies using oat-zone

rystal growth as a tool, J. Cryst. Growth237-239, 1685 (2002).

[72℄ O.F.Vyvenko,T. Buonassisi,A.A.Istratovund E.R.Weber, X-ray beam indued

urrent/miroprobex-rayuoresene:synhrotronradiationbasedx-ray miroprobe

tehniques for analysis of the reombination ativity and hemial nature of metal

impurities in silion, J. Phys.:Condens. Matter 16, S141 (2004).

[73℄ M. von Heimendahl, Einführung in die Elektronenmikroskopie, Vieweg, 1970.

[74℄ L. Reimer, Tranmission Eletron Mirosopy, Springer, 1984.

[75℄ J. M. Spene, ExperimentalHigh-Resolution Eletron Mirosopy, Oxford

Univer-sity Press, 1988.

[76℄ D.B.WilliamsundC.B.Carter, TransmissionEletronMirosopy,PlenumPress,

New York, 1996.

[77℄ L. Stolze, Lokalisierung und Charakterisierung von Silizid-Aussheidungen in

kri-stallinemSiliziumnahDiusionvonNikelund Kupfer, Diplomarbeit,Göttingen,

2008.

[78℄ G.CliundG.Lorimer, Thequantitativeanalysisof thinspeimens, J.Mirosopy

103, 203 (1975).

[79℄ W. Shröter, M.Seibt und D. Gilles, Materials Siene and Tehnology, Kapitel

High-TemperaturPropertiesof 3dTransitionElementsinSilion,Seite569,

Wiley-VCH, 1991.

[80℄ W. C. Dash, Copper Preipiatation on Disloations in Silion, J. Appl. Phys. 27,

1193(1956).

[81℄ K.Gra, AggregationPhenomena of Point Defets in Silion, The Eletrohemial

So., Pennington, 1983.

[82℄ P.Saring,C.Rudolf,L.StolzeundM.Seibt,Light-BeamInduedCurrent

measure-ments on opper-nikel o-ontaminated Cz-silion birystals, Mat. Si. Eng. B,

angenommen(2009).

[83℄ N. Gay und S. Martinuzzi, External self-gettering of nikel in oat zone silion

wafers, Appl. Phys. Lett. 70, 2568 (1997).

[84℄ D.Abdelbarey,V.Kveder,W.ShröterundM.Seibt, Aluminumgettering ofiron in

silionasaproblemof theternary phasediagram, Appl.Phys. Lett., angenommen

(2009).

[85℄ R.Wagner, R. Kampmannund P. Voorhees, Phase Transformations in Materials,

Kapitel Homogeneous Seond-Phase Preipitation, Seiten 322326, Wiley-VCH,

2001.

[86℄ J. C. H. Spene und J. Taftø, ALCHEMI: a new tehnique for loating atoms in

smallrystals, Journal of Mirosopy 130, 147 (1983).

[87℄ M.Reihe, Semiondutorwafer bonding, phys. stat. sol.(a)203, 747 (2006).

[88℄ A.Borghesi,B. Piva, A. SassellaundA. Stella, Oxygen preipitation in silion, J.

Appl. Phys. 77, 4169 (1994).

[89℄ A. Sattler, Ratenlimitierende Prozesse beim Gettern von Kobalt in Silizium,

Dis-sertation, Göttingen,2003.

[90℄ F. Riedel, Zusammenhang elektrisher und struktureller Eigenshaften von

Nikel-silizidaussheidungenin Silizium, Dissertation,Göttingen, 1995.

[91℄ F.S.d'Aragona, Disloation Ethfor(100)Planesin Silion, J.Eletrohem.So.

119, 948 (1972).

Ih danke meinem Doktorvater Herrn Prof. Dr. M. Seibt für die Ermöglihung dieser

Arbeit, für seine stetige Diskussionsbereitshaft, seine wertvolle Kritik, Hilfe bei der

Elektronenmikroskopie und die Gelegenheit zu internationalen Tagungen fahren und

dort Vorträge halten zu können. Die Jahre, in denen ih in seiner Arbeitsgruppe tätig

war, waren eine Erfahrung, dieih niht missenmöhte.

Herrn Prof.Dr. H. Hofsäÿ dankeihfür diebereitwillige Übernahme des Korreferats.

Bei Herrn Prof.Dr.W. Shrötermöhte ihmihbesonders fürinspirierende

Diskussio-nen und Denkanstöÿebedanken.

Herrn Dr. K. Ahlborn und Dr. K. Thiel sei für Hilfestellung bei Computerproblemen

und Herrn Dipl.Ing.(grad.) M.Shrader für tehnishe Hilfe gedankt.

Allen alten und neuen Mitgliedern der Arbeitsgruppe Seibt sei für das angenehme

Ar-beitsklima, die freundlihe wohlwollende Atmosphäre gedankt, in der sih so manhe

Idee entwikelnkonnte. Insbesondere möhte ihmih bei einerReihe von Kollegen

be-danken, mit denenzusammen ih einenlangen Weggegangen bin: OliverVoss, Karsten

Thiel, Tore Niermannund Yue-Lin Huang.

Frau Bettina Shlieper-Ludewig möhte ih für die Hilfe bei der Präparation von

Pro-benund dievielen kleinenHilfsdienstedanken, diesooftinVergessenheitgeraten. Frau

Dipl.-PhysLindaStolzedankeihfürdiePräparationeinerwihtigenProbemittelsFIB.

Philipp Saring und Philipp Hahne, Marie Aylin Falkenberg, Doaa Abdel Barey, Oliver

Voss, Niels Hildebrand, Henning Shuhmann und Hendrik Bergmann danke ih für die

Korrekturen sprahliher Fehlerim Manuskript.

Ih dankemeinenEltern fürdienihtnurmaterielleErmöglihung des Studiums und

ihnen und meiner Shwester für Zuspruh und Motivation.

Katrin Jägerfeldgebührt Anerkennung für ihre Sorge um Kilian.Meinem kleinemSohn

konnteihwährend der letzten Wohen niht viel geben, aberer gab mirum so mehr.

Carsten Rudolf

Geburtstag: 11.10.1975

Geburtsort: Hameln

Staatsangehörigkeit: Deutsh

Familienstand: ledig, einSohn: KilianJägerfeld

1982-1986 GrundshuleFishbek

1986-1988 Orientierungsstufe Hessish Oldendorf

1988-1995 Shiller-Gymnasium Hameln

1995-1996 Zivildienst:DeutshesRotesKreuz,KreisverbandHameln-Pyrmont

10/1996-05/2002 Studiumder Physik ander UniversitätGöttingen bis zum Diplom

05/2002 Diplom

Titel der Diplomarbeit: Reifungextrinsisher Versetzungsringe in

Siliziumunter Aluminiumbedekung

05/2002-09/2005 Fortsetzung des Studiums nah dem Diplom

07/2002-12/2002 Wissenshaftlihe Hilfskraftder Universität Göttingen

01/2003-09/2005 Wissenshaftliher Mitarbeiterdes BMU-Projektes ASiS

10/2005-03/2007 Wissenshaftliher Mitarbeiterdes von der Volkwagenstiftung

ge-förderten Projektes SOBSi

04/2007-12/2008 Wissenshaftliher Mitarbeiterdes BMU-Projektes SolarFous

seit 01/2009 Wissenshaftliher Angestellter amSonderforshungsbereih 602

der Universität Göttingen

Im Dokument Transmissionselektronenmikroskopische Untersuchungen zur Koausscheidung von Übergangselementen in kristallinem Silizium (Seite 94-109)